Fizika

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Дунёда бугунги кунда жадал ривожланаётган физик электроника сохида истиқболли йўналишлардан бири наноўлчамли кўп қатламли тизимларда физик жараёнларнинг тадкиқот ишлари ҳиобланади. Шу билан биргаликда наноўлчамли нанокластер фазалар ва кўп қатламли тузилишларни олиш, Si ва GaAs асосида яратилган юпқа пленкалар, гетероструктуралар хамда янги дискрет ва интеграл курилмаларни яратиш, микроэлектрониканинг замонавий конструктив-технологик ечимлари интеграл схемалар асосий элементларининг геометрик ўлчамларини доимо камайтириш, хатто наноўлчамли тузилишгача ўтиш ва эксплуатацион параметрларини яхшилаш мухим муаммолардн бири ҳисобланади.
Мустакиллик йилларида мамлкатимизда физик электроника сохасини ривожлантириш борасида янги наноўлчамли тузилишлар ва кўп қатламли квант ўлчамли гетеро композицияларни олиш учун кичик энергияли ионли бомбардирлаш билан биргаликда МНЭ методлрига лохида эътибор каратилди. Бу борада кўп қатламли квант ўлчамли гетероструктура кўринишидаги янги материаллар ва уларга наноконтактларни олиш, ярим ўтказгичли труктуралар асосида янги турдаги сифатли асбоблар ва интеграл схемалар, хусусан, қисқа тўлкинли ва ионлвчи нурланишларнинг планар интеграл детекторлари, УБ нурланишли детекторлар, баллистик транзисторлар, интеграл схемалар ишлаб чиқишда мухим натижаларга эришилмоқда. Узбекистан Републикаси янада ривожлнтириш бўйича Ҳаракатлар стратегияси асосида физик электрониканинг гетероэпитаксиал тизимлар ва наноўлчамли пленкаларни олиш хамда уларнинг шаклланиши ва қайта ишлаш жараёнида кечаётган физик жараёнларни ўрганиш, уларнинг ишчи функцияларини кенгайтириш масалаларини ҳал килишда мухим аҳамиятга эга.
Ҳозирги кунда жахонда ионлар имплантация қилинган бинар материалларни олиш технологиясини мукаммаллаштириш, янги ҳусусиятли структуралар олиш, уларни ишлаш самарадорлиниги ошириш имконини беради. Бу борада мақсадли илмий тадқикотларни, жумладан куйидаги йўналишлардаги илмий изланишларни амалга ошириш: Ar+ ионлари билан бомбардирлаш натижасида турли табиатли (металл қотишмалар ва ярим ўтказгичлар) турли кимёвий боғланишли (интерметалл, ковалентли, ионли) бинар материаллар сиртида бир компонентли наноўлчамли тузилмалар шаклланишининг асосий механизмларини аниклаш; А1+ ионларини имплантация килиб GaAs сиртида хосил килинган наноўлчамли фазаларнинг электрон ва кристалл тузилишини ўрганиш, кўп компонентали нанокристаллар ва нанопленкалар олиш учун ионлар имплантацияси ва кейинги киздириш оптимал режимларини аниқлаш; ионлар билан бомбардирлаш натижасида CoSi2 ва GaAs сиртида хосил килинган наноўлчамли структураларнинг электрон структураси (энергетик зоналар параметрлари ва валент электронларнинг зичлик ҳолати)ни тадқиқ килиш. Бу йўналишда олиб борилаётган илмий-тадқиқотлар ушбу дисертация мавзусининг долзарблигини изоҳлайди.
Ўзбекистон Республикаси Президентининг 2010 йил 15 декабрдаги ПҚ-1442-сон «2011-2015 йилларда Ўзбекистон Республикаси саноатини ривожлантиришнинг устувор йўналишлари тўғрисида»ги Қарори ва 2017 йил 17 февралдаги ПҚ-2789-сон «Фанлар академияси фаолияти, илмий тадқиқот ишларини ташкил этиш, бошқариш ва молиялаштиришни янада такомиллаш-тириш чора-тадбирлари тўғрисидаги»ги Қарори ҳамда мазкур фаолиятга тегишли бошка меъёрий-ҳуқуқий ҳужжатларда белгиланган вазифаларни амалга оширишга ушбу диссертация тадқикоти муайян даражада хизмат қилади.
Тадқиқотнинг мақсади Pd-Ba, CoSi2 ва GaAs юза қатламларининг кичик энергияли ионлар имплантацияси ва кейинги термик ва лазерли ишлов беришда модификацияланган механизмларнинг ҳамда наноўлчамли тузилмалар ҳосил бўлишининг ўзига хос хусусиятларини комплекс ўрганишдан иборат.
Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
узок вақт эксплуатация қилиш жараёнида Pd-Ba асосида ишлаб чиқилган стандарт катодларнинг ишдан чиқишининг физик механизмлари очиб берилган ва уларнинг сиртини Ва+ ионлари билан имплантация қилишга асосланган бир текис фаоллаштириш усули ишлаб чиқилган;
Pd ва Pd-Ba сиртида ҳосил бўлган нанокристалл фазаларнинг шакли ва ўлчамларининг сирт микрорельефига, ионлар энергияси ва дозасига боғликлиги аникланган: катта дозада имплантация қилинганда кристалл тузилишли майдонларнинг ҳосил бўлиш механизми юкори эҳтимоллик билан ионлар таъсирида материалнинг эриб кетишига олиб келувчи иссиқлик чўққиси (пики) вужудга келиши аникланган;
ионли бомбардирлаш (Ar+ ва 0+) ҳамда кейинги қиздириш усули билан CoSi2/Si (111) сиртида бир хил тартибда жойлашган CoSiO ва Si нинг бир жинсли наноўлчамли фазалари ва эпитаксиал нанопленкалари олинган хамда нанокристалли фазалар ўлчамларининг ионлар энергияси ва дозасига богликлиги аникланган;
Аг+ионлари билан бомбардирлаш натижасида турли кимёвий боғланишга (интерметалл, ковалент ва ион-ковалент) ва табиатга эга бўлган (Pd2Ba металл қотишма, CoSi2 ва GaAs яримўтказгичлар) материалларнинг сиртида бир компонентли наноўлчамли тузилмалар шаклланишининг асосий механизмлари аникланган;
GaAs ни Al+ионлари билан имплантация қилиш ва кетма-кет Т=850-900 К гача қиздириш натижасида 0=20 + 30 А қалинликдаги тақиқланган зона кенглиги бошқариладиган (Eg=l,4 + 2,4 эВ) Gal-xAlxAs (х=0 ч- 0,5) нанопленкасини олиш услуби ишлаб чиқилган;
Si-CoSi2-Si, CoSiO-CoSi2-Si, Ga-GaAs-Ge, GaAlAs-GaAs кўп қатламли тузилишларини олишнинг ионли бомбардирлаш ва кейинги қиздиришнинг оптимал шароитлари аниқланган ва уларнинг энергетик-зона диаграммалари қурилган.
Хулоса
Pd-Ba, CoSi2 ва GaAs юза қатламларининг кичик энергияли ионлар имплантацияси ва кейинги термик ва лазерли ишлов беришда модификацияланган механизмларнинг ҳамда наноўлчамли тузилмалар ҳосил бўлишининг ўзига хос хусусиятларини комплекс тадқиқ қилиш натижасида қуйидаги ҳулосалар қилинди:
1. Pd ва Pd-Ba га Ва' ионлари Е()=0,5-5 кэВ энергияда ва D=1015 см’2 дозада имплантация килинганда намуна сиртининг микрорельефига боғлиқ ҳолда турли шаклдаги ва ўлчамдаги нанокластерли фазаларнинг шаклланишига олиб келиши аниқланди. Хусусан, Pd-Ba га механик ишлов бериш изларининг мавжудлиги кенглиги 2-3 мкм бўлган Ва атомлари билан бойитилган тармоқланган чизикларнинг хосил бўлишига олиб келиши, D=DHac=6 1016 см-2 дозада Pd-Ba ва Рбларнинг сирти аник кирралар ва ўлчамлари 5-10 мкм дан ташкил топган катта донали PdBa ва Pd2Ba типидаги боғланишли блоклардан иборатлиги кўрсатилган.
