Физика

В статье говорится о роли экспериментов и формах их организatsiи в организatsiи уроков физики в общеобразовательной школе

В данной статье анализируется важность организации профессионально-ориентированного учебного процесса по физике в технических вузах. Изучена роль физических явлений и законов, важных для горнодобывающего направления, в технологиях производства, исследованы возможности применения тем, заданных в программе дисциплины, в профессиональной сфере. Разработаны методические указания по решению профессионально-ориентированных задач по разделу молекулярной физики, с их помощью даны рекомендации по организации практических занятий по физике. На практических занятиях изложены преимущества решения профессионально-ориентированных задач.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мире научные исследования, направленные на обеспечение воздушных линий электропередачи электроэнергетических систем волоконно-оптическими приборами связи, а также на разработку средств применения грозозащитных тросов со встроенными оптическими кабелями, имеют важное значение. В этой связи научные разработки, направленные на обеспечение непрерывной и качественной работы электроэнергетических систем, а также на повышение их эффективности, занимают лидирующее положение. В развитых странах, «в электроэнергетических системах особое внимание уделяется грозозащитным тросам со встроенными оптическими кабелями, позволяющими защищать высоковольтные воздушные линии электропередачи от прямых ударов молний, а также в значительной степени улучшить качество передачи большого объема информации на расстояние»1.
В мире при проектировании электроэнергетических систем особое внимание придаётся разработке новых и улучшенных методов математических моделей и алгоритмов. В этой сфере реализуемые работы по проведению научных исследований, в том числе по разработке метода расчета токов несимметричных коротких замыканий, определению эквивалентных параметров грозозащитных тросов, разработке алгоритмов снижения токов в грозозащитных тросах со встроенными оптическими кабелями являются одними из важных задач.
С обретением независимости республики особое внимание уделяется качественному развитию энергетики, являющейся одной из важнейших отраслей экономики и способствующей повышению её техникотехнологического уровня на основе современных требований. В этом отношении значительные результаты достигнуты при разработке алгоритмов расчетов токов при несимметричных режимах на воздушных линиях электропередачи в электроэнергетических системах. В то же время разработка алгоритмов расчетов токов при несимметричных режимах в системах многопроводных воздушных линий электропередачи, остается востребованным. В Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан на 2017-2021 годы определены задачи, направленные на «...сокращение энергоемкости и рссурсосмкости экономики, широкое внедрение в производство энергосберегающих технологий...»2 Выполнение поставленного задания, в том числе разработка алгоритмов для расчетов токов несимметричных коротких замыканий на воздушных линиях электропередачи, определение эквивалентов грозозащитных тросов, снижение токов в грозозащитных тросах со встроенными оптическими кабелями считаются одними из важнейших задач.
Данное диссертационное исследование служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан №УП-4947 от 7 февраля 2017 года «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан», Постановлениях Президента Республики Узбекистан №ПП-2343 от 5 мая 2015 года «О Программе мер по сокращению энергоемкости, внедрению энергосберегающих технологий в отраслях экономики и социальной сфере на 2015-2019 годы» и №ПП-3012 от 26 мая 2017 года «О программе мер по дальнейшему развитию возобновляемой энергетики, повышению энергоэффективности в отраслях экономики и социальной сфере на 2017-2021 годы», а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной области.
Целью исследования является разработка усовсршенствованых алгоритмов по выбору грозозащитных тросов в многопроводных воздушных линиях электропередачи, позволяющих учитывать параметры по всей длине трассы.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
определена зависимость расчетных значений токов в проводах при режимах несимметричных коротких замыканий от параметров многопроводных воздушных линий электропередачи (геометрия опор, длина пролетов, типы проводов фаз и грозозащитных тросов) на основе применения разряженных матриц;
усовершенствованы эквивалентные сопротивления грозозащитных тросов на воздушных линиях электропередачи с учетом суммарных сопротивлений заземлений опор;
усовершенствован алгоритм расчетов термической устойчивости грозозащитных тросов токам при несимметричных коротких замыканиях, на основе представления воздушных линий электропередачи многопроводной системой;
усовершенствована возможность снижения уровня токов в грозозащитных тросах со встроенными оптическими кабелями при режимах несимметричных коротких замыканий, на основе изолирования сопротивлений опор на подстанциях.
Заключение
Проведенные исследования по теме диссертации “Разработка усовершенствованных алгоритмов для расчета токов несимметричных коротких замыканий в многопроводных воздушных линиях электропередачи” позволяют сделать следующие выводы:
1. Проведенный анализ существующих методов по выбору ГТ/ОКГТ из условий ТУ токам при несимметричных КЗ на ВЛ показал, что применяемые алгоритмы для расчетов токов в ГТ/ОКГТ при несимметричных КЗ основаны на большом количестве допущений, снижающих точность результатов, а также требующих проведения большого объема работ при многовариантных расчетах. В связи с этим усовершенствованы уточненные алгоритмы расчетов токов в ГТ/ОКГТ при несимметричных КЗ на опорах ВЛ различного класса напряжений, позволяющих учитывать различные характеристики параметров по всей длине трассы ВЛ. В результате появилась возможность применения алгоритмов повышенной точности для расчетов несимметричных КЗ различного класса напряжений.
2. Впервые разработана уточненная модель ВЛ на основе представления ее многопроводной системой, дающая возможность учитывать разнородность параметров проводов фаз и ГТ/ОКГТ, разную длину пролетов, разнородность геометрии опор, различие сопротивлений грунтов по трассе ВЛ, являющихся причинами несиммстрии трехфазной системы проводов. Такой учет невозможен или ограничен в моделях, используемых в существующих методах расчетов токов в проводах ВЛ при несимметричных КЗ. В результате, разработанная модель дала возможность определять значения токов, несимметричных КЗ на ВЛ.
3. Разработаны алгоритмы моделирования заземления ГТ/ОКГТ на опорах многопроводных ВЛ, позволяющие учитывать режимы заземления ГТ, величины сопротивления заземлений опор по всей протяженности трассы ВЛ, а также сопротивления контуров заземления подстанций. Применение разработанных алгоритмов для проектирования ВЛ дало возможность увеличить точность результатов при расчетах токов КЗ в тросах.
4. Разработаны алгоритмы моделирования несимметричных КЗ фазных проводов в многопроводных ВЛ. При этом разработанный алгоритм не требует применения МСС и позволяет рассчитывать напряжения несимметричных КЗ.
5. Разработаны усовершенствованные алгоритмы выбора ГТ в многопроводных ВЛ, позволяющие проводить расчеты в независимости от количества проводов в рассматриваемой системе и различий длин между пролетами. Указанные алгоритмы внедрены при проектировании ОКГТ на ВЛ электропередачи 500 кВ «Сырдарья» ТЭС - «Ново-Ангрсн» ТЭС и позволили учитывать разнородность параметров всех участков трассы ВЛ электропередачи, что дало возможность увеличить точность расчетов токов несимметричных КЗ.
6. Разработаны алгоритмы расчетов эквивалентных параметров ГТ/ОКГТ ВЛ. Указанные алгоритмы внедрены при проектировании ВЛ электропередачи 500 кВ «Сырдарья» ТЭС - «Ново-Ангрсн» ТЭС, это дало возможность учитывать сопротивления заземлений опор по всей трассе ВЛ и увеличить точность результатов расчетов.
7. Разработаны энерго- и ресурсосберегающие режимы работы ОКГТ посредством выполнения заземлений сопротивлений опор ВЛ. Данные энерго-и ресурсосберегающие режимы внедрены при проектировании воздушной линии электропередачи 500 кВ «Сырдарья» ТЭС - «Ново-Ангрсн» ТЭС (справка АО «Узбекэнсрго» от 4 сентября 2017 года РМ-01-21/6928). Применение энерго- и ресурсосберегающих режимов в процессе проектирования позволило выбрать ОКГТ меньшего сечения и сократить затраты проекта на 27 %.

Актуальность и востребованность темы диссертации. Согласно постановления Президента Республики Узбекистан 1111-1442 «О приоритетах развития промышленности республики Узбекистан в 2011 - 2015 годах» от 15 декабря 2010 года повышение эффективности промышленного производства является первостепенной задачей. В связи с этим последовательное снижение производственных затрат и себестоимости полупроводниковых силовых диодов (ограничители напряжения, высокочастотные выпрямительные диоды), производимых ОАО «FOTON», предусматривает проведение целенаправленных работ по улучшению их параметров и надёжности, а также по оптимизации их технологии, что является важнейшей предпосылкой для повышения конкурентоспособности выпускаемых приборов, а также сохранения существующих и завоевания новых рынков сбыта.
В области защиты радиоэлектронной аппаратуры и предотвращения выхода из строя электрических оборудований импульсными перенапряжениями, поставленные учеными ведущих зарубежных стран США, Канады, Голландии, Китая и Японии задачи разработки и исследования высоковольтных ограничителей напряжения, а также стабилизирующих устройств на основе силовых диодов являются востребованными.
Эти силовые диоды широко применяются в устройствах преобразования электроэнергии, системах питания и управления технологическими процессами. Для их изготовления используется диффузионная технология легирования кремния примесями бора и фосфора, которая широко используется для изготовления высоковольтных диодов. Однако применительно к низковольтным ограничителям напряжения не позволяет получить низкие дифференциальные сопротивления, которое можно получить применением примеси, обеспечивающей резкое различие концентрации носителей на границе р-/?-перехода. Решение этой проблемы требует новых физических подходов, позволяющих получить высококонцентрированный источник - диффузант, который можно изготовить путем использования мышьяка. Кроме того эффективность работы силовых диодов определяется резкостью характеристик при пробойных напряжениях и номинальным коэффициентом ограничения. В рабочем режиме силовые диоды под воздействием мощных импульсов выделяют тепло и их оптимизация возможна на основе физического анализа те-плопереноса по всей длине структуры, включая контактные области.
Востребованность диссертации вытекает из необходимости внедрения усовершенствованных технологий, устройств разбраковки и защиты радиоэлектронной аппаратуры, повышения выдерживаемой импульсной мощности, что связано с задачами, требующими целенаправленного подхода к проблемам снижения технологического брака и повышения надежности, расширения области применения силовых диодов, а также снижения динамических потерь мощности.
Данная диссертационная работа направлена на разработку технологии получения низковольных ограничителей напряжения с малым разбросом пробивных напряжений и низким дифференцальным сопротивлением, как в прямом, так и в обратном направлениях, разработке радиационной технологии обеспечивающей оптимизацию пробивного напряжения, повышение быстродействия и улучшение качества высокочастотных диодов.
Вместе с тем, в ряде случаев становится необходимым защита самих приборов от непредсказуемого превышения токов в цени, что требует разработки ограничителей токов, с параметрами обратимыми после прохождения через них импульса тока.
Исходя из выше приведенного, комплексное изучение, как параметров ограничителей напряжения и высокочастотных диодов, так и физических аспектов технологии их изготовления (например, диффузией и радиационными способами), направленных на оптимизацию конструкций и технологии изготовления силовых диодов и получение на этой основе оптимального сочетания их параметров, в том числе с учётом требований к их радиационной стойкости, является своевременной и актуальной.
Целью исследования является разработка оптимизированной диффузионной технологии получения кремниевых диодных структур с уменьшенными значениями дифференциального сопротивления и улучшение качества, повышение надежности высокочастотных выпрямительных диодов и ограничителей напряжения при радиационном воздействии.
Научная новизна диссертационного исследования заключается в следующем:
впервые разработана технология получения низковольтных ограничителей напряжения (меньше 7 В) на основе легированных мышьяком кремниевых р -/? -структур для защиты блоков питания;
впервые разработан способ получения мощных кремниевых выпрямительно-ограничительных диодов (10А) на основе кремниевых р -р-п-п -структур с эффективными теплоотводящими контактами, предназначенные для использования в качестве выпрямителя, ограничителя и блокирующих диодов;
разработан способ получения омического контакта к силовому диоду с р -р-п-п - переходом из трех слоев на основе ванадия и двух слоев серебра, которые сплавляются при 450 °С, в качестве теплоотводящего компенсатора выбрана медная прослойка гальванически покрытая серебром;
разработан новый двухгенераторный метод измерения напряжения ограничения в три раза меньшей погрешностью измерения по сравнению с известным одногенераторным методом;
впервые разработан полупроводниковый прибор на основе арсенида галлия, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с омическим контактом, тонкий слой второго типа проводимости с двумя омическими контактами отстоящими друг от друга на определенном расстоянии, выводной электрод, присоединенный к омическому контакту;
разработана методика определения эффективности ограничения напряжения из зависимости сопротивления диода от плотности тока в области пробоя в широком диапазоне напряжений;
разраоотаны тепловые модели, основанные на расчете теплопередачи и температуры перегрева /»?-перехода в режиме включения и подаче импульсного напряжения в виде генератора температурного потенциала и генератора теплового потока;
разработана инженерная методика определения соответствующего вида радиационного технологического воздействия, которая позволяет получить оптимальное сочетание параметров ограничителей напряжения и высокочастотных диодов;
впервые разработано устройство защиты радиоэлектронной аппаратуры с индикацией момента выхода из строя ограничителей напряжения.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
1. Разработана технология получения низковольтных ограничителей напряжения ампульной диффузией из высококонцентрированного источника мышьяка, обеспечивающая малый разброс пробивного напряжения и низкое дифференциальное сопротивление.
2. Разработан способ получения омического контакта к кремниевым силовым диодам, отличающийся высокой адгезией и эффективным рассеянием тепла. Способ включает напыление на обе поверхности пластины с /?-77-переходом тонких слоев (0.1-^0.3 мкм) ванадия и серебра, и последующее их сплавление с посеребренным медным тепловым компенсатором. Этот контакт используется в разработанном блокирующем диоде.
3. Разработана методика отбраковки ограничителей напряжения на ранней стадии до установки их на корпуса согласно впервые введенного параметра «коэффициента эффективности», основанная на зависимости сопротивления ограничителя напряжения от тока в режиме пробоя.
4. Разработана тепловая модель ограничителя напряжения, позволяющая рассчитать и реализовать оптимальные размеры кристалла и тепловых компенсаторов, а также объясняющая проявление его свойств как генератора температурного потенциала и генератора теплового потока.
5. Разработан усовершенствованный двухгенераторный метод измерения напряжения ограничения мощных ограничителей напряжения, в котором предлагается измерить обратное напряжение и импульсную составляющую, создаваемую от генератора тока. Общая погрешность измерения составляет ~2%, что в три раза меньше ио сравнению с известной одногенераторной методикой.
6. Разработан модуль защиты радиоэлекгронной аппаратуры на основе ограничителя напряжения, обеспечивающий автоматическое включение-выключение потребителя при перенапряжениях в цепи.
7. Разработана радиационная технология обеспечивающая оптимизацию времени жизни неосновных носителей и времени восстановления обратного сопротивления, напряжения пробоя высокочастотных выпрямительных диодов и ограничителей напряжения.
8. Разработаны инженерные методы расчета обратного тока и прямого падения напряжения, толщины слоя объемного заряда, позволяющие определить оптимальные переходные характеристики высокочастотных диодов при воздействии гамма и электронного облучения.
9. Разработан ограничитель тока на основе арсенида галлия для защиты низковольтных ограничителей напряжения с обратимым пробоем до 14 В.
10. Результаты по технологии получения и исследования ограничителей напряжения и высокочастотных диодов, методики исследования их функциональных параметров внедрены в производство ОАО “FOTON”.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В современном мире в интенсивно развивающемся направлении возобновляемых источников энергии одной из важных проблем является повышение эффективности преобразования солнечной энергии, поиск новых материалов и более простых в изготовлении и дешевых конструкций, которые позволили бы повысить эффективность преобразования солнечного излучения. В этом аспекте расширение класса солнечных элементов основанных на новых физических принципах и механизмах функционирования является одной из важнейших задач.
В настоящее время разработка дополнительных механизмов повышения эффективности солнечных фотоэлементов имеет важное значение в преобразовании солнечной энергии. В этом аспекте привлечение новых механизмов формирования фототока, определение факторов обеспечивающих гарантированный срок службы и снижение себестоимости используемых материалов; определение граничных размеров нанокомпонент для проявления квантово размерных эффектов; выяснение условий самоорганизованного роста наноструктур на поверхности подложки; исследование механизма возникновения множества локальных гетеропереходов с наноструктурными компонентами; поиск механизмов расширения спектра поглощения солнечного излучения структуры с нанокомпонентами.
По Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан обращается особое внимание вопросам создания механизмов применения в практику достижений науки и инновации. В том числе определение возможностей управления электронными процессами, происходящими в нанокомпозитных структурах считается одим из важных задач. В год поддержки иновационных идей и технологий, активного предпринимателя поднятие на современный уровень полученных научных результатов достоин особого внимания. В нашей Республике внимание ученых обращено в большей степени исследованию комбинированных фотоэлектрических батарей, в которых наряду с преобразованием солнечной энергии предусматривается использование выделяемого тепла. В этом направлении ведутся работы по разработке новых конструкций фотоэнергетических установок, достигнуты определенные успехи в повышении коэффициента собирания носителей фотопреобразовательных структурах за счет введения нановключений в активную зону солнечного элемента.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Постановлении Президента Республики Узбекистан №-УП-4947 «О мерах по дальнейшей реализации Стратегии действий по развитиям Республики Узбекистан в 2017-2021 годах» от 7 февраля 2017 года и №-ПП-1442 «О приоритетных направлениях развития индустрии Республики Узбекистан на 2011-2015 гг.» от 15 декабря 2010 года и №-ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организаций, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере
Целью исследования является разработка механизмов повышения эффективности и надежной работы кремниевых солнечных элементов с наноструктурными компонентами.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
определены характеристические свойства кремниевой подложки дающие возможность реализации предложенного механизма формирования контактной структуры с нанокомпонентами;
определены максимальные и минимальные размеры нанокомпонента, обусловленных энергетическими характеристиками контактирующих материалов;
определен механизм формирования гетероперехода, который включает в себя переход (наноразмерная халкогенидная точка - подложка), образующий одномерное иглообразное специфическое электростатическое поле обеспечивающее разделение фотовозбужденных электронно-дырочных пар;
на основе разработанной модели показано, что неконтролируемые частично компенсированные глубокие примеси, имеющиеся в кремниевой подложке, приводят к расширению спектра эффективного поглощения солнечного излучения в длинноволновую область.
Заключение
По результатам исследований, проведенных по теме: «Исследование механизмов повышения эффективности солнечных элементов с наноструктурными компонентами» представлены следующие выводы:
1. Получено аналитическое выражение для определения ширины области пространственного заряда в структуре «макроподложка-наночастица».
2. Показано, что глубина залегания приповерхностной области пространственного заряда имеет линейную зависимость от концентрации остаточных примесей в кремниевой подложке и диэлектрической проницаемости вещества наночастицы.
3. Исследованы преимущества длинной приповерхностной области пространственного заряда в процессе фотовольтаического преобразования и отличия её от классического р-n перехода. В частности, разделяющее поле новой контактной структуры начинается с поверхности подложки и простирается вглубь на несколько десятков микрон.
4. Показано, что в разработанной контактной структуре практически всё поглощение света и рождение электронно-дырочных пар происходит в области пространственного заряда, что приводит к моментальному их разделению и транспорту. Данный фактор снимает строгие требования к чистоте и кристалличности материала подложки, а также даёт возможность использовать в качестве подложки, материал, в котором носители имеют малое время жизни и соответственно малую длину свободного пробега.
5. На основе термодинамических представлений, в частности влияния тепловой энергии на «размытие» энергетический уровней, показана возможность определения максимального размера наночастиц, исходя из критерия сохранения квазидискретности их энергетических уровней. Также проведена численная оценка максимального размера наночастицы.
6. Предложен метод определения минимального размера наночастицы в модели бесконечно глубокой потенциальной ямы, из условия наличия хотя бы одного квазидискретного уровня в области разрыва между зоной проводимости подложки и последнего заполненного уровня наночастицы.
7. На основании теоремы Гаусса для электростатического поля, с использованием граничных условий, получены аналитические выражения для координатной зависимости вектора напряженности электростатического поля и для потенциала в области пространственного заряда новой контактной структуры. Графически представлены их специфическое координатное распределение.
8. Показана роль структурных дефектов и глубоких примесных центров кремниевой подложки в расширении спектра эффективного поглощения, за счёт примесного поглощения и уменьшения ширины запрещённой зоны. Что приводит к эффективному поглощению фотонов с энергией меньше энергии фундаментального поглощения кремния.
9. Проведён численный, сравнительный анализ солнечной панели из элементов на основе новой контактной структуры и панели из традиционных монокристаллических солнечных элементов.
10. Теоретически разработанная модель новой контактной структуры показывает возможность использования дешёвого, модернизированного технического кремния для создания солнечных элементов, имеющих коэффициент полезного действия сравнимый с аналогами из монокристаллического кремния.

Актуальность и востребованность темы диссертации. На сегодняшний день в мировой практике особое значение уделяется снабжению потребителей бесперебойной качественной электроэнергией и снижению потерь, возникающих вследствие ухудшения качества электроэнергии. В этом отношении в сфере энергетики пристальное внимание уделяется повышению эффективности генерации, передачи и потребления электроэнергии. В развитых странах мира «потери электроэнергии сосредоточены в основном в сетях 0,4-10 кВ, общая доля потерь в них, от суммарных, в целом составляет около 60 %»'.
В мире особое внимание придаётся определению показателей качества электроэнергии с помощью специализированных средств измерений. В этой сфере осуществление направленных научно-исследовательских работ, в том числе направленных на разработку усовершенствованных алгоритмов расчета для определения уровня установившегося несимметричного режима в электрических сетях, создание методов и технических средств снижения несимметрии токов и напряжений, разработка средств измерения показателей качества электроэнергии в низковольтных электрических сетях являются одними из важнейших задач.
С приобретением независимости республике особое внимание было уделено качественному развитию энергетики, являющейся одной из важнейших отраслей экономки, способствующих повышению её технико-технологического уровня на основе современных требований. В этой связи при учете электроэнергии в низковольтных электрических сетях были достигнуты определенные успехи, в том числе создано эффективное управление с использованием автоматизированной системы контроля и учета электроэнергии. Вместе с этим необходимо совершенствование, в том числе устройств повышения качества и снижения потерь электроэнергии в низковольтных электрических сетях. В Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан в 2017-2021 годах отмечены задачи «... улучшение обеспечения населения электрической энергией на основе строительства новых и модернизации действующих электрогенерирующих мощностей, обновления низковольтных электрических сетей и трансформаторных пунктов, а также реализация мер по улучшению обеспечения населения другими топливно-энергетическими ресурсами и расширение использования возобновляемых источников энергии»2. Осуществление этой задачи, в том числе создание устройств определения и устранения несимметричных режимов низковольтных электрических сетей и трансформаторных пунктов является одним из важнейших вопросов.
Данное диссертационное исследование в определённой степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан №УП-4947 от 7 февраля 2017 года «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан», Постановлении Президента №ПП-2661 от 23 ноября 2016 года «О Программе по дальнейшей модернизации и обновлению низковольтных электрических сетей на период 2017-2021 годы» и Постановлении Кабинета Министров Республики Узбекистан №294 от 13 декабря 2010 года «О программе модернизации и обновления низковольтных электрических сетей на 2011-2015 годы», а также в других нормативноправовых документах, принятых в этой сфере.
Целью исследования является разработка методов и средств обеспечения показателей качества электроэнергии при установившихся несимметричных режимах в низковольтных электрических сетях.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
разработка методики оценки потерь при продольной и поперечной несимметрии в низковольтных электрических сетях;
разработана схематическая конструкция электромагнитного преобразователя несимметрии трехфазного тока в напряжение;
разработана метод обеспечения качества электроэнергии с использованием электромагнитного преобразователя несимметрии трехфазного тока в напряжение;
разработано устройство «Malika-01», предназначенное для измерения показателей качества электроэнергии в низковольтных электрических сетях. 
Заключение
На основе результатов исследований, проведённых по теме «Разработка методов обеспечения качества электроэнергии при несимметричных режимах в низковольтных электрических сетях» диссертации доктора философии (PhD) по техническим наукам, представлено следующее заключение:
1. Низковольтные распределительные сети напряжением 0,4 кВ работают в условиях значительной несимметрии токов и напряжений, обусловленных неравномерностью распределения однофазных нагрузок по фазам сети и случайным характером их работы, а также это приводит к значительному ухудшению показателей качества и даст возможность определения сопутствующим им дополнительным потерям электроэнергии.
2. Сделан анализ способов и технических средств, позволяющих обеспечить качество электроэнергии и снизить дополнительные потери в низковольтных сетях с несимметричными нагрузками. Обосновано, что наиболее эффективным техническим средством снижения несимметрии токов служат специальные симметрирующие устройства с автоматическим регулированием мощности по фазам.
3. Разработана методика оценки дополнительных потерь при продольной и поперечной несимметрии. Доказано, что при коэффициенте несимметрии токовой нагрузки по фазам Кн = 1.0 величина потерь в сети увеличивается более, чем на 30%, и эта зависимость близка к линейной.
4. Для комбинированного способа управления компенсацией реактивной мощности разработан электромагнитный преобразователь несимметрии трехфазного тока в напряжение, на конструкцию которого получен патент на изобретение IAP № 05383. Этот преобразователь даст возможность преобразования информации точнее по сравнению существующими в два раза выше.
5. При включении симметрирующего устройства определено, что в первом узле происходит уменьшение К21 15 %, Koi 17 %, Кр до 1,12, по сравнению с режимом работы сети без симметрирующего устройства. Таким образом, даст возможность наблюдения наибольшего симметрирующего эффекта при включении симметрирующего устройства в первом узле нагрузок.
6. Разработано устройство «Malika-01», которое предназначено для измерения показателей качества электроэнергии в низковольтных электрических сетях и получен патент РУз на полезную модель FAP № 01166. Внесен в Государственный реестр №05.13919-2016.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время в мировой практике в области физики полупроводников уделяется особое внимание одному из перспективных направлений измерению энергии альфа и бета частиц, гамма и рентгеновского излучений, определению процессов взаимодействия протон, нейтрон других частиц служащих для разработки новых типов ядерных детекторов. В этом аспекте одной из важных задач является определение процессов формирования функциональных характеристик и физических процессов протекающих в них для оптимизации функциональных параметров полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов.
В Республике в перспективном направлении науки, в частности в разработке координатно-чувствительных детекторов. В улучшении их параметров новым подходом, по разработке предназначенных для использования в таможненных службах и ядерных реакторах, получены значительные результаты. В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан является важным освоение принципиально новых видов продукции и технологий, обеспечение на этой основе конкурентоспособности отечественных товаров на внешних и внутренних рынках. В этом аспекте обеспечение защиты будущего поколения и национальную безопасность от воздействия радиации путем разработки полупроводниковых детекторов, приборостроения имеет важное значение.
На сегодня в мире особое внимание уделяется координатно-чувствительным детектором большого диаметра для медицинской диагнос-тики. В этом направлении проведение целевых научных исследований в приведенных направлениях является важным: определение возможностей расширения функциональных характеристик кординатно-чувствительных детекторов большого диаметра; разработка методов усовершенствования технологических процессов полупроводниковых детекторов ядерного излучения на основе монокристалла кремния; поиск путей улучшения параметров координат но-чувствительных детекторов большого размера на основе кремниевых p-i-n-структур; разработка на основе гетеросистем координатно-чувствительных полупроводниковых детектров и оптимизация их спектрометрических характеристик.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных предусмотренных в Постановлении Президента Республики Узбекистан № ПП-1442 «О приоритетных направлениях развития индустрии Республики Узбекистан на 2011-2015 гг.» от 15 декабря 2015 года и № ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии Паук, организаций, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является выявление особенностей технологии изготовления полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов ионизирующего излучения на основе монокристалла кремния больших диаметров и их функциональных характеристик.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
разработаны методы механических и химических обработок кристаллов кремния большого диаметра;
разработан способ двухсторонней диффузии, обеспечивающий в два раза меньшее время процесса диффузии в кремниевых структурах большого диаметра;
разработан технологический маршрут изготовления координатночувствительных 8, 16 и 32 полосных детекторов больших размеров на основе Si(Li) p-i-n-структур;
на основе Al-aGe-pSi-Au-гетероперехода созданы не уступающие аналогам на 20% высокой чувсвительностью 8 полосные координатночувствительные детекторы;
создан полупроводниковый координатно-чувствительный 8-ми полосный полупроводниковый детектор на основе гетероперехода Al-aGe-pSi-Au с фронтальным омическим контактом и тыльным контактом со скрепленным охлаждающим элементом Пельтье, обеспечивающим уменьшение токов утечки в два раза.
Заключение
На основе исследования особенностей технологии изготовления полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов ионизирующего излучения на основе монокристалла кремния больших диаметров (~100 мм) и их функциональных характеристик сделаны следующие выводы:
1. Разработан технологический маршрут, в котором обеспечена резка пластин большого диаметра, процесс диффузии и дрейфа лития в режиме уменьшения рабочего напряжения со 100 В до 15 В, а также равномерность примесей под воздействием ступенчатого импульсного электрического поля.
2. Разработан метод двухсторонней диффузии в кремниевых структурах для изготовления координатно-чувствительных детекторов больших размеров, позволяющий в два раза уменьшить время диффузии.
