Все статьи
Влияние низкочастотных физических факторов на цитокины и процессы липопероксидации у больных ревматоидным артритом
Объекты исследования: 103 больных ревматоидным артритом, 20 здоровых добровольцев.
Цель работы: изучить терапевтическое воздействие низкочастотных физических факторов на цитокины и процессы липопероксидации и научно обосновать эффективность их применения с учетом влияния на клиниколабораторные показатели у больных РА.
Методы исследования: клинико-лабораторное обследование,
иммунологическое исследование уровня цитокинов в сыворотке крови и синовиальной жидкости, биохимические исследования показателей ПОЛ и АОС, активности фосфолипазы-Аг, неспецифических фосфатаз и свободного оксипролина в сыворотке крови больных.
Полученные результаты и их новизна: Изучена клиническая эффективность ультрафонофореза бензкетозона в лечении и реабилитации больных РА. Доказано, что дисбаланс между провоспалительными и противовоспалительными цитокинами, а также активация ПОЛ в мембранах эритроцитов и в сыворотке крови дестабилизируют мембранные структуры клеток, повышают активность фосфолипазы-Аг, тем самым стимулируя синтез простагландинов - медиаторов воспаления. Показано, что комплексная терапия с включением низкочастотных физических факторов и особенно ультрафонофореза бензкетозона оказывает выраженный положительный эффект, нормализуя соотношение между провоспалительными и противовоспалительными цитокинами, снижая активность фосфолипазы-Аг, продуктов ПОЛ и увеличивая содержание показателей АОС.
Практическая значимость: Обоснована целесообразность введения в терапевтическую практику физико-фармакологического метода -ультрафонофореза бензкетозона. Разработанные дифференцированные показания к назначению низкочастотных физических методов лечения в реабилитации больных РА позволяют удлинить сроки ремиссии, улучшить качество жизни пациентов.
Степень внедрения и экономическая эффективность: практические рекомендации внедрены в практику артрологического СКАЛа Республиканского Ревматологического Центра, Городской клинической больницы № 1, Центральной больницы Зангиотинского района.
Область применения: ревматология, физиотерапия.
Влияние многоэлектронных эффектов и концентрации частиц на резонансную генерацию высших гармоник когерентного излучения
Актуальность и востребованность темы диссертации. На сегодня в быстро развивающемся направлении лазерных технологий и нелинейной оптики исследования по изучению влияния многоэлектронных процессов и концентрации частиц на генерацию высших гармоник для получения когерентного излучения в области вакуумного ультрафиолета и мягкого рентгена представляются одними из перспективных направлений лазерной физики. При этом основное внимание уделяется повышению эффективности генерируемых гармоник в условиях резонанса и квазисинхронизма фаз взаимодействующих волн. Данные исследования имеет важное научноприкладное значение для практической реализации перспектив в области лазерной физики, нелинейной оптики, фемтосекундной голографии, генерации импульсов аттосекундной длительности, спектроскопии сверхбыстрых процессов.
Выполнение условий резонансной генерации высших гармоник и квазисогласования фаз излучения накачки с излучением гармоник обеспечивает существенное увеличение эффективности преобразования энергии импульсов фемтосекундной длительности интенсивностью 10|4-1015 Вт/см2, используемых в качестве излучения накачки, в излучение гармоник. В связи с этим, возможности использования в практике генерации высших гармоник искусственных наноматериалов, имеющих сложную структуру, а также подобных эндоэдральным фуллеренам, остаются малоизученными.
Востребованность темы диссертации показывает развитие методики генерации высших гармоник в плазменных образованиях, повышение эффективности нелинейного преобразования частоты при резонансной генерации высших гармоник, исследование наночастиц, образующихся в процессе лазерной абляции. Кроме того, создание высокоэффективных нелинейных элементов на основе метода лазерной абляции представляя особую значимость для решения важных проблем нелинейной оптики, дают возможность получения теоретических результатов по анализу концентрации лазерной плазмы.