2. Лазерли фаоллаштиришда Pd-Ba сирти тозалигини водород киритмасдан юқорироқ даражага етказиш ва иккиламчи электронлар эмиссияси коэффициентининг максимумларига ошириш мумкинлиги кўрсатилиб, Юкори вакуумда ва кислород атмосферасида фаоллаштирилган Pd-Ba сирти хамда профили бўйича Ва, О ва Pd атомлари жойлашиши модели ишлаб чиқилган.
3. Pd-Ba стандарт катодлари узок вақт (t>500 соат) эксплуатация қилинганда уларнинг ишдан чиқишига сабаб бўлувчи асосий механизмлари аниқланиб, бу катодларнинг сиртида 15-20 нм ўлчамли пуфакчалар кўринишидаги алоҳида нуксонли участкалар пайдо бўлиши кўрсатилган ва бу участкаларда С ва S атомлари концентрациясининг 10-15 ат.% гача ошиши ва асос атомларининг (Мо) пайдо бўлиши таъкидланган.
4. Турли калинликдаги (0=10-100 нм) CoSi2/Si (111) нанопленкалари учун Eg, X, суП1 ва р ларнинг қийматлари аниқланиб, CoSi2 пленкасининг ҲИЭ чиқиш зонаси чукурлиги 80-100 А ни ташкил этиши ва Si—CoSi2—Si нанопленкали тизимини шакллантириш учун ионли бомбардирлаш ва кейинги қиздиришнинг оптимал режимлари аникланган.
5. Аг ионлари билан бомбардирлаш натижасида турли табиатли ва кимёвий боғланишли (Pd2Ba металл котишмаси, CoSi2, GaAs ярим ўтказгичлари) пленкалар сиртида бир компонентли наноўлчамли структуралар шаклланиш механизмлари ишлаб чиқилган.
6. Нурланишнинг паст дозасида (D<1015 см'2) нанокристалл фазалар, катта дозасида (D>21016 см'2) эса Gaoi5Al0,5As турдаги нанопленка хосил бўлиши ва имплантациядан кейин 850-1000 К ораликда қиздириш ҳисобига х нинг қийматини 0,5 дан 0,2 гача ўзгартириш мумкинлиги таъкидланган.
7. Ионлар билан бомбардимон килиш орқали яримўтказгичлар сиртида хосил қилинган бир ва уч компонентой наноўлчамли структураларнинг тақиқланган зона кенглиги ва валент электронларнинг зичлик ҳолати баҳоланди, хусусан, нанокристаллар сирт ўлчамларининг ~5(Н60 нм дан 10^-15 нм гача камайиши натижасида Si такиқланган зонаси кенглиги 1,2 дан 1,5 эВ гача, CoSiO - 2,4 дан 2,8 эВ гача, Gai.xAlxAs - 2,4 дан 2,9 эВ гача ортиши кўрсатилган.
8. Тақиқланган зона кенглиги бошқариладиган Gal-xAlxAs наноструктураларни олишнинг оптимал шароитлари (ионли бомбардирлаш, қиздириш) Si/CoSi2/Si намунасининг наноэпитаксиал гетероструктуралари металл базали транзисторларни ишлаб чикишга имкон берган.

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Жахон миқёсида бугунги кунда жадаллик билан ривожланаётган яримўтказгичлар соҳасида истикболли йўналишлардан бири бўлган магнит наноструктурали материалларни ва улар асосида катта интеграция даражасидаги ҳажмий интеграл микросхемаларни олиш, магнит хотирали элементларни, магнит қаршиликли сенсорларни, янги турдаги сезгир магнит датчикларни, фотомагнит асбобларни яратиш ҳамда уларни такомиллаштириш бўйича илмий изланишлар олиб борилмокда. Бу борада наноэлектроника ва саноат электроникасининг асосий хомашёси бўлган кремнийнинг кристалл панжаралари ва фаза таркибини сезиларли даражада бузилишга олиб келмаган холда, магнит хусусиятга эга бўлган наноструктураларни ҳосил килиш ва уларнинг магнит хоссаларини бошқариш мухим вазифалардан бири бўлиб ҳисобланади.