3. Изготовлены большого диаметра 8-ми полосные и 16-ти полосные детекторы с возможностями использования для томографических систем с энергетическим спектром по р-частицам электрон внутренней конверсией 207Bi (Е|)~1 МэВ) Rp=38 кэВ и по а-частицам 226Ra (Е„=7,65 МэВ) R, =65 кэВ, что находится на уровне заводских.
4. Разработан полупроводниковый координатно-чувствительный детектор, предназначенный для регистрации заряженных частиц в медицине и т.д. включающий p-i-n-структуру фронтальными омическими контактами из золота в виде восьми, шестнадцати и тридцати двух полос, тыльным сплошным контактом из алюминия, который контактирует с термоохлаждающим элементом Пельтье, позволяющее уменьшить токи утечки в два раза.
5. Выявлены технико-технологические аспекты создания координатночувствительных детекторов на основе гетеропереходных Al-aGe-pSi-Au структур с энергетическим разрешением 45 кэВ, то есть в два раза лучшими, чем в кремний-литиевых детекторах (65 кэВ) и в три раза меньшими токами утечки.
6. Изготовлен макет стенда для испытания координатно-чувствительных детекторов предназначенный для демонстрации визуализации сканирования объекта, «просвечиваемого» источником ионизирующего излучения.

Повышенный интерес к проблемам механики связанных полей, в первую очередь к электромагнитоупругости, обусловлен потребностями современного технического прогресса в различных отраслях промышленности при разработке инновационных технологий. Важное место в механике сопряженных полей занимают вопросы изучения движения сплошной среды с учетом электромагнитных эффектов.
Развитие теории сопряженных полей и, в частности, теории электромагнитного взаимодействия с деформируемой средой считается одним из главных направлений развития современной механики твердого тела. Механизм взаимодействия упругой среды с электромагнитным полем разнообразен и обусловлен геометрическими характеристиками и физическими свойствами рассматриваемого тела. В частности, этот механизм получают некоторые специфические особенности, когда рассматриваем проблемы относительно тонких пластин и оболочек, обладающих анизотропной электропроводностью.
Создание оптимальных конструкций в современной технике связано с вопросами широкого использования конструктивных элементов тина тонкостенных оболочек и пластин с учетом нелинейного взаимодействия, в которых электромагнитные эффекты магнитных нолей с телом оболочки и пластины оказываются весьма существенными. Эффекты связанности динамических и механических перемещений электропроводных тел с электромагнитным нолем обусловлены нондеромоторными силами Лоренца. Последние зависят от скорости движения элементов проводящей сплошной среды и внешнего магнитного ноля, от величины и ориентации тока проводимости относительного внешнего магнитного ноля. Значительные эффекты нондеро-моторного взаимодействия имеют место для высокочастотных колебаний при больших значениях амплитуд перемещений, импульсных магнитных нолей и токонесущих элементов.
Именно для этих условий в первую очередь необходимо развитие математических основ магнитоупругости и прикладных методов решения отдельных классов задач. Среди этих классов задач, прежде всего, отметим задачи для тонкостенных токонесущих анизотропных пластин и оболочек, помещенных в сильное внешнее магнитное поле, а также задачи о нелинейных магнитоупругих колебаниях тонкостенных элементов в магнитном иоле.
Учитывая, что специфические магнитоупругие эффекты проявляются при исследовании связанных задач в нелинейной постановке, представляется актуальным развитие численных подходов к решению связанных задач магнитоупругости гибких токонесущих анизотропных пластин и оболочек обладающих анизотропной электропроводностью, находящихся под действием нестационарных электромагнитных и механических нагрузок. При изучении вопросов нелинейной магнитоупругости значительный научный интерес представляет определение напряженно-деформированного состояния токонесущих пластин и оболочек с учетом анизотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости, подвергающихся воздействию переменных электромагнитных и механических нолей.
Востребованность этих задач и интерес к ним обусловлен широким применением в современной технике в качестве конструктивных элементов тонкостенных оболочек и пластин, находящихся иод действием сильных магнитных полей. Эти задачи возникают в современной технике, где такие конструкции используются в качестве ограждающих или несущих элементов для экранирования внешних нолей сильномагнитного оборудования. Этот интерес обусловлен также необходимостью и востребованностью решения задач электромагнитной совместимости при разработках современных измерительных систем, устройств вычислительной техники, при измерениях слабых импульсных нолей на фоне больших нолей, при разработке вопросов защиты обслуживающего персонала от электромагнитного воздействия и др.
Актуальность и востребованность темы диссертации заключается в постановке и решении проблем в соответствии с Законом Республики Узбекистан «Об обеспечении электромагнитной совместимости» (1999 г., № 1, ст. 16; 2003 г., № 5, ст. 67; 2013 г., № 18, ст. 233).
Связанные задачи электромагнитоупругости анизотропных пластин и оболочек обладающих анизотропной электропроводностью представляет научный интерес современности. В случае тонких анизотропных тел с анизотропной электропроводностью можно решать оптимальные задачи магнитоупругости путем вариации всех физико-механических параметров материала тела. В частности, при постоянных механических и геометрических параметрах задачи, с помощью изменения анизотропных электродинамических параметров можно получить конструктивные элементы с качественно новым механическим поведением. В последнее время созданы материалы с новыми электромагнитными свойствами. Эти материалы могут эффективно использоваться в различных областях новой техники при разработке новых технологий.
Целью исследования является развитие теории нелинейной магнитоупругости токонесущих анизотропных тел обладающей анизотропной электропроводностью, математическое моделирование и решение задач магнитоупругости ортотропных оболочек вращения,Для достижения цели сформулированы следующие задачи исследования: формулирование физических положений и математического моделирования магнитоупругого деформирования токонесущих анизотропных тел. обладающих анизотропной электропроводностью, магнитной и диэлектрической проницаемостью;
разработка математических основ и прикладных методов теории деформирования, гибких токонесущих оболочек, обладающих анизотропной электропроводностью, находящихся иод воздействием нестационарных электрома! нитных полей и механических нагрузок;
развитие методики приближенного решения нелинейных краевых задач магнитоупругости токонесущих оболочек вращения, обладающих ортотропной электропроводностью, переменной в двух координатных направлениях жесткостью, находящихся иод воздействием нестационарных как электромагнитных, так и механических сил;
получение связанных разрешающих систем нелинейных дифференциальных уравнений магнитоупругости гибких токонесущих ортотропных оболочек вращения, обладающих ортотропной электропроводностью, находящихся под нестационарным воздействием;
разработка эффективного подхода к численному решению связанных динамических задач магнитоупругости ортотропных оболочек вращения в нелинейной постановке;
проведение анализа электрома! нитных эффектов и напряженно-деформированного состояния указанных тел в широком диапазоне изменения геометрических, механических и электромагнитных параметров.
Научная новизна диссертационного исследования заключается в следующем:
впервые сформулирована математическая постановка связанной динамической задачи магнитоупругости токонесущих оболочек с учетом анизотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости в геометрической нелинейной постановке;
впервые построена нелинейная двумерная модель магнитоупругости токонесущих ортотропных оболочек с учетом конечной ортотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости;
получена разрешающая система уравнений, описывающая несимметричную деформацию гибких проводящих оболочек вращения обладающих ортотропной электропроводностью, переменной в двух координатных направлениях жесткостью, находящихся под воздействием нестационарных как электромагнитных, так и механических сил;
получена связанная разрешающая система нелинейных дифференциальных уравнений магнитоупругости гибких токонесущих ортотропных оболочек вращения произвольного меридиана, с учетом ортотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости, находящихся под нестационарным воздействием;
впервые разработаны методика и алгоритм решения связанных динамических задач магнитоупругости ортотропных оболочек вращения с учетом конечной ортотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости в нелинейной постановке;
выявлены новые эффекты, обусловленные связанностью механических полей деформаций с электромагнитными полями с учетом конечной ортотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости;
оптимизировано напряженно-деформированное состояние токонесущей ортотропной оболочки, выбирая направленность и величину плотности стороннего электрического тока с учетом ортотропной электропроводности.
Заключение
1. Сформулирована математическая постановка связанной динамической задачи магнитоупругости токонесущих оболочек с учетом анизотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости.
2. Построена нелинейная двумерная модель магнитоупругости токонесущих ортотропных оболочек в геометрически нелинейной постановке с учетом ортотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости. При этом принято, что главные направления ортотропии свойств материала оболочки совпадают с направлениями соответствующих координатных осей, а также ортотропное тело линейно относительно магнитных и электрических свойств.
3. На основе квадратичного варианта геометрически нелинейной теории оболочек и пластин, получена связанная разрешающая система нелинейных дифференциальных уравнений магнитоупругости, описывающая напряженно-деформированное состояние гибких токонесущих ортотропных оболочек вращения произвольного меридиана находящихся под воздействием нестационарных механических и электромагнитных нагрузок с учетом ортотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости.
4. Разработана методика и алгоритм численного решения новых класс связанных динамических задач магнитоупругости, позволяющие исследовать напряженно-деформированное состояние токонесущих ортотропных оболочек вращения с учетом ортотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости в геометрически нелинейной постановке. На основе разработанной методики произведен расчет напряженно-деформированного состояния изотропной токонесущей кольцевой пластины и конической оболочки, находящиеся под воздействием механической силы, стороннего электрического тока и внешнего магнитного поля. Как следует из результатов сравнений, с увеличением продолжительности действия сил и уменьшением шага по времени, различие между значениями прогибов и напряжений при различных шагах незначительно увеличивается.
Полученные численные данные на четвертом и пятом приближениях практически совпадают, что свидетельствует об удовлетворительной сходимости итерационного процесса. Результаты сравнений в изотропной постановке с полученными данными других авторов показывают о возможности применения предложенного подхода для исследования напряженно-деформированного состояния гибких токонесущих ортотропных оболочек вращения, обладающих ортотропной электропроводностью.
5. Рассмотрен учет влияния конусности на нелинейное поведение ортотропной оболочки. Выявлено, что взаимодействие магнитной индукции и перерезывающей силы вызывает появление экстремальных значений прогиба и механических напряжений, напряженности электрического поля и магнитной индукции. Магнитная индукция и перерезывающая сила задаются на левом контуре оболочки (граничные условия) и при этом перерезывающее усилие и нормальная составляющая магнитной индукции противоположно направлены.
Установлено, что с уменьшением угла конусности абсолютные величины прогиба и механических напряжений, напряженности электрического ноля и магнитной индукции возрастают. Этот факт иллюстрирует взаимосвязь электромагнитных и механических полей. Выявлено, что угол раствора конуса равный шести градусам оказался критическим для рассматриваемой геометрически нелинейной оболочки при подобранных нагрузках. Дальнейшее уменьшение угла конусности приводит к потере устойчивости оболочки.
6. На основе сравнения результатов решений, полученных для токонесущего ортотропного конуса из бериллия и токонесущего изотропного конуса из алюминия, а также для изотропною конуса из алюминия при отсутствии магнитного поля и стороннего тока проанализированы напряженно-деформированные состояния гибких оболочек в нелинейной постановке. Во всех трех случаях распределение прогиба нелинейное и их максимальные значения возникают в левом контуре оболочки. При этом, в случае ортотропного конуса из бериллия и изотропного конуса из алюминия, с учетом магнитного ноля максимальные значения прогиба отличаются примерно в два раза. Выявлено, что в случае изотропного конуса, без воздействия магнитного и электрического полей, прогиб существенно возрастает. Это объясняется тем, что при отсутствии электрического поля, действующего на оболочку, растягивающие силы тангенциальной составляющей магнитной индукции и тангенциальной составляющей силы Лоренца равны нулю.
Сравнены результаты решений, полученные в линейной и нелинейной постановках. Установлено, что различие между результатами решений в линейной и нелинейной постановках возрастают с уменьшением угла конусности. Анализируя полученные результаты, можно судить о влиянии геометрической нелинейности на напряженно-деформированное состояние ортотропных оболочек в сравнении с линейной теорией.
7. Получены численные результаты для ортотропного конуса из бериллия переменной толщины при различных значениях параметра “а”, характеризующего переменность толщины в меридиональном направлении. Установлено, что увеличение значения параметра “а” приводит к увеличению прогиба, окружных напряжений оболочки, напряжений максвелла и др. Как видно из полученных результатов, переменность толщины оказывает значительное влияние на напряженно-деформированное состояние оболочки, что необходимо учитывать при практических расчетах.
Получены численные результаты при различных видах закрепления контуров оболочки. Из полученных результатов видно, что краевые условия закрепления контуров оболочки существенно влияют на значения и распределения прогибов, перерезывающих сил и изгибающих моментов, сил Лоренца, магнитной индукции и напряженности электрического поля. Выявлено, что максимальные прогибы и изгибающие моменты, силы Лоренца, магнитная индукция и напряженность электрического поля возникают при «шарнирно-скользящем» граничных условиях. Установлено, что при наличии на левом контуре оболочки магнитной индукции значения прогибов, изгибающих моментов, сил Лоренца, магнитной индукции и напряженности электрического поля намного больше ио сравнению с наличием электрического поля. Исходя, из полученных результатов можно судить о влиянии граничных условий на взаимосвязанность механических и электромагнитных полей.
8. Выявлено, что с увеличением магнитной индукции прогиб и напряжений оболочки увеличивается. Установлено, что при увеличении индукции внешнего магнитного ноля индукция внутреннего магнитного ноля тоже увеличивается. Это соответствует реальным физическим процессам, происходящим в оболочке, и в свою очередь подтверждает достоверность полученных результатов.
Показано, что подбирая величину плотности и направленность стороннего тока с учетом ортотропной электропроводности можно оптимизировать напряженное состояние оболочки, находящейся под воздействием нестационарных электромагнитных и механических полей.
Выявлено, что увеличение значения стороннего электрического тока приводит к увеличению значения прогибов и напряжений оболочки, тангенциальных и нормальних составляющих сил Лоренца.
Таким образом, выбирая направленность и величину плотности стороннего электрического тока можно добиться минимального значения прогиба и напряжений в оболочке.
9. В рассмотренных задачах построены зависимости значений характерных функций напряженно-деформированного состояния от электрома! нитных параметров, в частности от ортотропной электрнроводности и от орто-тропии свойств материала, позволяющие оценить влияние взаимосвязанности нолей. Использование полученной системы связанных уравнений магнитоупругости ортотропных оболочек вращения, разработанных методик решения нестационарных задач теории токонесущих оболочек с учетом ортотропной электропроводности в геометрически нелинейной постановке дает возможность решать новый класс задач. При этом более полно учитывается влияние ортотропной электропроводности, магнитной и диэлектрической проницаемости материала и реальные условия работы элементов конструкций, что позволяет делать выбор рациональных геометрических, механических и электромагнитных параметров для повышения надежности работы конструкции.

