149
MARGANETS KLASTERLARI BILAN BOYITILGAN KREMNIYNING TENZO
XUSUSIYATLARINI O‘RGANISH
Tursınbaev Sabırbay Awesbay ulı
1
Kalliev Umid Gayli ug‘li
2
Alieva Shaxriyzada Joldasbay qızı
2
1
Nukus davlat pedagogika institutining katta o‘qituvchisi, f.m.f. bo‘yicha PhD
2
Nukus davlat pedagogika institutining talabasi
E-mail: sabirbay_fizika@mail.ru
https://doi.org/10.5281/zenodo.15331543
Annotatsiya:
Ushbu ishda hajmida marganets aralashma atomlarining klasterlari
mavjud bo‘lgan kremniyning tenzoelektrik xususiyatlariga bir tekis bo‘lmagan bosimning
ta’siri ko‘rsatilgan.
Kalit so‘zlar:
Yarimo‘tkazgich, klasterlar, bosim, marganets, diffuziya, harorat.
Ushbu ishda marganets atomlarining klasterlariga ega kremniy parametrlariga bir tekis
bo‘lmagan deformatsiyaning ta’siri o‘rganilgan. Marganets atomlarining klasterlariga ega
kremniyda tenzo effekti va uning namoyon bo‘lish mexanizmini o‘rganish uchun marganets
atomlarining klasterlarini shakllantirish maqsadida maxsus texnologiya bo‘yicha namunalar
tayyorlangan.
Marganets atomlarining klasterlariga ega bo‘lgan kremniyning elektrofizik
xususiyatlariga mexanik bosimning ta’sirini o‘rganish, klasterlarni shakllantirish texnologik
jarayonida kremniy hajmida hosil bo‘ladigan notekisliklar haqida qimmatli ma’lumotlar
beradi, shuningdek, aralashma atomlarining klasterlari bo‘lgan yarimo‘tkazgich materiallar
asosida yuqori sezgirlikka ega tenzo sensorlarni yaratishning yangi yo‘llarini topish imkonini
beradi [1-7].
Marganets atomlarining klasterlarini shakllantirish uchun boshlang‘ich material sifatida
solishtirma qarshiligi
𝜌 = 3 𝑂𝑚 ∙ 𝑠𝑚
va bor konsentratsiyasi
𝑁
𝐵
= 7 ∙ 10
15
∙ 𝑠𝑚
−3
bo‘lgan p-
tipli monokristal kremniy tanlangan. Klasterlarni shakllantirish uchun diffuzion texnologiya
T=1150÷1170°C harorat oralig‘ida t=5÷20 daqiqa davomida muhrlangan ampulalarda
o‘tkazildi. Diffuziyadan so‘ng plastinalar 200°C/s tezligida moy ichida keskin sovutildi. Keyin
plastinalar mexanik va kimyoviy ishlov berish orqali tozalandi. Kremniy panjаrasidagi
marganets atomlarining klasterlarining shakllanishi EPR usuli bilan o‘rganildi.
Namunalarning o‘lchami 1x4x8 mm edi.
Tashqi bosim ta’sirida qorong‘ida o‘lchangan tokning o‘zgarishiga bog‘liqligi doimiy
kuchlanish manbayidan 5 V berish orqali o‘rganildi. Bosim miqdorining qiymati oshishi bilan
tok qiymati o‘lchandi. Parametrlarning o‘zgarishi 1-jadvalda ko‘rsatilgan. Tashqi bosim
ta’sirida namuna orqali o‘tayotgan tok qiymati oshishi aniqlandi. Tadqiqotlar xona haroratida
o‘tkazildi [8-13].
1-jadval
. Namuna orqali o‘tayotgan tok qiymatining tashqi bosim miqdoriga bog‘liqligi
№
𝜌 = 3 𝑂𝑚 ∙ 𝑠𝑚
𝜌 = 3.7 ∙ 10
7
𝑂𝑚 ∙ 𝑠𝑚
Bosim P,
[Pa]
Qorong‘i joyda
o‘lchangan tok
𝐼
𝑞
, [𝜇𝑚]
Bosim P,
[Pa]
Qorong‘i joyda
o‘lchangan tok
𝐼
𝑞
, [𝜇𝑚]
1.
1.7 ∙ 10
6
1.35
1.57 ∙ 10
6
1.63
2.
1.37 ∙ 10
7
1.68
1.43 ∙ 10
7
1.91
150
3.
2.83 ∙ 10
7
1.79
2.62 ∙ 10
7
1.99
4.
3.98 ∙ 10
7
1.86
4.34 ∙ 10
7
2.09
5.
5.18 ∙ 10
7
1.89
5.35 ∙ 10
7
2.14
6.
6.49 ∙ 10
7
1.93
6.47 ∙ 10
7
2.16
7.
7.8 ∙ 10
7
1.96
7.95 ∙ 10
7
2.2
8.
8.37 ∙ 10
7
1.97
8.17 ∙ 10
7
2.21
Oddiy yarim o‘tkazgich materiallardan farqli o‘laroq, marganets atomlarining
klasterlariga ega bo‘lgan kremniyda xona haroratida mavjud nazariya bilan tushuntirish qiyin
bo‘lgan yetarlicha yuqori tenzo sezgirlik kuzatilishi aniqlandi. Olingan ma’lumotlar shunday
yuqori tenzo sezgirlikning olingan materialdagi bosim mavjudligida marganets atomlari
klasterlarining holatining o‘zgarishi bilan bog‘liq ekanligini taxmin qilish imkonini beradi.
Ushbu ma’lumotlar marganets atomlarining klasterlari bo‘lgan kremniy tenzo datchiklarining
yangi sinfini yaratish uchun istiqbolli material bo‘lishi mumkinligini ko‘rsatadi. Marganets
atomlari klasterlarining konsentratsiyasi va zaryadli holatini boshqarish orqali bunday
materiallarning tenzo sezgirligini sezilarli darajada oshirish mumkin.
References:
Используемая литература:
Foydalanilgan adabiyotlar:
1.
S.A. Tursınbaev, M.O. Tajetdinova. Yarimo‘tkazgich materiallarning tenzoelektrik
xususiyatlari // International scientific and practical conference modern, innovative
development of exact and natural sciences in higher education november 15, 2024, pp. 68-70
2.
Турсынбаев С. А. и др. Тензоэлектрические свойства кремния с нанокластерами
атомов марганца //Приборы. – 2021. – №. 6. – С. 51.
3.
A.B. Kamalov, S.A. Tursinbaev, Kh.M. Iliyev, M.M. Shoabdurakhimova. Scientific-technical
journal, 3 (5), 45 (2020).
4.
С.А. Турсынбаев, А.Б. Камалов, Х.М. Илиев, С.А. Тачилин, Г.А. Кушиев.
Тензосвойства кремния с нанокластерами. // Физика полупроводников и
микроэлектроника. 2019, том 1, вып. 4, С.62–67.
5.
A.S. Muratov, А.B.Каmаlоv, S. A. Tursinbaev. Installations for studying the strain
properties of silicon with nanoclusters of impurity atoms // Science and Education in
Karakalpakstan. 2021 №2 (17). ISSN 2181-9203. С. 4-7.
6.
Илиев Х. М., Камалов А. Б., Турсынбаев С. А. Кремний с нанокластерами атомов
марганца–новый материал для тензодатчиков //НДПИ «Фан ва жамият» журнали. –
2020. – №. 4. – С. 7-9.
7.
С.А. Турсынбаев, А.Б. Камалов, C.Б. Исамов, С.А. Тачилин. Разработка установки для
изучения влияния электрического поля, температуры и освещения на параметры
полупроводникового материала в условиях локального давления // Приборы. 2022, 1
(259). С. 19–22.
8.
С. А. Турсынбаев, Влияние одноосного точечного радиального давления и
температуры на кремний с нанокластерами атомов марганца // International scientific
and practical conference modern, innovative development of exact and natural sciences in
higher education november 15, 2024, pp. 9-12.
151
9.
S.A. Tursınbaev, A.E. Otarbaev, O.N. Yusupov, S.M. Kasımov. Spektr chiziqlarini o‘lchash
uchun difraktsion spektrometrni yig‘ish // Fan, Jamiyat va Innovatsiyalar. Vol. 3 Issue 21.
2025, №. 4, b. 20-26.
10.
S. Tursinbaev, G. Jumatova, F. Joldasbaeva. The topic of optical instruments in general
education schools and the methodology of teaching them // International Journal of
Pedagogics. Vol.05 Issue03 2025, pp. 88-90.
https://doi.org/10.37547/ijp/Volume05Issue03-
11.
S.A. Tursınbaev, M.T. Nsanbaev, N.I. Embergenova. Methods of Teaching the Topic of
Circular Motion in Physics in a Comprehensive School // Innovations in technology and
science
education.
Vol.04
Issue31
2025,
pp.
113-118.
https://doi.org/10.5281/zenodo.15088205
12.
D.M. Esbergenov, E.M. Naurzalieva, S.A. Tursinbaev, Enhancing the Perfection of a Silicon
Crystal Doped with Nickel and Zinc Impurities. // East Eur. J. Phys. 4, 172 (2023),
https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-19
13.
Tursinbaev Sabirbay, Eshmuratova Guljamal, Mingbaeva Malika. Explaining physics
topics in general education schools using engaging games // International Journal of
Engineering Mathematics (Online). 7, №1, 2025/4/28, pp. 48-52.