Бугунги кунда жаҳонда ионли имплантация, радиациали нурлар, эпитаксияли ўстириш ҳамда кимёвий усуллар ёрдамида турли котишма ва гетероструктураларда магнит хусусиятли нанокластерларни ҳосил қилишга катта аҳамият берилмокда. Бу борада, максадли илмий тадкиқотларни жумладан, куйидаги йуналишлардаги илмий изланишларни амалга ошириш муҳим вазифалардан ҳисобланади: кремний панжарасида паст хароратли босқичма-босқич диффузияли легирлаш ёрдамида марганец атомларининг магнит хусусиятли нанокластерларини шакллантириш ҳисобига магнит наноструктурали материалларни олиш усулини ишлаб чикиш; нанокластерлар структурасини, ўлчамини ва магнит моментини хамда нанокластерларга эга кремнийнинг магнит сингдирувчанлигини ва магнитланишини аниқлаш; кремнийнинг магнит хоссаларини ундаги магнит хусусиятли нанокластерларнинг концентрациясига ва электрофизик параметрларига боглик равишда хароратнинг кенг сохасида турли ташки таъсирлар ёрдамида бошқариш; хароратнинг паст сохасида кремнийни ферромагнит холатга ўтишини аниқлаш.
Узбекистан Республикасини янада ривожлантиришнинг Ҳаракатлар стратегиясида белгиланган вазифаларни амалга оширишда, илмий ва инновация ютукларини амалиётга жорий этишнинг самарали механизм-ларини яратиш масалаларига алоҳида эътибор қаратилмокда. Фаол тадбиркорлик, инновацион ғоялар ва технологияларни қўллаб-қувватлаш йили олинган илмий натижаларни ҳозирги замон талабларига жавоб берадиган даражага олиб чиқиш алоҳида эътиборга сазовор. Бу борада яримўтказгичли материалларни сиртида наноструктураларни хосил қилишнинг янги усулларини яратиш ва тадқиқ қилиш асосида янги турдаги яримўтказгичли асбоблар, ёруғлик, босим, намлик ва ҳарорат датчиклари, юқори кучланишли ва частотали диодлар ишлаб чиқиш масалаларига алохида эътибор қаратилган, кремнийда эрувчанлиги катта бўлган нодир ер элементлари (гадолиний, европий, голмий, саммарий) билан легирлашнинг оптимал усуллари аниқланган. Бу борада материалнинг бутун ҳажми бўйича электрофизик параметрлари бошқариладиган магнит хусусиятли нанокластерларни шакллантириш ва улар ҳисобига материалнинг магнит хоссаларини бошкариш мухим ахамиятга эга.
Ушбу диссертация тадқиқоти маълум даражада Ўзбекистон Республика-си Президентининг 2017 йил 7 февралдаги ПФ-4947-сонли «Ўзбекистон Республикасини янада ривожланиши бўйича ҳаракатлар стратегияси тўғриси-да»ги Фармони, 2017 йил 13 февралдаги ПҚ-№2772-сонли «2017-2021 йилларда электроника саноатини ривожлантиришнинг устувор йўналишлари тўғ-рисида»ги ва 2017 йил 17 февралдаги ПҚ-№2789-сонли «Фанлар академия-сининг фаолиятини, илмий тадқиқот ишларини ташкил этиш, бошкариш ва молиялаштиришни янада такомиллаштириш чора-тадбирлари тўғрисида»ги Қарорлари ҳамда мазкур фаолиятга тегишли бошқа меъёрий-хукукий хуж-жатларда белгиланган вазифаларни амалга оширишга хизмат қилади.