Объекты исследования: объектом исследования является
дефектообразование в стеатитовой керамике СК-1 при высокодозном у- и п-у-реакторном облучении.
Цель работы: установление закономерностей процессов радиационного дефектообразования в стеатитовой керамике СК-1 при воздействии у-излучения 60Со и реакторного n-у излучения.
Методы исследования: термо-, гамма-, рентгено- и фотолюминесценция, ЭПР, рентгенофазный и активационный анализы.
Полученные результаты и их новизна: Впервые комплексным методом исследованы процессы радиационного дефектообразования в стеатитовой керамике СК-1. Показано, что радиационные дефекты, наводимые в керамике СК-1, обусловлены подпороговым механизмом и происходят, в основном, на границах раздела между кристаллической фазой и стеклофазой. Идентифицирована природа радиационных дефектов и предложен механизм возбуждения, излучения и тушения рекомбинационного свечения иона Мп2+. Установлено, что деградация оптических свойств керамики СК-1 при высокотемпературном отжиге (Тотж>850 °C) обусловлена фазовыми переходами в кристаллофазе и частичной кристаллизацией стеклофазы. При реакторном облучении в стеатитовой керамике СК-1 создаются новые структурные дефекты, такие как немостиковый атом кислорода и вакансии кислорода, а также различные типы V- центров, по сравнению с у-облученными образцами.
Практическая значимость: Полученные результаты значительно расширяют представление о механизмах радиационно-стимулированных процессов в сложных оксидных соединениях, к которым относятся керамические диэлектрики со сложным фазово-минералогическим составом.
Степень внедрения и экономический эффективность: Результаты могут быть использованы в атомной энергетике, в радиационной физике и в других областях науки и техники.
Область применения: Физика конденсированного состояния, атомная энергетика, радиационная физика, материаловедение и физика высоких энергий.

Объекты исследования: Si, легированный Но, La, Ей диффузионным методом и в процессе выращивания, а также дополнительно легированный Ti и Ni.
Цель работы: изучение свойств Si, легированного Но, La, Ей путем высокотемпературной диффузии и в процессе выращивания Si из расплава, а также исследование влияния легирования Si<Ho> различных термических обработок и воздействия радиации на свойства Si<Ho>.
Методы исследования: нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней, фотосмкость и инфракрасная спектроскопия.
Полученные результаты и их новизна: впервые выполнено комплексное исследование свойств кремния с примесями гольмия, европия и лантана и установлено, что введение этих примесей путем высокотемпературной диффузии приводит к существенному изменению электрофизических свойств крсмния.Изучсна эффективность образования уровней Но, La и Ей в кремнии в зависимости от технологических факторов. Впервые с помощью емкостной спектроскопии определен энсргети-ческий спектр ГУ, создаваемых атомами Но, La и Ей в кремнии при их диффузионном введении. Обнаружено, что диффузионное введение этих примесей приводит к снижению эффективности образования термических и радиационных дефектов и стабилизации параметров крсмния.Установлсно, что в кремнии, легированном примесями РЗЭ при выращивании, ГУ в заметной концентрации не наблюдается, но последующая высокотемпературная обработка в интервале температур 1000-1200 °C приводит к активации атомов РЗЭ и образованию ряда глубоких уровней.
Практическая значимость: проведенная оптимизация параметров Si, легированного РЗЭ может быть служить в качестве рекомендаций при создании новых полупроводниковых приборов со стабильными и воспроизводимыми параметрами.
Степень внедрения и экономическая эффективность: полученные результаты по повышению термической стабильности и радиационной стойкости параметров кремния путем введения атомов Но, La и Ей могут быть использованы в качестве рекомендаций при изготовлении различных полупроводниковых приборов.
Область применения: полупроводниковое материаловедение и микроэлектроника.

Объектм исследования: алгоритмьт п программньте средства зашитьт операцпонньтх систем с открьттьш кодом от вредоносньтх программ.
Цель работм: разработка алгорптмов и программнмх средств обнаружения п предотвратения вредоносньтх программ на уровне ядра ОСОК.
Методь! исследования: методьт обнаружения угроз зашить! информацип, теория и методьт изобретательскпх задач, методьт продукшгонньтх экспертньтх систем, теория алгорптмов, рбъектнрорпентированное программирование.
Полученнме результатм и их новизна: предложеньт модифпцированньш метод и алгорптм блокирования вредоносньтх программ, основанньте на предложенноп концепшш зашить! ОСОК; построена продукцпонная модель знанип о средствах зашитьт ядра ОСОК от вредоносньтх программ; разработан алгоритм моделированпя изоляцип вредоносньтх программ на уровне приложений; построена структура экспертной системьт блокированпя и изоляции вредоноснмх программ, в рамках которой предложена методпка принятия решенпй в реальном времени по вьтбору средств запцггм; разработаньт программм блокированпя и изоляции поведения вредоносньтх программ для систем зашпть! осок.
Практическая значимость: разработаннме модели, алгоритмм, программнме средства позволяют стропть экспертньте системьт для принятия решенпй по оценке угроз п вьтбору средств загцитьт в реальном масштабе времени.
Степень внедрения и экономическая эффективность: Полученнме результатьт пспользуются в учебном процессе на кафедрах «Электронная коммерцпя» и «Пнформацпонная безопасность» Ташкентского универсптета информацпоннмх технологий, а также внедреньт и использовань! в Пнтернет сервис провайдере ООО ISP «DosTlink».
Область применения: разработаннме программнме средства могут бьтть применяться для загцить! операционнмх систем с открьпъш кодом от вредоноснмх программ в организацпях используютпе сервера на основе ОС

Актуальность работы. Интенсивное развитие оросительных мелиораций в Каршинской степи явилось мощным антропогенным фактором, изменившим водный и солевой режимы зоны аэрации и как следствие, мелиоративную обстановку на площади более 250 тыс.га. В зоне влияния Каршинского магистрального канала на массивах орошения и обводнения, вблизи водохнилищ и сбросных водоемов стали интенсивно разбиваться процессы вторичного засоления почв и подниматься уровень грунтовых вод. Сренегодовая минерализация грунтовых вод на орошаемых массивах увеличилась с 2-3 г/л до 4,5-5,0 г/л.
Водохозяйственная деятельность и мелиоративная ситуация, сложившаяся к концу 80-х годов, привели к снижению плодородия почвь на значительных территориях в результате их подтопления и засоления а также в ряде случаев загрязнения тежельми металлами.
В настоящее время В Каршинской степи орошается около 270 тыс.га. С целью снижения У ГВ интенсивно строится дренаж.К 1991 году орошаемые площади с дринажем составили 242 тыс.га. Строительство дренажа в какой-то мере снизило развитие негативных процессов. Однако существенного улучшения эколого-мелиоративной ситуации не наблюдается. В этой связи актуальной проблемой является разработка системы обоснованных мероприятий по улучшению экологической и мелиоративной обстановки в регирне.
Цель и задачи исследований. Цель настоящей работы заключается в разработке рекомендаций по улучшению эклолого-мелиоративной ситуации на орошаемых массивах Каршинский степи.
Для реализации цели было решены слудуещие задачи:
- выполнен анализ существующей водохозяйственной деятельности и оцеино ее влияние на формирование эколого-мелиоративной ситуации в регионе;
уточнено водохозяйственное районирование бассейна реи Кашкадарья применительно к совершенствованию управления водными ресурсами и выявлена возможность субирригации;
- оценено по ключевым участкам эколого-мелиоративное состояние земель;
- на основе прогнозов водно-солевого режима почв азработаны рекомендации по улучшению эколого-мелиоративного состояния орошаемых земель.
Научная новизм. 1. Дана характеристика эколого-мелиоративного состояния орошаемых земель и уточнено водохозяйственной районирирование приметельно к задачам управления водными ресурсами.
2. Усовершенствована технология способа субирригации путем регулирования коллекторно-дренажного стока с помоўью специальнқх устойств; прдложены расчетные формулы прзволяющие определить рациональное расстояние между регулирующими, и даны рекомендации по сокращению оросительных норм.
3. Разработаны рекомендации по улучшению эколого-мелиоративного состояния орошаемых земель и эксплуатации коллек горно-дренажной сети Каршинской степи.
выводы
1. Переброска Амударьинской вода в Каршинской магистральный канал (КМК) в 1973 году должна была создать наиболее эффективноные условия для использования водио-земельннх ресурсов массива. Однако наряду о положи тельным эффектом произошло и нежелательные изменения эколого-мелиоративаных условий региона, заключающиеся в следующем: за 20 лет освоения не была достигнута проектная урожайность хлопчатника (1973 г. - 26,3 ц/га, 1978 г. - 27,8 ц/га, 1990. - 22,8 ц/га), начался ннтенсиный подаем УГВ (до орошения фунтовые воды залегали на глубине 5-15 м и более) в 1973 г. со 3-4 и/год, 1974 г. - 2,34 м/год, 1978 г. - 1,67 м/год, 1980 г. - 0,22 год, 1991г. - 0,12 м/год. К настоящему время 35-40%к орошаемой плошоды засолено. Увеличилась минерализация оросительной воды, минерализация и объем стока коллекторнодренажных вод. Внесение повешенной нормы минеральных удобрения, постесидов и ядохимикатов назвали загрязнение почв.
1. По многолетним статиотичеаким данным (1973-1991 гг.) проанализирована водохозяйственная деятельность в Каршинской степи. Выявлено, что к настоящее времени удельной водозабор составляет 8 тыс.м3 при КПД равным 0,56 (проектный 0,75), что недостаточно для хлопково-люцернового севооборота.
2. При уточнении водохозяйственного районирования всего бассейна реки Кашкадерья выделено три водохозяйст венных района.
Для каждого района составлен упрощенный водохозяйственный баланс и найдены корреляционные связи между объемами водозабора и возвратных вод для разработки математических моделей использования водах ресурсов.
3. Исследована эффективность субирригации и шявяены площади для ее эффекгивного применения. Предложен способ риулирования коллекторно-древахного стока при помощи специально разработанного устройства "Каскад". Предложена расчегные формулы для количественной оценки зоны подпоре грунтошх вод вблизи коллекторов и дрен, что дает возможность рассчитывать площади влияния регулирующих устройств я определить рациональные расстояния между ниш, а также разработать рекомендации по совращению ороси тельных норм в зонах субиррягации.
5. Выполнен прогноз водно-солевого режима орошаемых земель Каршинской степи, для чего использована многокомпонентная модель солепереноса. 11роведан» полевые исследования и лабораторные парамегра модели для рассматривавших условий. Выполненные по модели расчеты позволили обосновать величины оросительных норм (9,3 -11,1 тыс.м.нетто), обеспечивающие поддержание благоприятного водно-солевого режима почв при допустимых урошях грунтовых воя.
4. Для улучшения эколого-мелиоративного состояния орошаемых земель необходимо ciporo соблюдать мероприятия, включающие в оебя промывку засоленных земель, обоснованный водно-соленвыми прогнозами режим орошения, рациональную эксплуатацию коллектерно-дренажной сети, включая регулирование уровня в о ткры тых коллекторах для создания субирригации.
По теме диссертации автором опубликовано 22 работы, основные из которых следующие:
1. Исследование метола расчета критического уровня залегания фунтовых вод на орошаемых землях. Тезисы докладов Всесоюзной научно практической конференции молодых ученых по проблеме "Экологическое совершенствование мелиоративное систем" М.: ВВИИЬМ, 1989,0,04 п.л. (в соавторстве).
2. Критерий оценки мелиоративного состояния орошаемых земель. Журнал "Сельское хозяйство Узбекистана". Ташкент, 1989,
JS 6, ОД пл. (в соавторстве).
3. Некоторые проблему подземной гидросферы Кигабо-Шахрисабской иожгорной лядины, Тезисы докладов научно фаятлчеоной конференции молодых ученых и специалистов Средней Азии по экологическим проблемам бассейна Аральского моря. Нукус, 1992,0,04 п.л.(в соавторстве).
4. Рекомендации по стабилизации подземных вод бассейна реки Кашкадарья. Журнал "Сельское хозяйство Узбекистана". Ташкент, 1992, Л 8,9 0,22 ц.л. (в соавторстве).
5. Рекомендации по улучшению экодого-мелиора равного состояния орошаемых земель первой очереди Каршинской стели. М.:ВНИИГиМ, 1992, 1,36 пл. (в соавторстве).
6. Эколого-меляоретивное воздействие субирригации в аридной зоне. М.: Труды ВНИИГиМ, 1992,0,21 п.л. (в соавторстве).
7. Изменение гидрогеолого-мелиоративных условий под влиянием ирригационных систем. М.: НТК ШШ. 1992,0,04 пл.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время, в мире активно развивается физика полупроводников, где пристальное внимание уделяется получению нового типа материала на основе кремния, путем создания в его кристаллической решетке наноразмерных кластеров изменяющих его фундаментальные свойства. В этом аспекте важными задачами являются формирование многократно заряженных нанокластсров в кристаллической матрице кремния и открытие его перспективных функциональных возможностей, а также применение этого материала в микроэлектронике, материаловедении и других областях.
В мире на сегодняшний день уделяется большое внимание формированию нанокластсров в решетке кремния кратность заряда которых больше трех, приводящее к существенному изменению его фотоэлектрических и фундаментальных свойств. При этом одной из важных задач является проведение целевых научных исследований по следующим направлениям: формирование многократно заряженных кластеров в кристаллической решетке кремния; определение влияния многократно заряженных нанокластсров на перенос заряда в кремнии; изменение фотоэлектрических и фундаментальных свойств кремния путем формирования в нем многократно заряженных нанокластсров атомов марганца; демонстрация возможности создания нового типа полупроводниковых приборов на основе кремния с многократно заряженными нанокластерами.
В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан, особое внимание уделяется вопросам стимулирования научно-исследовательской и инновационной деятельности, создания эффективных механизмов внедрения научных и инновационных достижений в практику1. Особо следует отметить, что данная деятельность осуществляется в рамках объявленного Года поддержки активного предпринимательства, инновационных идей и технологий, нацеленного на получение научных результатов, отвечающих современным требованиям научного развития. В этом плане особое внимание уделяется вопросам формирования нанокластсров в кристаллической решетке кремния и развитию технологии получения новых материалов. В этом аспекте актуальной задачей является открытие новых функциональных возможностей кремния с нанокластсрами и создание на их основе нового типа фотоприемников и полупроводниковых приборов типа «счетчик фотонов».
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан № УП-4947 «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан на 2017-2021 гг.» от 7 февраля 2017 года, в Постановлениях Президента № ПП-2772 «О мерах по дальнейшему совершенствованию управления, ускоренному развитию и диверсификации электротехнической промышленности на 2017-2021 гг.» от 13 февраля 2017 года, № ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативноправовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является определение влияния формированных многозарядных нанокластсров, кратность заряда которых больше трех в кристаллической решетке кремния на фотоэлектрические и фундаментальные свойства материала.