До сих пор влияние концентрации свободных электронов на эффективность генерации высших гармоник в плазмах и влияние концентрации частиц на генерацию высших гармоник остаются практически неизученными. Решение этих задач позволит установить основные закономерности и особенности резонансной генерации высших гармоник в реальных системах, имеющих практический интерес при создании высокоэффективных источников когерентного излучения и установлении важных научно-практических закономерностей.
Настоящая диссертация в определенной степени посвящена решению задач, указанных в Постановлении Президента Республики Узбекистан ПП-1442 «О приоритетах развития промышленности Республики Узбекистан в 2011-2015 годах» от 15 декабря 2010 года, а также в других нормативноправовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является определение влияния многоэлектронных эффектов и концентрации частиц на резонансную генерацию высших гармоник.
Научная новизна исследования заключается в следующих результатах:
показано, что многоэлектронные эффекты приводят к резонансной генерации высших гармоник в результате неупругого рассеяния ускоренного электрона на ионе с возбуждением электронов иона на резонансный уровень;
предложен механизм резонансной генерации высших гармоник, объясняющий результаты экспериментов по резонансной генерации высших гармоник и позволяющий оптимизировать процесс резонансной генерации высших гармоник на основе расчета оптимальных импульсов абляции и накачки;
предложено использование неионизированной плазмы в качестве перспективной среды для наблюдения резонансной генерации высших гармоник, основанной на переходах в однократно ионизированных средах;
на основе теоретических расчетов сдвига плазмонных пиков поглощения оболочки молекулы Сбо в эндоэдральных фуллеренах С&о+1п и Cf,o+Sb к соответствующим ионным резонансам внедренных полупроводников и сдвига максимума резонансного усиления группы гармоник к новым пикам плазмонного поглощения, показана возможность равномерного усиления группы гармоник в лазерной плазме, созданной испарением смеси эндоэдральных фуллеренов;
разработан метод теоретического определения концентрации атомов, ионов и свободных электронов в плазме, основанный на учете усиления группы высших гармоник при квазисогласовании фаз в процессе лазерной абляции с использованием длинных импульсов абляции;
выявлены механизмы ограничения эффективности преобразования частоты с ростом концентрации частиц лазерной плазмы углерода созданной с использованием импульсов абляции длительностью 8 пикосекунд и 10 наносекунд.
предложена методика определения закономерности зависимости степени ионизации при заданной концентрации от длительности импульса абляции приводящая к усилению отдельной высшей гармоники в области плато более чем в 1000 раз при сочетании квазисогласования фаз и резонансных условий.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
1. Впервые обеспечена надежная информация о спектрах резонансной генерации высших гармоник на основе точных потенциалов и близких к экспериментальным параметрах импульсов накачки.
2. Показано, что резонансная генерация высших гармоник обусловлена заселением резонансного уровня путем возбуждения внутренних электронов иона на резонансный уровень в результате неупругого рассеяния ускоренного электрона, а также последующей рекомбинацией электронов с возбужденного уровня в основное состояние с генерацией резонансной гармоники в результате вынужденного излучения, происходящего из-за влияния нерезонансной гармоники того же порядка.
3. Впервые проведено теоретическое моделирование генерации высших гармоник в плазме фуллеренов С60 методом временно-зависимой теории функционала плотности для случая полного моделирования вклада всех атомов углерода в молекулярное поле, при этом получено усиление гармоник в области поверхностного плазмонного резонанса фуллеренов Cf,oB 10 раз выше, чем вне данной области.
4. Показано, что в лазерной плазме эндоэдральных фуллеренов In С6() и Sb С60 происходит смещение максимума резонансного усиления группы высших гармоник относительно чистого С60 в связи с смещением максимумов плазмонного поглощения фуллереновой оболочки к атомарным резонансам включенных атомов.