Тадқиқотнинг мақсади кремнийнинг магнит хоссаларини марганец киришмалари атомларининг магнит хусусиятли нанокластерлари концентрацияси ва электрофизик параметрларига боғлиқ равишда ҳароратнинг кенг соҳасида турли ташки таъсирлар ёрдамида бошқаришдан иборат.
Тадқиқотнинг илмий янгилиги куйидагилардан иборат:
кремний панжарасида ҳажм бўйича тенг тақсимланган ва параметрлари бошқариладиган марганец атомларининг магнит хусусиятли нанокластерларини шакллантириш имкониятини берадиган паст ҳароратли босқичма-босқич амалга ошириладиган диффузия технологиясининг режимлари оптималлаштирилган;
марганец атомлари нанокластерларининг ҳароратга барқарорлиги хисобига, марганец атомлари билан легирланган кремнийнинг электрофизик параметрларини юкори ҳароратларда турғунлигини ошириш усули ишлаб чиқилган;
кремнийдаги марганец атомларининг магнит хусусиятга эга бўлган нанокластерлари концентрациясини 1015 см'3 гача ошириш ҳисобига хона ҳароратида ўта юқори қийматдаги манфий магнит қаршилиги кузатилиши аниқланган;
марганец атомларининг магнит хусусиятли нанокластерларига эга бўлган кремнийда, магнит майдон индукцияси ортиши билан, манфий магнит қаршилигининг киймати чизиқли ортиши аникланган;
бир вактнинг ўзида купли магнит моментга ва зарядга эга бўлган нанокластерларнинг зарядларини интеграл (оқ) ва инфрақизил ёруғлик таъсирида камайиши ҳисобига манфий магнит қаршиликнинг қийматини 100 мартагача сўниш эффекти топилган;
кремнийда магнит моментига эга бўлган марганец атомлари нанокластерларининг спинларини, ҳароратнинг 30 К дан паст соҳасида, тартибли йўналиш ўрнатилиши ҳисобига, кремнийни ферромагнит ҳолатга ўтиши аниқланган;
нанокластерли кремнийнинг 10 К ҳароратдаги, тажриба асосида аниқланган магнитланганлик (Z,w„) киймати ёрдамида марганец атомлари нанокластерларининг магнит моменти ҳисобланган;
энергия (kT) ортиши билан нанокластерларнинг спинларини тартибланган йўналишининг бузилиши ҳисобига, кремнийнинг магнитланганлигини ҳарорат ошиши билан чизиқли камайиши аникланган;
электр майдон кучланганлигини 0,1 600 В/см ва магнит майдон
индуксияси 0,2 + 2 Тл оралиғида, ҳамда 240 К ҳароратда, нанокластерли кремнийнинг магнит қаршилигини 6 мартагача ошириш имконияти кўрсатилган.
Хулоса
Кремнийнинг магнит хоссаларини унда шакллантирилган марганец атомларининг магнит хусусиятли нанокластерларининг концентрациясига ва электрофизик параметрларига боғлик равишда хароратнинг кенг сохасида турли ташқи таъсирлар ёрдамида бошқаришни тадқиқ қилиш натижаси асосида қуйидаги хулосаларга келинди:
1. Наноэлектроника ва спинтроника материали сифатида янги физик хоссаларга эга бўлган магнит нанокластерли кремний олишнинг оптимал диффузион технология усули ишлаб чиқилди.
2. Кремний кристалл панжарасидаги марганец атомларини магнит нанокластерларининг ўлчамлари аниқланган ва уларни ўлчамларини 0,7 нм дан 1,4 нм гача бошқариш имконияти кўрсатилган.
3. Хона хароратида кремнийда марганец атомлари магнит нанокластерларининг концентрацияси 1015 см'3 бўлганда, манфий магнит қаршиликнинг кийматини 300 % гача ортиши аникланган.
4. Манфий магнит каршиликнинг кийматини, тушаётган интеграл (ок) ёруглик интенсивлигини 0-20 Лк оралигида 100 мартагача ошириши кўрсатилган.
5. Манфий магнит каршилик кийматини инфрақизил ёруғликни тўлқин узунлигига, хароратга ва электр майдон кучланганлиги билан боглик ўзгариш қонуниятлари аникланган.
