P-N O’TISHLI GETROSTRUKTURALARDA TEMPERATURA, BAZA VA SIRQISH QARSHILIKLAR TA’SIRIDA VOLT-AMPER XARAKTERISTIKASINI O’RGANISH

ILYOSBEK NE’MATOV; RAXIMJON IBRAGIMOV; SANJARBEK KARIMOV

doi:10.71337/inlibrary.uz.zdit.64549

Har qanday yarimo’tkazgichli tuzilmalar yoki yorug’lik diodlarida ham p-n o’tish mavjud. Yorug’lik diodlarida to’g’ri yo’nalish bo’ylab elektr toki o’tishi natijasida zaryad tashuvchilar elektron va kovaklar rekombinatsiyaga uchrashi tufayli fotonlarni nurlaydi. Bunda elektronlar bir energetik holatdan ikkinchi energetik holatiga o’tadi. Lekin hamma yarimo’tkazgichlarda ham rekombinatsiya tufayli yorug’lik nurlanavermaydi. To’g’ri zonali bo’lmagan yarimo’tkazgichlardan masalan kremniy, germany kabi elementlardan tayyorlangan diodlar amalda umuman nurlamaydi.

Как цитировать

P-N O’TISHLI GETROSTRUKTURALARDA TEMPERATURA, BAZA VA SIRQISH QARSHILIKLAR TA’SIRIDA VOLT-AMPER XARAKTERISTIKASINI O’RGANISH. (2025). Инновационные исследования в современном мире: теория и практика, 4(3), 97-100. https://doi.org/10.71337/inlibrary.uz.zdit.64549

inLibrary — это научная электронная библиотека, построенная на парадигме открытой науки (Open Science), основными задачами которой является популяризация науки и научной деятельности, общественный контроль качества научных публикаций, развитие междисциплинарных исследований, современного института научной рецензии, повышение цитируемости узбекской науки и построение инфраструктуры знаний.

КОНТАКТЫ:

100164, Республика Узбекистан, г. Ташкент, ул. Тепамасджид, 4

НАВИГАЦИЯ: