Тадқиқод объектлари: суюк эпитаксия усули билан ўстириб тайёрланган фотодиодли Au-nAI х , Ga ,_х As-pGaAs-Ag, Au+Zn-p(AlxGa^x)}_yInyAs-nGaAs-Au, Аи-p(Alх Ga t_x) ,_у In у As-nGaAs-Ag-структуралар,
Ишнинг мақсади: тўғрилагич тўсиқларнинг турли хил гетерокатламга эга 3-тўсикли структуранинг токли ва спектрал характеристикаларга таъсирини тадқик этиш учун галлий арсениди ва унинг бирикмалари асосидаги гетероўтишнинг ҳажмий заряд соҳасида содир бўлувчи жараёнларнинг физик табиатини аниқлашдан иборат.
Тадқиқод методлари: вольтампер, вольт-сиғим ва спектрал характеристикаларни ўлчашнинг экспериментал услублари, олинган экспериментал маълумотларнинг таҳлили.
Олинган натижалар ва уларнинг янгилиги: илк маротаба pAlGalnAs-nGaAs гетероўтиш асосидаги кўп тўсиқли структуралар ишлаб чиқилди ва тўғрилагич тўсиқларнинг спектрал диапазони узун тўлқинли сохага қараб кенгайишига роли аниқланди, илк маротаба турли вазифа учун мўлжалланган гетероқатламдаги индий микдорининг ўзгаришига асосланган 3-тўсиқли фотодиодли Au-pAIGaInAs-nGaAs:O-^g-структураларни тайёрлаш қонун-коидалари таклиф этилди. Au-pAlOoSGal)82lno.iAs-nGaAs-Ag-структура гетерокатлам томонидан ёритилганда фототокнинг юқори қийматлари ҳосил бўлади, фототашувчилар бўлиниш соҳасининг кичик жойлашиши ва ҳажмий заряд сохаси калинлигига пропорционал равишда фототок ошиб борганда, берк ўтишларнинг ҳажмий заряд қатлами томонидан гетероқатлам квазинейтрал кисмининг навбатма-навбат торайиши билан тушунтирилади. Металл-яримўтказгич чегарасининг яхшиланиши ва термоэлектрон механизмининг генерационга алмашиниши, фотодиодли структурада гетероқатлам қалинлигининг ўлчамлари диффузион узунликдан икки баравар микдоргача ортиши олиб келиши мумкинлиги экспериментал равишда кўрсатиб берилган.
Амалий ахамияти: таклиф килинаётган тавсиялар телекоммуникация тизимлари ва оптоэлектроник фотокабулқилувчи асбобларнинг поғонали кучайтирилиш кирувчи параметрлари билан фотоқабулқкилгичнинг чикувчи параметрларининг ўзаро мутаносиблик жараёнини осонлаштиради.
Татбиқ этиш даражаси ва иқтисодий самарадорлиги: олинган натижалар ЎзР ФА илмий ишлаб чиқариш бирлашмалари ва бошқа асбобсозлик ташкилотларида фотокабулқилгичли мосламаларни ишлаб чиқариш учун асос бўлиб хизмат килади.
Қўлланилиш сохаси: ахборотни кабул қилиш ва узатиш ҳамда телекоммуникация тизимларида, микро ва оптоэлектроникада электрон курилмаларни технология ва лойиҳалашда ишлатилади.