Научная новизна исследования заключаются в следующем:
определены оптимальные термодинамические условия легирования и параметры исходного материала, обеспечивающие формирование многократно заряженных нанокластсров с управляемой кратностью заряда;
установлено, что в кремнии с многократно заряженными центрами подвижность носителей заряда увеличивается в зависимости от интенсивности освещения в 3+5 раза и электрического поля в 2,5 раза, обусловленное уменьшением кратности заряда многозарядных центров при освещении и ослабление эффекта рассеяния носителей заряда на многозарядных центрах;
обнаружен эффект расширения спектральной области фоточувствительности кремния до 10 мкм при температуре 100 К, что объясняется перестройкой энергетического состояния электронов в многократно заряженных нанокластсрах;
обнаружен эффект высокой фоточувствитсльности в области 0,12+0,75 эВ обусловленный формированием локальных нановаризонных структур вокруг многозарядного центра согласно теории Франца-Келдыша из-за появления сильной напряженности электрического поля на краях кремний-кластер;
определено уменьшение фотопроводимости с максимальной величиной при 0,43+0,55 эВ без освещения «собственным» светом, объясняющегося туннелированием электронов из кластера на уровни потенциальных ям дырок;
установлена аномально высокая примесная остаточная фотопроводимость в области спектра 0,15+0,4 эВ, обладающая большим временем релаксации 10J сек, которая обусловлена отсутствием рекомбинации между захваченными электронами в кластерах и дырок находящихся в потенциальных ямах.
Выводы
1.Получены образцы кремния с многозарядными нанокластсрами атомов марганца, наличие которых подтверждено с помощью метода ЭПР.
2.Обнаружено, что в кремнии с многозарядными нанокластсрами, подвижность дырок в 2,5+3 раза меньше чем в обычном кремнии и ее температурная зависимость имеет немонотонный характер, а значение существенно зависит от интенсивности освещения.
3.Экспериментально определено, что при изменении значения электрического поля, фоточувствительность образцов меняется как , где значение I с ростом температуры, постепенно уменьшается в интервале 2+3.
4.Обнаружена примесная фотопроводимость в области спектра 0,75+1,12 эВ, величина которой близка к собственной фотопроводимости, это связанно с появлением энергетической полосы (подзоны) вблизи валентной зоны кремния.
5.Обнаружено уменьшение фотопроводимости с максимальной глубиной при энергии падающего ИК-излучения /?v=0,43 эВ без фонового света.
б.Обнаружен эффект примесного очувствления обусловленный пространственным разделением электронов и дырок за счет захвата электронов сильным положительным электрическим полем многозарядных кластеров атомов марганца.
7. На основе анализа обнаруженных электрофизических и фотоэлектрических явлений разработана модель зонной структуры кремния с многократно заряженными нанокластсрами.
8. Показана возможность создания чувствительного фотоприемника инфракрасного излучения работающего в диапазоне 3+10 мкм. Присутствие в материале многозарядных центров позволяет существенно увеличить эффективность хранения зарядов и получить приборы типа «счетчик фотонов».

Объект исследования: монокристаллический кремний диаметром и толщиной (0 > 30мм, d > 3 мм), Si(Li) р-п , и p-i-n структуры с большим объемом чувствительной области.
Цель работы: исследование новых физических и технологических основ разработки и изготовления Si(Li) детекторов ядерного излучения на кристаллах с диаметром слитка до 100^-110 мм, толщиной Wj>5 мм.
Методы исследования: одно и четрехзондовые, электрофизические (ВАХ, ВФХ, ВШХ), радиометрические, и фазо-частотных измерения.
Полученные результаты и их новизна: показаны, физические особенности процесса диффузии ионов лития с учетом комплексообразования Li-О в p-Si большого диаметра; найдены новые физические механизмы литий-дрейфовой технологии на большие объемы монокристаллического кремния, показаны ранее неизвестные физические и технологические принципы создания универсального спектрометра телескопического системы, низкофоновой установки на основе Si(Li) p-i-n структуры с большим объемом чувствительной области; созданы методы, основанные на внешних воздействиях (УЗВ, импульсных электрических полей) развевающие новые фундаментальные знания в физики полупроводников.
Практическая значимость: детекторы ядерного излучения на
кремниевых пластинах диаметром до 110 мм не имеют мировых аналогов, и они открывают возможности решать широкий круг задач в науке и технике, геологии, металлургии, медицине, охрана окружающий среды и т.др.
Степень внедрения и экономическая эффективность: разработанные детекторы находят применение в НИИЯФ МГУ, х/д №01/04, 01/05 ИЯФАНРУз, НПО «Тайфун» Россия, АГМК, НГМК, Узгидромет, х/д №01/07 09 УзКТЖМ.
Область применения: исследование и разработанные кремнийлитиевые детекторы ядерного излучения больших объемов имеют перспективы в решении фундаментальных и прикладных задач в ядерной физике, а также металлургии, геологии, медицине, археологии, экологии и другие.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мире более ста научно-исследовательских организаций занимаются проблемами связанных с распространением волн в упругих и вязкоупругих средах. В связи с работой современных конструкций машин и аппаратов в условиях различных квазистатических и динамических напряжений, для обеспечения их прочности и для снижения напряжённо-деформированного состояния каждый год расходуется около 3 миллиардов долларов США. Для снижения динамических напряжений и деформаций образующихся в упругих и вязко-упругих элементах являющихся составной частью конструкций, необходимо знать динамику распространения волн в них. Глобализация и интенсивности процесса обмена информаций требует применения современных средств в конструкциях.
Со времён приобретения независимости нашей республики уделяется особое внимание материалам применяемым в отрасли машиностроения, в том числе уделяется особое внимание повышению прочности многослойных пластинчатых и цилиндрических оболочек, имеющих сложные физические свойства. В этом отношении был достигнут значительный результат в области решения динамических задач с учетом вязкоупругих свойств материалов. В частности, спроектированы и разработаны детали, со свойствами позволяющих устойчивые параметры для снижения вибрации в материалах деталях применяемых в машиностроении.
В мировой практике имеет важную научно-практическую значимость повышение прочности деталей и устройств со снижением негативных последствий микровибраций возникающих в процессе распространения волн. Создание методики изучения свойств распространения волн в пластинчатых и цилиндрических упруго-вязких оболочках, сопряженных с внешней средой из-за широкого применения современной техники и технологий для конструкционных материалов с редким физическим и механическим свойствами, считается актуальной задачей.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан №УП 3080 от 30 мая 2002 года «О дальнейшем развитии компьютеризации и внедрении информационно-коммуникационных технологий» и постановлении Кабинета Министров Республики Узбекистан №200 от 6 июня 2002 года «О дальнейшем развитии компьютеризации и внедрении информационно-коммуникационных технологий», а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является развитие теории свойств распространения волн в сопряженных со средой длинных пластинчатых и цилиндрических упруго-вязких оболочках и усовершенствование теоретических основ.
Научная новизна диссертационного исследования заключается в следующем:
- разработаны методы решения спектральной задачи приводящие к обыкновенным однородным дифференциальным уравнениям с комплексными коэффициентами первого порядка;
-разработаны методы характеризующие гашения волн по системе в диссипативной механической системе;
-определено что , при колебаниях диссипативно неоднородной вязкоупругой цилиндрической оболочке с вязкой жидкостью её диссипативные процессы протекают тем интенсивные, чем ближе собственные частоты и локализации амплитуд колебаний вблизи оболочки;
-определено, что значимость фазовых скоростей волн в вязкоупругой среде (действительных частей комплексных фазовых скоростей) по сравнению со скоростью в упругой среде уменьшается на 10-15%.
Заключение
1. Разработаны методика, алгоритм и программа решения задач распространения гармонических волн в слоистых плоских и цилиндрических диссипативно однородных или неоднородных телах, связанных (или не связанных) со средой. Это служит в качестве программы изучения динамики распространения волн в диссипативных механических системах.
2. Выявлено, что коэффициент демпфирования от волнового числа в диссипативных механических системах выражается немонотонными функциями, что необходимо для обеспечения прочности материалов и произведении расчетов конструкций.
3. Введен глобальный коэффициент демпфирования (ГКД) для исследования диссипативных особенностей механических систем. Данные параметры характеризуются системной диссипацией энергии в механических системах.
4. Определено, что учет вязких свойств материала уменьшает до 15% действительную часть комплексных фазовых скоростей. Это служит повышению уровня точности параметров процесса распространения волн.
5. Для исследования резонансных амплитуд введено понятие «глобальные резонансные амплитуды» (ГРА) и с помощью численных экспериментов обоснована её физическая сущность, что послужит спектральному анализу резонансных зон.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мире на сегодня в бурно развивающемся направлении физики магнетизма одним из перспективных направлений является воздействие на доменную структуру магнетиков, предназначенных для применения в компьютерных и телекоммуникационных системах, робототехнике. В этом аспекте с целью расширения их функциональных свойств, проведение фундаментальных исследований по выявлению механизмов формирования магнитных характеристик и физических процессов в редкоземельных ферритах-гранатах, является одним из важнейших задач.
В последние годы в мире внимание уделяется на изменение и управление доменными структурами ферро- и ферримагнетиков воздействием внешних факторов. В тоже время требует изучения следующие аспекты: изучение изменения доменной структуры при ориентационном фазовом переходе; магнитооптических характеристик при изменении доменной структуры; изменения вектора спонтанной намагниченности кристаллов указывает на актуальность темы данной диссертации.
В годы независимости учеными нашей республики большое внимание уделяется применению и изучению магнитооптических и воздействию на доменную структуру магнетиков. В этом направлении в изучении магнитных свойств, магнитооптических характеристик и доменных структур ферримагнетиков, а также их применению в микроэлектронных устройствах различного назначения получены ощутимые результаты. В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан, является наиболее важным обратить особое внимание на разработку эффективных механизмов внедрения достижений научных исследований, в этом аспекте повышение эффективности отрасли микроэлектротехники путем применения результатов исследований физических процессов протекающих в полупроводниковых приборах имеет важное значение.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных Указе Президента № УП-4947 «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан» от 7 февраля 2017 года и в Постановлениях Президента № ПП-2772 «О мерах по дальнейшему совершенствованию управления, ускоренному развитию и диверсификации электротехнической промышленности на 2017 - 2021 гг.» от 13 февраля 2017 года и № ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является получение новых экспериментальных результатов по спонтанным и индуцированным внешними воздействиями фазовым превращениям в магнитоупорядоченных кристаллах, а также развитие на их основе положений существующей термодинамической теории магнитных ориентационных фазовых переходов.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
впервые проведены прямые визуальные наблюдения эволюции доменной структуры феррита-граната ТЬо.2бУ2.74Ғе50|2 при спонтанной переориентации направления оси легкого намагничивания, и показано, что вблизи температуры исследованного фазового перехода магнитооптическая восприимчивость кристалла имеет узкий резкий максимум, а коэрцитивная сила - уменьшается;
предложена модель перестройки доменной структуры феррита-граната ТЬо.2б¥2,74Ғе5012 в температурной области спонтанной переориентации оси легкого намагничивания, позволяющая непротиворечиво описать всю совокупность полученных экспериментальных результатов;
впервые выполнены экспериментальные исследования магнитного ориентационного фазового перехода, индуцированном двуосными механическими напряжениями в кубическом ферримагнетике;
развита феноменологическая теория индуцированного механическими напряжениями ориентационного фазового перехода в РЗФГ.
Заключение
На основе полученных новых экспериментальных данных спонтанных и индуцированных внешними воздействиями фазовыми переходами магнитоупорядоченных кристаллов, существующей термодинамической теории магнитных ориентационных фазовых переходов представлены следующие выводы:
1. Показано, что доменная структура образцов феррита-граната Tb0.26Y2.74Fe5Oi2, имеющих разную кристаллографическую ориентацию, как направление доменных границ, так и тип реализующейся доменной конфигурации существенно зависят от присутствия в кристалле механических напряжений.
2. Предложена модель доменной структуры образцов исследованного кристалла, имеющих вид плоскопараллельной пластинки, развитые поверхности которых параллельны кристаллографическим плоскостям (111) и (110).
3. Впервые показано, что при спонтанной переориентации направления оси легкого намагничивания, сосуществуют домены низкотемпературной и высокотемпературной магнитных фаз, а перестройка доменной конфигурации кристалла сопровождается заметным температурным гистерезисом.
4. Показано, что вблизи температуры исследованного фазового перехода магнитооптическая восприимчивость кристалла имеет узкий резкий максимум, а коэрцитивная сила - уменьшается.
5. Предложен оригинальный метод создания в кристалле неоднородных механических напряжений заданной симметрии, позволяющий проводить исследования влияния упругих деформаций кристаллической решетки на магнитное состояние и процесс технического намагничивания магнитоупорядоченных кристаллов.
6. Впервые установлено, что в двуосно напряженном кубическом ферримагнетике Ho06Y24Fe5O12, магнитный ориентационный фазовый переход I - ого рода и сопровождается заметным гистерезисом.
7. На основе термодинамического потенциала двуосно напряженного кубического кристалла развита феноменологическая теория исследованного ориентационного фазового перехода.
8. Переориентация направления спонтанного магнитного момента кубического кристалла под действием механических напряжений происходит как фазовый переход либо I - ого (переориентация оси легкого намагничивания происходит скачком), либо II - ого рода (ось легкого намагничивания плавно меняет свое направление от одной кристаллографии-ческой оси к другой).

Объекты исследования: изготовление детекторных Si(Li) p-i-n и aSi-Si(Li) структур больших размеров.
Цель работы: исследование особенностей формирования
высокоэффективных детекторных структур больших размеров с оптимальными электрофизическими и радиометрическими свойствами, а также изучения новых физических механизмов, влияющих на формирование амплитуды энергетических спектров в них.
Методы исследования: методы исследования вольтамперных и вольтфарадных характеристик детекторных структур; метод исследования особенности фотонапряжения в неоднородных участках чувствительной области Si(Li) p-i-n структур, а также структурные исследования границы раздела aSi-Si(Li).
Полученные результаты и их новизна: -разработаны физикотехнологические способы формирования оптимальных свойств электрофизических характеристик и параметров радиометрических свойств ППД на основе Si(Li) p-i-n структур и aSi-Si(Li) гетероструктур больших размеров; -на основе исследовании релаксационных процессов фотопроводимости в Si(Li) p-i-n структурах, выявлено, что на отдельных участках этой области, на временной зависимости импульса фотонапряжения после соответствующего фотовозбуждения наблюдается ярко выраженная «яма»; -на основе проведенных аналитических расчетов траектории движения носителей заряда в i - области Si(Li) p-i-n структур с учетом влияния на этот процесс неоднородности потенциального поля в нем, показано, что при таких условиях электроны и дырки, генерированные в результате ионизации атомов ядерным излучением, перемещаются более длинной траекторией по направлению электрического поля в чувствительной области ППД.