6. Хароратнинг 30 К дан паст сохасида, марганец атомлари магнит нанокластерларининг концентрацияси 2-1014 см'3 дан ортиқ бўлган кремнийда ферромагнит хусусият намоён бўлиши аникланган.
7. Ферми сатҳини ҳолатига боғлиқ равишда манфий магнит каршиликни 120-370 К ҳарорат оралиғи чегарасида кузатиш мумкинлиги аниқланган.
8. Магнит нонокластерли кремнийда юкори ҳароратли катта манфий магнит каршилик кузатилишига локализацияланган заряд ташувчиларнинг ташки электр ва магнит майдон таъсирида ўтказувчанликда иштирок этиши билан боғлиқ бўлган физик механизм таклиф қилинган.
9. Марганец атомлари билан легирланган Si<B,Mn> п-турдаги кремнийда хам хароратнинг 120-190 К интервал оралигида, максимал киймати 35 % гача бўлган манфий магнит каршилик кузатилган.
10. Марганец атомларининг магнит нанокластерларига эга кремний асосида, ҳароратни 200^-360 К гача бўлган оралигида ишловчи сезгирлиги юқори бўлган фотомагнит, магнит, хароратни ўлчовчи ва куп функцияли датчикларни яратиш имкониятлари кўрсатилган.

Тадқиқот объектлари: полярон, биполярон, купратлар.
Ишнинг мақсади: узокдан таъсир этадиган электрон-фонон таъсирлашувини инобатга олган ҳолда кичик поляроннинг Холстейн моделини ривожлантириш орқали енгил поляроннинг мавжуд бўлишини кўрсатиш ва купратли юқори ҳароратли ўтаўтказгичларда заряд ташувчисининг массаси қийматини, инфракизил ютилиш ва ўтаўтказувчан ҳолатга ўтиш критик ҳароратининг юкори кийматларини тушунтириш.
Тадқиқот услублари: иккиламчи квантлаш усули, Ланг-Фирсовнинг алмаштириш усули, квазиклассик якинлашиш (ВКБ усули), Франка-Кондон принципи, ноадиабатик ва адиабатик яқинлашувлар.
Олинган натижалар ва уларнинг янгилигн: конденсирланган ҳолатлар физикаси ва кучли таъчирлашувчи электронлар ва фононларлардан ташкил топган система назарияси, хусусан узокдан таъсир этувчи электрон-фонон таъсирлашуви негизидаги панжарали Холстейн поляронлари назарияси ривожлантирилган. Бундан ташқари поляронларниг жуфтлашиш назарияси ривожлантирилган ва ташқи босим (кучланиш)нинг панжарали биполяронларнинг Бозе-Эйнштейн конденсацияси тепературасига таъсирининг янги назарияси таклиф этилган.
Амалий ахамияти қаттик жисмлар назариясини, таъсирлашувчи электрон-фонон системаси назариясини, хусусан Холстейннинг панжарали поляронлари назариясини ривожлантирилганлигидадир. Бундан ташқари ривожлантирилган усуллар купратларда заряд ташувчиснинг массасини ва поляронларнинг оптик ўтказувчанлигини ҳисобоаш, икки тугунли биполяроннинг ҳосил бўлишини ва ўтаўтказувчанликнинг биполярон назариясига асосланиб купратларининг критик хароратларини чамалаш имконини беради.
Татбиқ этиш даражаси ва иқтисодий самарадорлиги: Иш фундаментал характерга эга бўлиб унинг натижалари купратларда эффектив масса, оптик (инфрақизил) ютилиш, ўтаўтказувчанлик тартиб параметрининг симметрияси ва ташқи босим (кучланиш)нинг критик ҳароратга таъсири билан боғлиқ тажриба натижаларини тушунтиришда ишлатилиги мумкин.
Қўлланиш соҳаси: конденсирланган ҳолатлар физикаси ва юкори ҳароратли ўтаўтказувчанлик материалшунослиги.