5. Показано, что основным фактором, ограничивающим возможности повышения эффективности генерации высших гармоник за счет увеличения концентрации лазерной плазмы является нарушение условий согласования фаз с увеличением концентрации свободных элктронов.
6. Показано, что оптимальная в отношении эффективности преобразования (2x1 О'4) плазма индия может быть получена при использовании импульсов абляции длительностью 10 пикосекунд и интенсивностью 2x109 Вт см'2, тогда как оптимальная плазма хрома создается при использовании импульсов абляции длительностью 100 фемтосекунд и интенсивностью 10й Вт см'2, что связано с различными степенями ионизации резонансных уровней данных элементов.
7. Показано, что при коротких (порядка 100 фс) и интенсивных (более 10'1 Вт см'") импульсах абляции образуются наночастицы размером более 10 нм, которые усиливают генерацию высших гармоник в слабых полях за счет эффекта локального поля, а в сильных полях лишь снижают эффективную концентрацию излучающих диполей и свободных электронов.
8. Впервые разработана методика управления эффективностью резонансной генерации высших гармоник на основе контроля длительности и интенсивности возбуждающего импульса в плазмах с пространственно модулированной оптической плотностью.
Влияние деформации и сильного электромагнитного поля на динамические характеристики полупроводниковых структур
Актуальность и востребованность темы диссертации. На сегодняшний день в мире ведутся интенсивные исследования в области фото-и тензоэлектрических свойств полупроводниковых материалов и структур, особенно по управлению свойствами материала и функциональными характеристиками полупроводниковых структур и приборов. В этом аспекте изучение влияния деформации и сильного электромагнитного поля на динамические характеристики полупроводниковых структур является одним из важнқх задач.
В годы независимости учеными нашей страны уделяется большое внимание развитию технологии получения тензочувствительных и фоточувствительных полупроводниковых структур, в частности, способам получения полупроводниковых материалов легированных глубокими примесями, а также пленочных структур с аномально большими фотонапряжениями, изучены эффекты фотопроводимости, в области получения фото- и тензочувсвительных структур на основе узкозонных и слоистых структур, достигнуты значительные успехи. В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан является наиболее важным повышение эффективности отрасли наноэлектроники на основе теоретических и практических исследований, влиянию электромагнитного поля, света и деформации на протекающие физические процессы в полупроводниковых структурах.
На сегодня в мире изучение влияния деформации и сильного электромагнитного поля на динамические характеристики полупроводниковых структур, выявление природы электродвижущих сил и токов, возникающих в них при воздействии сильного электромагнитного поля, освещения и деформации вблизи критических точек имеет важное значение. В этом аспекте целевые научно-исследовательские работы, в том числе, реализация проблем в ниже приведенных направлениях, а именно: построение модели системы потенциальных барьеров, которая позволит объяснить аномально большие значения коэффициента тензочувствительности в тонких пленках полученных вакуумным напылением; проведение оценки деформационного потенциала на основе модели систем потенцииальных барьеров; выяснение возможности управления тензочувствительностью освещенного собственным светом р-п-перехода подвергнутого постоянной деформации; выяснение возможности управления фототоками и фотоэлектродвижущая сила, генерируемых в полупроводниковых фотоэлементах при воздействии деформации и сверхвысокочастотного поля; определение возможности использования фазовых портретов для объяснения генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниках; исследование теплового уширения энергетических уровней и плотности состояний квазиодномерного электронного газа; исследование температурной зависимости энергетических щелей, обусловленных колебаниями решетки и тепловым уширением энергетических уровней, считаются одними из важных задач.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит выполнению задач, предусмотренных в Постановлении Президента Республики Узбекистан №-УП-4947 «О мерах по дальнейшей реализации Стратегии действий по развитиям Республики Узбекистан в 2017-2021 годах» от 7 февраля 2017 года и №-ПП-1442 «О приоритетных направлениях развития индустрии Республики Узбекистан на 2011-2015 гг.» от 15 декабря 2010 года и №-ПП-2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии наук, организаций, управления и финансирования научно-исследовательской деятельности» от 17 февраля 2017 года, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в данной сфере.