Практическая значимость: полученные детекторные структуры Si(Li) p-i-n, aSi-Si(Li) больших размеров имеют значения для понимания физических процессов для различных полупроводниковых приборов больших размеров, а также практические значения для совершенствования их характеристик.
Степень внедрения и экономическая эффективность: результаты исследований нашли применение в оптимизации свойств Si(Li) ППД при выполнении х/договорных работ с ОАО «УзКТЖМ”, ОАО «Узбекхимаш”, с общим финансированием ~20 млн.сум.
Область применения: исследованные детекторные структуры, имеют перспективы в решении фундаментальных и прикладных задач ядерной физики.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время в мире в области динамично развивающейся физической электроники одним из важных физических проблем является определение возможных механизмов, наблюдаемых в процессах взаимодействия заряженных частиц с поверхностью твердого тела и их нанопленками, а также разработка материалов обладающих определенными физическими свойствами для устройств наноэлектроники, микроэлектроники. С этой точки зрения изучение электронных процессов в тонких поли- и монокристаллических пленках считается одним из важнейших задач.
В годы независимости в нашей стране в области эффективного развития физической электроники большое внимание уделено имеющим фундаментальное значение исследованиям включающим физико-химические явления и процессы в различных типах электронных приборов. В этом отношении в прикладной области по укреплению базы новыми качественными материалами обладающих заданными электрофизическими свойствами, усовершенствовании технологии их получения, а также по повышению качества путем внедрения дополнительных элементов в кристалл отвечающих современным требованиям достигнуты существенные результаты. На основе Стратегии действий дальнейшего развития Республики Узбекистан является наиболее важным, дальнейшие развитие отрасли микроэлектроники на основе фундаментальных исследований в области нанофизики за счет разработки новых технологий.
В настоящее время в мире совершенствование технологии получения нанопленок твердых веществ, а также уменьшение дефектов в них, улучшение качественных показателей нанопленок имеет важное значение. В этом отношении целенаправленные научные исследования, в том числе выполнение научных поисков по нижеследующим направлениям являются важными задачами: усовершенствование установок по получению тонких пленок, теоретическое моделирование полученных практических результатов по химическим связям, создание модели кристаллической решетки при присутствии примесных атомов кислорода и углерода, образующихся при термической обработке молибдена и вольфрама, применение на практике спектров дисперсии потери энергии электронами при отражении от тонких свободных пленок меди и серебра и прохождении через них. Научные поиски выполненные по выше приведенным направлениям обосновывают актуальность и востребованность темы данной диссертации.
Данная научно-исследовательская работа соответствует задачам обозначенных в Постановлении Президента Республики Узбекистан «О приоритетах развития промышленности Республики Узбекистан в 2011-2015 годах» от 15.12.2010 г. за № ПП-1442, Постановлении «О мероприятиях организации деятельности Академии наук, научно-исследовательских работ, управление и усовершенствование финансирования» от 17.02.2017г. за №ПП-2789 и определенной мере будет служить для выполнения поставленных задач.
Целью исследования является выявление ориентационных эффектов, происходящих в процессах взаимодействии заряженных частиц с кристаллами различной природы, определение место локализации примесных атомов и развитии методов диагностики поверхности.
Научная новизна исследования состоит в следующем:
впервые обнаружено появление дополнительных оже-пиков вблизи оже линий L2.3VV в ионных оже-спектрах хорошо очищенных монокристаллов Mo, W, Si, Си и А1, что объясняется частичным образованием их окислов;
установлена октаэдрическая позиция атомов кислорода и углерода, расположенных в междоузелях кристаллической решётки в приповерхностных слоях Мо(ЮО) и W(100), а также при бомбардировке монокристаллов W, А1 и Si электронами и ионами в одинаковых условиях обнаружено уменьшение интенсивности, увеличение полуширины, изменение энергетического положения основного оже-пика, что объясняется образованием квазимолекулы;
в исследуемой области энергий пучка ионов Ео=5-4ОкэВ обнаружена тонкая структура энергетического распределения, обусловленная одновременным вкладом ионов, испытавших осевое, плоскостное каналирование и беспорядочное прохождение через монокристаллические свободные пленки Си и Ag;
определена зависимость потери энергии ионами при каналировании через монокристаллические нанопленки от полярного и азимутального угла, и эти потери четыре раза меньше, относительно поликристалла, ионная имплантация аморфизирует кристаллическую решетку и в спектре с тонкой структурой сначала сглаживается максимум, обусловленный осевым, а затем плоскостным каналированием ионов;
разработана простая осцилляторная модель диэлектрической проницаемости расчета функции и алгоритм вычисления спектров характеристических потерь энергии электронами, при этом расход энергии на возбуждение объемного плазмона при отражении электронов больше, чем при их прохождении;
установлено, что переход материалов из кристаллического состояния в аморфное увеличивает вероятность электрон-фононных взаимодействий, а деформация функции распределения плотности электронных состояний приводит к большей потере энергии электронами;
впервые предложена и реализована методика оценки степени аморфизации поверхностных слоев тонких свободных пленок металлов при ионной бомбардировке.
Заключение
1. Усовершенствованы экспериментальные установки и методов исследований: сверхвысоковакуумный универсальный электронный и ионный малоугловой спектрометр, вторично-ионный масс-сп ктрометр, установки для получения тонких свободных пленок металлов.
2. На основе сравнительного анализа Оже-спектров, полученных при ионной и электронной бомбардировке монокристаллов W, Si и А1 впервые обнаружено раздвоение основного L2.3VV пика в ионных оже-спектрах А1 и Si, которое объясняется образованием окислов при локальном нагреве отдельных участков поверхности под действием бомбардирующих ионов.
3. Впервые с использованием ориентационных и угловых зависимостей Оже-спектров определены местоположения атомов примесных элементов О, С в кристаллической решетке монокристаллов, которые образуют соединения типа МоО, MoOz, WO, WO2 в октаэдрических позициях 4 '4 0.
4. Развита теория плазмонных возбуждений и установлено, что в переходных металлах структура спектров характеристических потерь энергии электронами обусловлена не только плазмонным возбуждением валентных электронов, но и особенностью зонной структуры, связанных с электронными межзонными переходами вида d-p и d-f, внутризонными переходами типа d-d, а также обнаружена анизотропия потерь энергии электронами, прошедшими через монокристаллические пленки Си и Ag в зависимости от ориентации кристалла.
5. В энергетическом спектре ионов (Ео= 10-30 кэВ), прошедших через тонкие монокристалличекие пленки меди обнаружены три четко выраженных максимума, которые объясняются эффектами осевого и плоскостного каналирования, а также беспорядочным прохождением ионов через кристалл, установлена взаимосвязь между структурой кристалла и структурой углового и энергетического распределений прошедших ионов.
6. Установлено, что при одинаковых условиях бомбардировки разупорядочение поверхности зависит не только от концентрации внедренной примеси, но от массы, энергии и радиуса ионов, а также определена зависимость потери энергии каналированных и неканалированных ионов от массы, энергии и радиуса бомбардирующих ионов, что важно для идентификации столкновительных процессов частиц вблизи поверхности.
7. Для описания структуры спектров характеристических потерь энергии предложен преобразованный вариант осцилляторной модели диэлектрической проницаемости, а также критерий коррелирован пости дисперсионных кривых, полученных квантомеханическим способом и с использованием спектров Си, Ag, Si и Gc.
8. Обнаружено, что энергия возбуждения объемных плазмонных потерь электронов прошедших через и отраженных от поверхности свободных тонких пленок отличается на 1-1,5 эВ, что обусловлено особенностями процессов возбуждения в различных геометриях опыта, определена значение hcopv аморфизированной пленки на 1-2 эВ больше, чем для монокристаллической пленки, находящейся в условиях реализации эффекта каналирования электронов.
9. Впервые по изменению интенсивности упругого пика электронов, прошедших через тонкие пленки Си(ЮО), оценена степень аморфизации поверхности и площадь разупорядоченного слоя, в частности при Eq=0.5 кэВ и Д=1015 см-2 происходит разупорядочение 35-40% облученной ионами поверхности, при этом толщина разупорядоченного слоя составляет 60-80А.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мире ведущую роль играют исследования, направленные на сокращение расхода энергоресурсов при производстве, передаче и распределении электроэнергии. Уплотнение графика нагрузки улучшает технико-экономические показатели производства электроэнергии и дает возможность обеспечения новых потребителей электроэнергией без строительства дополнительных электростанций. «В развитых странах признано, что мероприятия по выравниванию графиков нагрузок в условиях максимальной нагрузки требуют в 3 раза меньше затрат, чем ввод в эксплуатацию новых станций»1. В этом отношении исследования, направленные на повышение энергоэффективности посредством оптимального управления графиками нагрузок регулируемых электропотребителей при планировании краткосрочных режимов энергосистем, имеют важное значение.
В мире особое внимание уделяется разработке математических моделей и алгоритмов решения задач определения рациональных электрических нагрузок потребителей для обеспечения оптимальных режимов работ самих электроэнергетических систем. В этом направлении, в частности, уделяется особое внимание научно-исследовательским работам, нацеленным на разработку алгоритмов планирования краткосрочных режимов энергосистем с учетом оптимального управления нагрузок электропотребителей, оптимизацию при этом потоков мощностей между системами, входящими в межгосударственные энергобъединения, учету электростанций с ограниченным запасом первичных энергоресурсов и сетевого фактора.
В настоящее время в нашей республике особое внимание обращается на качественное развитие энергетической отрасли и повышение техникотехнологического уровня отрасли на основе современных требований. В этом направлении, в частности, ведутся работы по разработке необходимых алгоритмов расчета для планирования краткосрочных режимов энергосистем, эффективных по экономичности, надежности и качеству. Вместе с тем одной из важных задач является ведение научно-исследовательских работ, направленных на создание алгоритмов уменьшения расходов топлива за счет оптимизации нагрузок регулируемых потребителей при планировании краткосрочных режимов энергосистем. В Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан на 2017-2021 годы предусмотрено «...сокращение энергоемкости и ресурсоемкое™ экономики, широкое внедрение в производство энергосберегающих технологий, расширение использования возобновляемых источников энергии, повышение производительности труда в отраслях экономики...»2. Одной из актуальных проблем в выполнении этих задач является разработка эффективных алгоритмов оптимизации нагрузок потребителей и потоков мощностей между системами в межгосударственных энергообъединениях, учету при этом станций с ограниченным запасом первичных энергоресурсов и сетевого фактора.
Данное диссертационное исследование служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан №УП-4947 от 7 февраля 2017 года «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан», Постановлениях Президента Республики Узбекистан №ПП-2343 от 5 мая 2015 года «О Программе мер по сокращению энергоемкости, внедрению энергосберегающих технологий в отраслях экономики и социальной сфере на 2015-2019 годы» и №ПП-3012 от 26 мая 2017 года «О программе мер по дальнейшему развитию возобновляемой энергетики, повышению энергоэффективности в отраслях экономики и социальной сфере на 2017-2021 годы», а также в других нормативноправовых документах, принятых в данной области.
Цель исследования заключается в разработке математической модели и алгоритмов решения задач оптимального планирования краткосрочных режимов энергосистем с управлением нагрузкой электропотребителей и учетом режимных и технологических ограничений.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
разработана математическая модель задачи оптимизации нагрузок электропотребителей при планировании краткосрочных режимов энергосистем;
разработан алгоритм оптимального планирования краткосрочных режимов энергосистем с управлением нагрузкой электропотребителей и учетом режимных и технологических ограничений;
создан алгоритм учета электростанций с ограниченным запасом первичных энергоресурсов при оптимальном планировании краткосрочных режимов энергосистем;
разработан алгоритм учета сетевого фактора при оптимальном управлении нагрузкой электропотребителей.
Заключение
Обобщая результаты исследований, относящиеся к данной диссертации, можно сделать следующие выводы:
1. На основе исследования существующих положений разработана математическая модель задачи оптимизации нагрузок регулируемых электропотребителей при оптимальном планировании краткосрочных режимов энергосистем. В результате создана возможность математического описания задачи оптимального режима энергосистемы в условиях управления нагрузкой электропотребителей с высокой точностью.
2. На основе градиентного метода оптимизации разработаны алгоритм и программа оптимального планирования краткосрочных режимов энергосистем с управлением нагрузкой электропотребителей. В результате создана возможность определения оптимальных нагрузок расчетных электростанций и регулируемых электропотребителей с учетом режимных и технологических ограничений и обеспечения на их основе эффективных режимов работ энергосистем в допустимой области.
3. Разработан алгоритм оптимизации перетоков мощностей по мсжсистсмным линиям электропередачи при планировании краткосрочных режимов энергосистем, входящих в межгосударственные энергообъединения. В результате создана возможность определения оптимальных потоков мощностей по межсистемным линиям, выгодных для обеих энергосистем.
4. Созданы математическая модель задачи и алгоритм учета электростанций с ограниченным запасом первичных энергоресурсов. Результаты дали возможность определения и обеспечения экономичных режимов работ энергосистем, содержащих станции с ограниченным запасом первичных энергоресурсов.
5. Предложен алгоритм оптимизации режимов энергосистем с учетом простых и функциональных ограничений в виде неравенств в условиях вероятностного характера исходной узловой информации. В результате создана возможность оптимизации с высокой точностью краткосрочных режимов энергосистем с учетом ограничений в виде неравенств в условиях вероятностного характера нагрузок электропотребителей.
6. На основе усовершенствования существующих алгоритмов разработаны эффективный алгоритм и программа учета сетевого фактора при оптимальном планировании краткосрочных режимов энергосистем с управлением нагрузкой электропотребителей, основанные на перестройку зависимостей относительных приростов потерь от мощностей узлов с расчетными станциями и регулируемыми электропотребителями. В результате создана возможность определения оптимальных краткосрочных режимов энергосистем с учетом сетевого фактора в условиях управления нагрузкой электропотребителей.
7. Результаты исследования внедрены в Национальном диспетчерском центре АО «Узбекэнерго» для оптимального планирования суточных режимов энергосистем с управлением нагрузкой регулируемых электропотребителей. В результате научных исследований создана возможность сбережения 63,6 тонн условного топлива за сутки.
Общий экономический эффект от внедрения математической модели и алгоритма решения задачи оптимального управления нагрузками регулируемых электропотребителей составил 146 млн. сумов за квартал.

Объекты исследования: сверхрешетки на основе GaAs с прямоугольной квантовой ямой и с квантовой ямой с наклонным дном, а также объемные кристаллы CdS и CuCl.
Цель работы: создание теории оптико-деформационного взаимодействия в объемных кристаллах и сверхрешетках с различными типами квантовых ям вблизи экситонных и межзонных резонансов.
Методы исследования: методы последовательных приближений, теории возмущений, вариационные методы, стандартная методика матрицы плотности и впервые разработанная методика матрицы плотности для переменного числа квазичастиц.
Полученные результаты и их новизна: построена обобщенная методика нахождения резонансных ДП и КФ в сверхрешетках с учетом ширины QW и в сверхрешетках с наклонным дном QW вблизи частот модифицированных экситонных резонансов. Показано существенное увеличение ДП и КФ, связанное как с локализацией экситона в QW, так и с увеличением ПМУ экситонов в сверхрешетке. Показано, что систему невзаимодействующих электрона и дырки, находящихся в сверхрешетке в слое, составляющем QW, можно рассматривать как экситоноподобный осциллятор. Впервые показано, что локализация экситона в квантовой яме приводит к существенному увеличению диэлектрической проницаемости и коэффициента фотоупругости вблизи экситонных и межзонных резонансов.
Научная и практическая значимость: построена общая теория оптикодеформационных свойств объемных и низкоразмерных структур для частотной области экситонных и межзонных резонансов. Результаты исследования расширяют круг знаний о чувствительности оптических параметров полупроводниковых кристаллов к деформационному возмущению. На основе этих результатов могут быть созданы новые типы акустооптических устройств, работающие в частотной области экситонных и межзонных резонансов и обладающие значительно меньшей управляющей мощностью и большей чувствительностью к внешнему звуковому сигналу.
Степень внедрения и экономическая эффективность: полученные результаты могут использоваться при разработке нового типа приборов для быстродействующего и неконтактного управления оптическим излучением (дефлекторов, модуляторов, акустооптических фильтров и др.), а также при чтении спецкурсов на кафедрах нанотехнологий в ВУЗах.
Область применения: нанотехнологии, акустооптика, оптоэлектроника.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В мире на сегодня одному из наиболее достоверных, чувствительных и информативных оптических методов исследования полупроводников и полупроводниковых пленочных структур - анализу их спектров фотолюминесценции в области фотоники и оптоэлектроники уделяется особое внимание. В этом аспекте особо важными задачами являются глубокое исследование спектров низкотемпературной фотолюминесценции кристаллов CdTe и прогнозирование свойств полупроводниковых структур на их основе, анализ спектров экситонной люминесценции (ЭЛ), позволяющее получить самую тонкую информацию о дефектах полупроводникового материала, точный количественный расчет их с учетом поляритонного эффекта и реального экситонного затухания.
В последние время большое внимание обращено исследованиям роли межзеренных границ в формировании физических свойств крупнозернистого CdTe методами микрофотолюминесцентного зондирования, изучению примесно-дефектного состава приграничных и внутренних областей монокристаллических зерен с размерами 1-2 лш. В этой сфере важными задачами являются проведение научных исследований по следующим направлениям: создание надежного оптического метода контроля и диагностики кристаллических полупроводниковых материалов; разработка эффективной технологии получения тонких мелкозернистых пленок с фотовльтаическими свойствами и изучение их электрофизических, оптических и фотоэлектрических параметров; разработка метода анализа НТФЛ чистых и легированных тонких поликристаллических пленок с целью выяснения роли фоточувствительных областей и примесных центров в формировании их оптических и фотоэлектрических свойств.
В годы независимости существенное внимание уделено актуальным приоритетным научным направлениям фундаментальных и прикладных исследований. В этом направлении по получению монокристаллов CdTe и легированных тонких поликристаллических пленок достигнуты существенные результаты. Согласно Стратегии действия по дальнейшему развитию Республики Узбекистан, особое внимание обращено задачам создания эффективных механизмов практического применения научных и инновационных достижений. В этом аспекте очень важным является усовершенствование методов глубокого теоретического исследования оптических параметров полупроводников и тонкопленочных полупроводниковых структур в области фотонике и оптоэлектроники. Данная диссертация посвящена теоретическому и экспериментальному изучению новых механизмов формирования спектров НТФЛ (Т«4,2 К) кристалла CdTe, а также тонких поликристаллических пленок чистой CdTe и легированной CdTe.In, результаты исследования которых служат для усовершенствования технологии создания детекторов ионизирующих излучений, эффективных источников света, высоковольтных фотогенераторов и других аналогичных оптоэлектронных приборов.
Настоящее диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан № УП^947 «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан» от 7 февраля 2017 года и в Постановлениях Президента № ПП-2772 «О мерах подалнейшему совершенствованию управления, ускоренному развитию и диверсификации электротехнической промышленности на 2017-2021 гг.» от 13 фефраля 2017 года и № ПП-2789 «О мерах по далнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организации, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других аналогичных нормативно-правовых документах, принятих в данной сфере.
Целью исследования является определение механизмов формирования спектров экситонной люминесценции монокристаллов CdTe и низкотемпературной фотолюминесценции чистых CdTey легированных CdTe.In тонких мелкозернистых пленок.
Научная новизна исследования заключаются в следующем:
разработан механизм формирования поляритонной люминесценции полупроводниковых кристаллов типа теллурида кадмия с небольшим значением продольно-поперечного расщепления при конечных
затуханиях механических экситонов;
определена тонкая структура спектров поляритонной люминесценции кристаллов теллурида кадмия и динамика изменения их формы в условиях аномальной дисперсии в окрестности экситонного резонанса Ля=1, где нарушается критерии применимости кинетического уравнения Больцмана для функции распределения поляритонов;
показано, что резкое увеличение тока короткого замыкания легированнных индием структур теллурида кадмия связаны термополевой миграцией ионов ЬГ‘ и вакансий кадмия во внутрикристаллических асимметричных электростатических полях границы зерен, и их самокомпенсацией;
установлено, что экситонный эффект Штарка и процесс генерации фото- ЭДС в приграничных барьерных областях кристаллических зерен мелкозернистых пленок CdTe, CdTe-.In приводит к формированию спектров низкотемпературной фотолюминесценции, сильно отличающихся от монокристаллов и крупноблочных поликристаллов;
впервые обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной фотолюминесценции и фотовольтаическими свойствами мелкозернистых поликристаллических пленок CdTe, CdTe: In.
Заключение
На основе результатов определения механизмов формирования спектров экситонной люминесценции монокристаллов CdTe и низкотемпературной фотолюминесценции чистых CdTe, легированных CdTe:In тонких мелкозернистых пленок сделаны следующие выводы:
1. Согласно предложенной модели формирования ПЛ кристаллов типа CdTe излучающие квантовые состояния поляритонов в окрестности экситонного резонанса An=i заселяются за счет рассеяния поляритонов нижней ветви 1 из области to>(oL с достаточно большими к и показано, что в ПЛ дают вклады упруго рассеянные на примесях поляритонные волны с верхними 2 и нижними 1 дисперсионными ветвями, а также их интерференция.
2. Разработан микроскопический метод расчета парциальных спектров ПЛ кристаллов типа CdTe при конечных значениях hr с использованием диаграммной техники Келдыша для функции Грина экситонов, справедливый и в случаях, когда нарушается критерии применимости кинетического уравнения Больцмана для функции распределения поляритонов.
3. Показано, что теоретический спектр ПЛ кристаллов CdTe, в соответствии с экспериментальным спектром, при значениях hr < 0.6 мэВ обнаруживает асимметричную дублетную тонкую структуру с максимумами в окрестностях частот а)0 (Ло-линия) и coL (AL -линия), а при Г>ГС-синглетную линию с максимумом вблизи частоты ю0, причем для случаев Г»ГС контур этой линии приобретает лоренцевский вид, что отражает полное подавление поляритонного эффекта сильным экситонным затуханием.
4. Разработан способ получения фотовольтаической пленки путем вакуумного испарения теллурида кадмия в количестве 95 мае. % и легирующей примеси индия - 5 мае. % из различных тиглей. Согласно этому способу напыление примеси индия задерживают на 2-3 мин и прекращают на 3-5.чин раньше, чем напыление теллурида кадмия, а термическую обработку проводят в атмосферном воздухе в присутствии насыщенных паров хлорида кадмия при температуре 250 °C в течение 2-4 мин.
5. Показано, что фотонапряжение, генерируемое оптимально отожженной пленкой CdTe:In (2+4 103 В) при комнатной температуре под действием света лампы накаливания с интенсивностью L-IO4 лк на порядок, а фототок короткого замыкания на два порядка больше, чем у нелегированных образцов, а за стимулирование фотовольтаических свойств пленок CdTe:In ответственны термополевая миграция ионов 1п+‘ и вакансий кадмия У cd во внутрикристаллических асимметричных полях границы зерен,
и их самокомпенсация.
6. В спектрах НТФЛ мелкозернистых пленок CdTe при возбуждении на длине волны Л = 476,6 ни светом непрерывного газоразрядного АС -лазера впервые была обнаружена фундаментальная полоса излучения с полушириной ДА ~ 10э-20.иэВ (Л-линия) и её LO - и 1LO - фононные повторения.
7. Обнаружен эффект коротковолнового смещения красной границы А-
линии, обусловленной е- h -рекомбинацией разделенных электрическим полем приграничной ООЗ горячих фотоносителей и показано, что значения смещения Д£„ и спектральная полуширина Дл пропорциональны и зависят от частоты, интенсивности освещения и структурных дефектов пленки.
8. Установлено, что в спектрах НТФЛ мелкозернистых пленок CdTe, CdTe: In с фотовольтаическим свойством в отличие от монокристаллов и крупноблочных поликристаллов не проявляется экситонный и ДАП- каналы излучения, причиной которого является процесс генерации фото - ЭДС в приграничных областях кристаллических зерен, приводящий к стимулированию собственной люминесценции и возгоранию её LO-повторений в чистых образцах.
9. Обнаружена корреляция между спектром НТФЛ и фотовольтаическими свойствами пленок CdTe, CdTe: In. Выявлено, что в спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных барьеров на границах зерен, легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы, а дальнейшая термическая обработка - к резкой активации собственной полосы, полуширина которой связана с максимальным значением фотонапряжения Улф„.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время во всём мире одной из важных физических проблем в стремительно развивающемся направлении нано и оптоэлектроники является разработка методов спектроскопии поверхностных и объемных дефектов в многослойных кремниевых структурах и контролируемого управления распределением примесей в легированных полупроводниках, особенно с глубокими уровнями, такими как переходные и редкоземельные элементы в объеме кристаллов, используемых в полупроводниковых приборах, предназначенных для применения в переключающих и обладающих бистабильными свойствами устройствах.
В годы независимости учеными нашей страны осуществлены широкомасштабные комплексные меры по получению нового класса полупроводниковых материалов путем легирования полупроводникового материала примесями, создающими глубокие энергетические уровни и достигнуты определенные результаты. В этом направлении созданы новые способы диффузии редкоземельных и переходных элементов никеля и марганца в кремний, усовершенствована технология получения нанокластерных материалов, при этом можно особо отметить достигнутые значительные успехи по получению фоточувствительных и магниточувствительных структур на основе кремния легированного переходными металлами.
В соответствии со “Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан” является наиболее важным повышение эффективности отрасли наноэлектроники на основе теоретических и практических исследований в области физики полупроводников за счет внедрения инновационных технологий.
Во всём мире на сегодня изучение неравновесных процессов в кремнии, легированном нетрадиционными примесями открывает возможность повышения воспроизводимости, срока службы и надежности полупроводниковых приборов. В связи с этим изучение процессов взаимодействия нетрадиционных примесей между собой и с неконтролируемыми примесями, в частности, реализация научных исследований в следующих направлениях считается одной из важных задач: исследование электрофизических и оптических свойств кремния, легированного НП; изучение взаимодействия атомов НП с ростовыми примесями (кислородом) в кремнии; изучение физических процессов, происходящих в объеме диэлектрика, полупроводника, на границе их раздела и в переходном слое Si - SiCh; изучение влияния внешних факторов (облучения, температуры и др.) на свойства кремния и кремниевых многослойных структур типа металл-диэлектрик-полупроводник (МДП); исследование влияния некоторых глубоких примесей - V, Ni, Sm и Gd на свойства кремниевых МДП-структур. Научно-исследовательские работы, проводимые в указанных направлениях, указывают на актуальность темы данной диссертации.
Настоящая научно-исследовательская работа в определенной степени служит выполнению задач по повышению конкурентоспособности изделий электронной техники, отмеченных в постановлении Президента Республики Узбекистан ПП-1442 «О приоритетах развития промышленности Республики Узбекистан в 2011 - 2015 годах» от 15 декабря 2010 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является изучение процессов дефектообра-зования в кремнии, легированном нетрадиционными примесями - переходными и редкоземельными элементами, а также исследование влияния этих примесей на свойства кремниевых МДП-структур.
Научная новизна диссертационного исследования: разработан метод определения параметров МДП-структур, который позволяет определить энергетический спектр плотности поверхностных состояний (ППС) при низких значениях Nss, кинетику различных электронных процессов в МДП-структурах, а также определить раздельно параметры электрически активных дефектов в объеме полупроводника, диэлектрика, переходном слое Si-SiCb и на границе их раздела с помощью DLTS при постоянной емкости (CC-DLTS) с высокой разрешающей способностью (Nss<l-Ю9 см’2 эВ');
обоснованы основные факторы, определяющие эффективность образования глубоких центров (ГЦ) нетрадиционными примесями в Si, то есть температура отжига и скорость охлаждения после легирования, при различных низких и высоких температурах, а также особенности дефектооб-разования в Si, легированном в процессе роста и диффузией Ni или V при различных низко- и высокотемпературных обработках;
экспериментально определено, что атомы нетрадиционных примесей (V, Ni, Gd, Sm), вводимые в кремний, взаимодействуя с ростовой примесью (О), приводят к уменьшению концентрации оптически активного кислорода (от 10 до 50%) в зависимости от вида конкретной примеси, вплоть до потери оптической прозрачности (Si<Ni>);
установлена взаимосвязь с удаленными от поверхности Si центрами и новыми радиационными дефектами, образуемыми в объеме диэлектрика при облучении кремниевых МДП-структур у-квантами и электронами, которые приводят к увеличению концентрации дефектов при больших дозах и к появлению сквозного тока, препятствующего формированию стабильного инверсионного слоя на поверхности полупроводника;
разработан способ определения параметров и местоположения различных радиационных дефектов в МДП-структурах, подвергшихся воздействию проникающего излучения при положительном и отрицательном смещениях на полевом электроде, обеспечивающий стабилизирующие условия образования радиационных дефектов;
разработана модель пространственного распределения свободных связей кремния в слое состава SiOx между кремнием и двуокисью кремния шириной около 0.6 нм при образовании характерного РД, обусловленного свободной связью на атоме Si в переходном слое Si-SiO2 МДП-структур, облученных электронами и у-квантами, а также в структурах с катоднораспыленной пленкой SiCh;
экспериментально показано, что при изохронной термообработке встроенный заряд и объемные состояния диэлектрика в МДП-структурах отжигаются при 250°С, а поверхностные состояния на границе раздела Si-SiO2 отжигаются при 35О°С, при этом характерные РД в переходном слое Si-SiO2 полностью отжигаются при 400° С.