Целью исследования является изучение физических процессов при воздействии сильного электромагнитного поля, освещения и деформации в полупроводниках и полупроводниковых структурах.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
установлено, что на краю фундаментального поглощения, когда ha~Eg, коэффициент поглощения сильно возрастать за счет изменения ширины запрещенной зоны под действием деформации, вследствие этого коэффициент тензочувствительности р-п-перехода может принимать аномально большие значения;
теоретически обоснованно, что изменение вольтамперной характеристики р-п-перехода под воздействием деформации, света и сильного сверхвысокочастотного поля объясняется разностью квазиуровней Ферми электронов и дырок;
выявлено, что при воздействии деформации и света главным образом генерируются фотоэлектроны и фотодырки, в данном случае электродвижущая сила генерируемая диодом будет отрицательной, а при воздействии сверхвысокочастотной волны электроны и дырки разогреваются в этом случае значение электродвижущей силы будет положительным;
установлено, что если произведение частоты переменной деформации и времени жизни носителей заряда становится больше единицы, то форма фазовых портретов стремится к горизонтальному отрезку, а в случае когда произведение частоты переменной деформации и времени жизни носителей заряда становится меньше единицы, то форма фазового портрета стремится к вертикальному отрезку, в случае когда произведение частоты переменной деформации и времени жизни носителей заряда будет равен единице фазовый портрет имеет наибольшую площадь;
определено, что увеличение концентрация рекомбинационных центров приводит к уменьшению концентрации носителей заряда, сворачивая фазовую траекторию в виде спирали в сторону наименьших значений, а уменьшение рекомбинационных центров в полупроводнике отражается в увеличении концентрации носителей заряда, и фазовая траектория разворачивается в виде спирали в сторону наибольших значений;
установлено, что полное изменение ширины запрещенной зоны монокристаллов MnlnsSs s, ҒеШгЗд и CuInsSs определяется взаимодействием электронов с колебаниями решетки и термическим уширением энергетических уровней в разрешенных зонах.
Заключение
На основе проведенных исследований по изучению воздействия света, деформации и сверхвысокочастотного поля на полупроводниковые структуры сделаны следующие выводы:
1. Модель последовательной системы потенциальных барьеров может объяснить аномально большие значения коэффициента тензочувствительности в тонких пленках полученных вакуумным напылением.
2. При освещении на границе фундаментального поглощения собственным светом, полупроводник становится чувствительным к воздействию деформации. Это позволяет управлять скоростью фотогенерации электронов и дырок с помощью внешнего воздействия. Вследствие этого, появляется возможность управлять током короткого замыкания и наряжением холостого хода с помощью внешней деформации.
3. Установлено, что на краю фундаментального поглощения (вблизи сингулярных точек Ван Хова) когда hco»Es, коэффициент поглощения сильно возрастать а х (hco-Es + Ес)г за счет изменения ширины запрещенной зоны под действием деформации AEg = Eg - Ес, вследствие этого коэффициент тензочувствительности р-п-перехода может принимать аномально большие значения.
4. Показано, что изменение квазиуровней Ферми электронов и дырок при воздействии деформации, света и сильного СВЧ поля объясняет поведение ВАХ р-п-перехода при внешних воздействиях;
5. Установлено, что при воздействии деформации и света главным образом генерируются фотоэлектроны и фотодырки и значение квазиуровней Ферми будет отрицательной, а при воздействии СВЧ волны электроны и дырки разогреваются в данном случае значение квазиуровней будет положительным, приводя к сдвигу ВАХ в противоположных направлениях;
6. Установлено, что при изменении частоты переменной деформации, если произведение частоты и времени жизни носителей заряда становится больше единицы <u r»i, то форма фазовых портретов (зависимости п от) стремится к горизонтальному отрезку, а в случае, когда произведение частоты переменной деформации и времени жизни носителей заряда становится a>r«i, то форма фазового портрета стремится к вертикальному отрезку, в случае когда а • г = 1 фазовый портрет имеет наибольшую площадь.