Заключение
генерационномногослойных
легированных
На основе проведенных комплексных исследований релаксационных эффектов в кремнии и кремниевых структурах типа металл-диэлектрик-полупроводник, нетрадиционными элементами сделаны следующие выводы:
1. Усовершенствована технология изготовления кремниевых многослойных структур типа металл-диэлектрик-полупроводник путем добавления паров трихлорэтилена C2HCI3 в атмосфере влажного кислорода.
2. Показано, что примеси V и Ni независимо от способа легирования в n-Si образуют три глубокие уровни: ГУ (Ес-0.22 эВ, Ес-0.45 эВ и Ес-0.52 эВ), а в n-Si<Ni> два ГУ (Ес-0.19 эВ и Ес-0.41 эВ) с фиксированными энергиями ионизации и эффективность образования этих центров зависит от технологических режимов - Тднф и Уохл и способа легирования.
3. Выявлено, что путем введения нетрадиционных примесей (переходных и редкоземельных элементов - V и Ni, Gd и Sm ) в кремний можно снизить эффективность термического дефектообразования и замедлить процессы образования РД.
4. Наблюдаемое на эксперименте снижение концентрации кислорода и углерода на 25-50%, а в отдельных случаях (Si<Ni>) потеря оптической прозрачности кремния связано с активным взаимодействием атомов нетрадиционных примесей в кремнии с ростовыми неконтролируемыми примесями.
5. Показана возможность определения энергетического распределения ППС и сечения захвата на них по всей ширине запрещенной зоны кремния с с помощью разработанного метода DLTS при постоянной емкости (СС-DLTS), который позволяет определить энергетический спектр ППС при низких значениях Nss, кинетику различных электронных процессов в МДП-структурах, а также раздельно определить параметры электрически активных дефектов в объеме полупроводника, диэлектрика, переходном слое Si-SiO2 и на границе их раздела.
6. Найдено, что у-облучение МДП структур приводит к образованию РД на границе раздела Si-SiO2 и в объеме диэлектрика, при этом облучение со смещением (V*0) стабилизирует условия образования РД, пространственно распределенных в переходном слое между кремнием и окисным слоем в отличие от облучения без смещения, приводящего к флуктуациям встроенного заряда в окисле.
7. Сравнение результатов воздействием у-квантов 60Со на различные параметры МПОП-структур и МОП-транзисторов типа КП304А показало, что облучение у-квантами 60Со приводит к большему изменению порогового напряжения и ППС границы раздела Si-SiCh по сравнению с влиянием высокоэнергетического тормозного у-излучения и связывается с различием величины поглощенной дозы в окисном слое.
8. Проведена оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходном слое Si-SiCh реальных приборов и обнаружено, что на спектрах CC-DLTS МДП-структур с катодно-распыленной пленкой SiOx наблюдается максимум при Т=280 К, связанный с эмиссией электронов из дефектов в переходном слое между кремнием и тонкой пленкой окисла.
9. Изучены различные электронные процессы, происходящие в объеме диэлектрика, полупроводника, на границе их раздела, а также в переходном слое Si-SiO2 и оценен их вклад в картину релаксационных процессов в МДП-структурах.
10. Определены параметры тестовых МДП-структур на основе IITJIK и показана возможность уменьшения плотности ПС на границе Si-SiO2 путем низкотемпературной обработки и использования их для производства приборов с зарядовой связью.
11. Обнаружено, что присутствие примесей V и Ni в кремниевой подложке МДП-структур приводит к увеличению ППС и образованию положительного заряда на границе раздела Si-SiO2, а также к изменениям распределения Nss по Eg и образованию нескольких явно выраженных пиков в области энергий, соответствующих глубоким уровням ванадия и никеля. Аналогичным образом ведут себя примеси редкоземельных элементов (гадолиния и самария) в МДП структурах.

Объекты исследования: объектом исследования являются спектральные разложения и их средние Рисса функций, описывающих различные физические процессы.
Цель работы: исследование вопросов необходимые условия суммируемости спектральных разложений, связанных с различными эллиптическими операторами.
Методы исследования: в диссертационной работе используются методы теории функций, функционального анализа, спектральной теории операторов.
Полученные результаты и их новизна: все полученные результаты являются новыми. Они состоят в следующем:
1) установлены необходимые условия сходимости средних Рисса спектральных разложений по собственным функциям оператора Лапласа;
2) найдены необходимые условия сходимости спектральных разложений по собственным функциям полигармонического и бигармонического операторов;
3) получены условия обобщенной непрерывности, необходимые для суммируемости спектральных разложений по собственным функциям оператора Шредингера в произвольной трехмерной области;
4) выяснены необходимые условия сходимости спектральных разложений функций из классов Соболева по собственным функциям оператора Лапласа-Бельтрами.
Практическая значимость: результаты диссертации носят теоретический характер.
Степень внедрения и экономическая эффективность: на основе полученных результатов можно читать спецкурсы для магистрантов.
Область применения: результаты и методы, представленные в диссертации, могут быть использованы в научных исследованиях в области математической физике, математического анализа и функционального анализа.

Актуальность и востребованность темы диссертации. В настоящее время 11 процентов или 14,5 млн. квадратных километра от общей площади земного шара являются пригодными для сельскохозяйственного производства1. А площадь песчаных земель в США составляют 492 тыс. га, в Китае - 270 тыс. га, в Австралии - 400 тыс. га, в Саудовской Аравии - 233 тыс. га, в Аргентине и Чили - 673 тыс. га. Основные песчаные массивы в Туркменистане, Казахстане, Узбекистане расположены на площади 300 тыс./га. В Центральной Азии пустынно-песчанные земли составляют 38 млн. га или 38,2% от общей площади-. На сегодняшний день эффективное использование земель с ухудшенным мелиоративным состоянием и низким плодородием являются актуальной проблемой.
В мировой практике хлопководства, в таких странах как Израиль, Египет, Китай на песчаных почвах с очень низким плодородием, путем внесения дополнительного питания создается возможность повышения урожайности до 32-40 центнеров с гектара. Кроме того, путем применения различных агротехнологических мероприятий песчаные и супесчаные почвы обогащаются питательными элементами, применяются инновационные технологии, направленные на восстановление и повышение почвенного плодородия. Защита от воздействия ветров песков, песчаных барханов, песчаных рядов с низким плодородием и подверженных ветровой эрозии, выращивание в этих землях сельскохозяйственные культуры, а также разработка технологии применения в природных и искусственных экранах различных удобрений (N, Р, К, местные удобрения - навоз, лигнин) в пропорциональных соотношениях, подходящих сроках, нормах и методах для повышения урожайности высококачественного хлопка и пшеницы в условиях орошения являются одним из актуальных проблем агропочвоведения и агрофизики, хлопководства и зерноводства.
В нашей республики в годы независимости проведены широкомасштабные мероприятия по эффективному использованию орошаемых песков и супесчаных земель и улучшению экологомелиоративного состояния земель. В результате проведения этих мероприятий на песчаных и супесчаных землях, в частности с каждого гектара сельхозугодий Центральной Ферганы, достигнута прибавка урожая хлопка-сырца на 2-3 центнера и пшеницы на 4-6 центнера. Вместе с этим, не уделено должное внимание разработке приемлемых агротехнологий направленных на определение генезиса, морфогенетических свойств песчаных и супесчаных земель с трудным мелиоративным состоянием, предотвращение протекающих в них эрозионных процессов. В Стратегии действий Республики Узбекистан на 2017-2021 годы «...дальнейшее улучшение мелиоративного состояния орошаемых земель, развитие сети мелиоративных и ирригационных объектов, широкое внедрение в сельскохозяйственное производство интенсивных методов, прежде всего современных водо- и ресурсосберегающих агротехнологий» определено одним из важных стратегических задач. В этом отношении научно исследовательские работы по улучшению мелиоративного состояния неплодородных, трудномелиорируемых песчаных земель, разработке и внедрению современных водно и ресурсосберегающих агротехнологий приобретают важное значение.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Указах Президента Республики УП-4533 от 19 апреля 2013 года «О мерах по коренному совершенствованию системы мелиоративного улучшения земель» и У П-4947 от 7 февраля 2017 года «О стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан» а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является повышение производительной способности песков Центральной Ферганы, усовершенствование противоэрозионных технологий, а также разработка новых агротехнологий ухода за сельскохозяйственными культурами.
Научная новизна исследований заключается в следующем:
впервые доказано улучшение агрофизических и агрохимических свойств и обогащение питательного режима песчаных площадей с естественным экраном в результате оставления 14-15 см стерни ржи;
определено повышение урожайности хлопчатника и культур входящих в хлопковый комплекс на подверженных дефляции бугристо-барханных, песчаных землях при применении эффективных норм минеральных и органических удобрений;
разработана технология водосбережен ия и улучшения экологомелиоративного состояния песчаных земель путем создания естественных и искусственных экранов;
определено, что в результате создания естественных экранов на хлопковых полях фермерских хозяйств коробочки раскрываются на 3-4 дня раньше;
разработана технология использования дренажных и арычных отбросов при помощи мероприятий, направленных на улучшение экологического состояния окружающей среды.
Выводы
1. Из 80 тысяч гектаров песчаных барханов Центральной Ферганы освоены 60 тысяч гектаров, из них 50 тысяч гектаров используются в сельском хозяйстве. На этих землях из сельскохозяйственных культур в основном высеваются хлопчатник, колосовые, зерновые и бахчевые культуры. С точки зрения мелиоративного почвоведения эти земли считаются низкоплодородными, трудномелиорируемыми, нуждающимися в дополнительной подкормке.
2. На спланированных и старо-освоенных песчаных холмах, барханах, рядах Центральной Ферганы встречаются орошаемые территории с естественным экраном и с песками, супесью, а в некоторых местах с легких суглинком на поверхности. Песчаные площади, изученные при исследовании, по генезису на поверхности состоят из песков, а в нижних горизонтах более тяжелого механического состава. Мощность поверхностных горизонтов этих спланированных почв достигает от 30 см до 140 см, в некоторых местах до 2-3 метров.
3. Освоенные пески Ферганской долины сухие и беззащитные, и подвергаются ветровой эрозии при скорости ветра 4,3-4,5 м/сек. Па этих территориях с целью предотвращения процессов ветровой эрозии путем оседания ила, и обработки достигают создания искусственных экранов.
4. Создание искусственного экрана с помощью обработки илистыми отходами дренажей (мелкозем), с первых лет оказал положительное влияние на объемную массу пахотных и подпахотных (0-30 и 30-40 см) слоев исследованных песчаных почв. В опытах при внесении по отношению к контролю 1000 тонны на гектар мелкозема на 0-30 см слое почв объемная масса составила 1,43 г/см3, а в 30-40 см слое этот показатель составил в среднем 1,42 г/см3.
5. При создании искусственного экрана заметно повышается влажность песков, полевая влагоемкость увеличивается вниз по профилю. Па контрольном варианте влажность в 0-30 см слое составляла 4,3%, в 30-40 см слое 5,8%, при внесении мелкозема 1000 тонн на гектар полевая влагоемкость повышается соответственно до 8,4-22,5%.
6. При создании искусственного экрана урожайность хлопчатника заметно возрастает, особенно на варианте с внесением на песчаные почвы толщиной 75 см 1000 тонн мелкозема на гектар, урожайность хлопчатника по сравнению с контролем увеличился на 17,1 ц/га. Высокий урожай хлопка отмечен на созданных экранных площадях, на песчаных почвах толщиной 50 см, здесь при количестве минеральных удобрений N-350, Р2О5-25О, К.20-125 кг/га урожай достигает 38,8 ц/га. А в контрольном варианте этот показатель был равен 18,4 ц/га. При внесении в максимальных количествах нитратного азота, подвижного фосфора и обменного калия соответственно 200, 140 и 100 кг/га, а также 40 т/га навоза и 60 т/га лигнина на почвы посевных площадей с искусственным экраном, наблюдается хороший рост и развитие хлопчатника, и средний урожай 29,8 ц/га.
7. Оптимальные нормы минеральных удобрений, положительно влияющих на урожайность хлопка, на спланированных песках с естественным экраном, наблюдаются на фоне - N-200, Р2О5-МО, К2О-ЮО кг/га + 60 т/га лигнина и 40 т/га навоза. В этом варианте средняя урожайность по сравнению с контролем составляет соответственно 2,9-5,2 ц/га. Оптимальные количества внесенных минеральных удобрений и лигнина, а также навоза вместе с увеличением урожайности, оказывают положительное воздействие на технологические свойства волокна. Значить увеличение или уменьшение этих норм отрицательно влияют на урожайность хлопка и качество волокна.
8. По данным опытов в почвах с толщиной в 50-75 см с искусственным экраном влажность достигает 18,3%, урожайность пшеницы и хлопка повышается. Для получения высоких урожаев пшеницы с песков данной толщины целесообразно внесение азота - 160, фосфора - 160, калия - 80 кг/га.
9. Для занятия земледелием на спланированных песках с естественным экраном, в этих условиях поверхность песков можно защитить от ветровой эрозии при помощи 12-14 см слоя остатков ржи (корни, стерня), при этом густота насаждения составляет 170-200 шт. /м2. Для получения высоких и качественных урожаев хлопка с песчаных территорий с толщиной 50-75 см с естественным экраном рекомендуется применение азотных удобрений в количестве 250 кг, фосфора 200 кг и калия 170 на гектар.
10. Для повышения урожая хлопка на спланированных песках с фоном естественного экрана рекомендуется внесение N-200 кг/га, Р2О5 -140 кг/га, К2О-Ю0 кг/га и 40 т/га навоза или 60 т/га лигнина под зябь. При этом целесообразно вносить под зябь P20s -100 кг/га, К2О-50 кг/га, при посеве N-30 кг/га, P2Os -20 кг/га, в фазу 2-3 листов симподии 50 кг/га азота, в фазу бутонизации 60 кг/га, в фазу цветения 60 кг/га азота, 20 кг/га фосфора и 50 кг/га калия.
11. В фазу 2-3 листов симподии разделение грядки борозды при помощи культиватора, и создание новой борозды дает положительный результат.
12. Создание искусственных экранов при возделывании озимой пшеницы на спланированных освоенных песках не приносит экономическую выгоду, поэтому не рекомендуется проведение этих агромелиоративных мероприятий.