7. Установлена взаимосвязь рекомбинационных центров с концентрацией носителей в полупроводнике при осуществлении деформации, так увеличение рекомбинационных центров приводит к уменьшению концентрации носителей заряда, сворачивая фазовую траекторию в виде спирали в сторону наименьших значений, как по оси п,дп с-так и по оси —, а уменьшение рекомбинационных центров в полупроводнике отражается в увеличении концентрации носителей заряда, и фазовая траектория разворачивается в виде спирали в сторону наибольших„ дпзначении, как по оси п, так и по оси —. dt
8. установлено, что полное изменение ширины запрещенной зоны монокристаллов MnlnsSss, FeIn2S4 и CuInsSs определяется не только взаимодействием электронов с колебаниями решетки, но и термическим уширением энергетических уровней в разрешенных зонах.
9. Выявлено, что температурная зависимость ширины запрещенной зоны требует учета вклада термического уширения энергетических уровней. При этом полное изменение ширины запрещенной зоны определяется как взаимодействием электронов с колебаниями решетки, так и термическим уширением энергетических уровней в разрешенных зонах.
Асимптотика распределения числа пересечений полосы для случайных процессов с независимыми приращениями
Объекты исследования: однородные случайные процессы с независимыми приращениями и обобщенные процессы восстановления.
Цель работы: получение полных асимптотических разложений распределения числа пересечений прямолинейной полосы траекториями однородного случайного процесса с независимыми приращениями и обобщенного процесса восстановления.
Методы исследования: в диссертации использован аналитический метод, который называется факторизационным.
Полученные результаты и их новизна: все основные результаты диссертации являются новыми и состоят в следующем:
- найдены полные асимптотические разложения при / —> оо распределения числа пересечений прямолинейной полосы до момента t траекторией однородного процесса с независимыми приращениями. При этом предполагается, что границы полосы растут вместе с t и накладываются на процесс условия, в основном, крамеровского типа;
- выписаны в явном виде первые члены асимптотических разложений и указан алгоритм вычисления последующих членов;
- указанные выше результаты перенесены на случай обобщенного процесса восстановления.
Практическая значимость: работа носит теоретический характер
Область применения: полученные результаты могут быть использованы при решении различных задач математической статистики, теории массового обслуживания, теории хранения запасов и др.
Айланувчи барабанларда материалнинг тушиш баландлиги
THE POETIC LANGUAGE AND STYLISTIC DIVERSITY IN KHAYRIDDIN SULTON’S SHORT STORIES
This article analyzes the poetic language, stylistic variety, and expressive richness found in the short stories of one of the prominent representatives of modern Uzbek literature—Khayriddin Sulton. The study focuses on his individual narrative style, use of artistic devices such as metaphors, epithets, and symbols, as well as the philosophical and lyrical-epic unity of his works. The article also highlights the author’s contribution to the genre of short stories, his approach to dialogue and character speech, and the national and spiritual depth present in his literary language. The analysis is based on Sulton's complete body of short stories, supplemented by scholarly critiques and literary studies.
Seysmik-portlash to‘lqinlarining seysmik agressiv xavf darajasini energetik baholash
Newton's method of solving a system of nonlinear equations
equation and the concept of iterative processes are given and their application is shown in the examples. The problem of numerical solution of a number of practical problems consisting of a system of nonlinear equations is considered. There are a number of approximate computational methods for solving systems of nonlinear equations, including Newton's method. Using these methods, a number of specific practical problems were solved, a computational algorithm and a block diagram were developed. An approximate method of finding the true roots of a system of nonlinear equations is given, based on examples, graphs are used in the form of results,
and appropriate conclusions are drawn
Maksimin masalasini parametrga bogʻliq chiziqli tengsizliklar sistemasi yechimlari mavjudligini aniqlashga tatbiqi
Kvant hujayrali avtomatika – nano o‘lchamli kompyuterlarni loyihalash uchun potentsial texnologiya
Korteveg-de friz tenglamasining simmetriyalar gruppasi
Korteveg-de Friz tenglamasi sayoz suvlarning uzun to‘lqinlar nazariyasi va nochiziqli effekt va dispersiya hosil bo’ladigan boshqa fizik sistemalarida uchraydi. Mazkur ishda Korteveg-de Friz tenglamasining simetriyalar gruppalari o‘rganilgan.
FIZIKANI O‘QITISHDA ZAMONAVIY AXBOROT-KOMMUNIKATSIYA TEXNOLOGIYALARIDAN (AKT) FOYDALANISHNING AFZALLIKLARI VA KAMCHILIKLARI
Ushbu maqolada fizikani o‘qitishning zamonaviy talablari va shu jumladan fizika darslarida axborot kommunikatsiya texnologiyalaridan foydalanishning yutuqlari va kamchilliklari , ushbu texnologiyalarni qo‘llash uchun zarur shart-sharoitlar va qo‘yiladigan talablar haqida ma’lumot berilgan .
Fizika sohasiga xos terminlar tadqiqot obyekti sifatida (ingliz tili misolida)
Fizika fanining “kvant fizika” bo‘limini mikroolamning o‘ziga xos jihatlariga e’tibor qaratgan holda o‘qitish metodikasi
Ushbu maqolada akademik litseylarning fizika kursida Kvant fizikasi bo‘limini o‘qitishda mikroolam haqida asosiy tushunchalar keltirilgan.
Fizika fanida masalalarni yechish usullari
EVALUATION OF PHYSICAL AND MECHANICAL PROPERTIES OF ALBENDAZOLE TABLETS USED IN VETERINARY PRACTICE
acid, its monoammonium and monopotassium salts
Elektron ta’lim: yangi pedagogik texnologiya
“Elcktron ta’lim” ta’lim jarayoniga tczlik bilan kirib kclmoqda. Ushbu maqolada uning yutug’i bilan birga elektron ta’limni joriy etishdagi muammolar taxlil qilinadi. Elektron ta’limni joriy etilishda “yangi pedagogik texnologiya”ni ishlab chiqish zarurati tug’iladi. Quyida “yangi pedagogic texnologiya” ta’rifi va kafolatli pedagogik jarayon loyixasi keltiriladi.
Comparisons the numerical results of the turbulence model for the problem of rotating tubes inside a dynamic hydrocyclone
solve this problem, the Reynolds averaged non-stationary Navier-Stokes equations in a cylindrical coordinate system were used. To find the Reynolds voltage, the turbulence model was used the most popular semi-empirical turbulence model. Comparison is made between models of different approaches to turbulence SSG / LRR-RSM-w2012 and νt-92. The numerical results obtained on the basis of turbulence models are compared with the well-known experimental results of Reich and Beer (1989)
Aylanish sirtining yuzini hisoblash usullari
Assefoetida l., by the method of high-performance liquid chromatography
for therapeutic application, Ferula assefoetida l. is called ferula is one of the most
popular medicinal herbs. It is important active ingredient responsible for the biological
activity of ferula, through the major activity is anti-inflammatory. This analysis was
aimed to determine analysis compound of ferulic acids analysis using high performanceliquid chromatography (HPLC), LC-20 Prominence, Shimadzu, column C-18 250 х 4,6
mm, 5 mcm; acetonitrile: acetic acid: aqua bides as mobile phase, flow rate 1 ml/min
and detection at 320 nm. Thus the analytical method using HPLC for ferulic acid were
feasible for quantitative analysis. As a result of the research, the content of dry extract
was 0,01% of the content of ferulic acid.
- Назад
- 76-95 из 95