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Жаҳонда, ҳо-зирги кунда бир пайтнинг ўзида ҳам магнит ҳам яримўтказгич ҳоссаларига эга бўлган материалларни яратиш бўйича жадал тадқиқод ишлари олиб борилмокда. Шу билан биргаликда бундай материаллар ноёб физик хосса-ларга эга, бу эса уларни магнит майдон ёрдамида бошқариладиган янги синфдаги оптоэлектрон асбобларни яратишда истикболи мавжудлигини кўрсатиб, бу соҳада юз берувчи физик жараёнларни тадқиқ этиш муҳим вазифалардан бири бўлиб келмокда.
Мустакиллик йилларида мамлакатимизда яримўтказгичлар физикаси соҳасини ривожлантириш, хусусан яримўтказгич ва металларда электрон-ларнинг энергетик спектрини ўрганишда квантловчи магнит майдонининг қўлланилишига алоҳида эътибор қаратилди. Бу борада, магнит майдони энергетик тизимини тубдан ўзгартириб, энергиянинг маълум кийматларида ҳолатлар зичлиги ўзига хос жихатларга эга бўлиши асосида шу соханинг ривожланишида сезиларли натижаларга эришилмокда.
Квантловчи магнит майдонида термодинамик холатлар зичлигига ҳарорат ва босимнинг таъсирини тадқиқ этиш тор ва кенг таъқиқланган зонали яримўтказгичларда квант осцилляция ҳодисаси хусусиятларини интерпретация қилиш моделини яратиш учун муҳим ахамият касб этмокда. Бу борада мақсадли илмий тадқиқотларни, жумладан, куйидаги йўналишлар-даги илмий изланишларни амалга ошириш мухим вазифалардан бири хисобланади: квантловчи магнит майдонда яримўтказгичларнинг термодинамик холатлар зичлигига хароратнинг таъсирини тадқик этиш; Кейн дисперсия конуни учун квантловчи магнит майдонда яримўтказгичларни таъқиқланган зона кенглигига хароратнинг таъсирини назарий аниклаш; яримўтказгичларда Шубников-де Гааз ва де Гааз-ван Альфен осцилляция-ларини ҳароратга боғлиқлигини тадқиқ килиш; ноквадратик дисперсия конуни учун яримўтказгичларда комбинирланган ҳолатлар зичлиги осцилляцияларига хароратнинг таъсирини текшириш; Кейн дисперсия конуни учун яримўтказгичларда “Веер” диаграммасини хароратга богликлигини тадкик этиш; яримўтказгичларда квант осцилляция ходисаларини хароратга богликлигига босимнинг таъсирини хисоблаш-тадкикот ишлари.
Ўзбекистон Республикаси Президентининг 2010 йил 15 декабрдаги ПҚ-1442-сон «2011-2015 йилларда Ўзбекистон Республикаси саноатини ривожлантиришнинг устувор йўналишлари тўғрисида»ги Қарори ҳамда мазкур фаолиятга тегишли бошка меъёрий-ҳукукий хужжатларда белгилан-ган вазифаларни амалга оширишга ушбу диссертация тадқиқоти муайян даражада хизмат килади.
Тадқиқотнинг мақсади квантловчи магнит майдонда яримўтказгич-ларнинг осцилляция ҳодисаларига ҳарорат ва босимнинг таъсирини ўрганишдан иборат.
Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор квантловчи магнит майдонда термодинамик ҳолатлар зичлигини хароратга боғликлиги назарий аниқланган;
ноквадратик дисперсия конуни учун квантловчи магнит майдонда комбинирланган ҳолатлар зичлиги осцилляциясига хароратнинг таъсирини хисоблаш усули ишлаб чиқилган;
холатлар зичлигини узлуксиз спектрининг экспериментал қийматидан фойдаланиб тузилган математик моделлаштириш жараёни Ландау дискрет сатхларини хисоблаш имкони очиб берилган;
нопараболик дисперсия конуни учун ютилган ёруглик частотаси ва яримўтказгичларни таъқиқланган зона кенглигини магнит майдонга ночизик-ли боғланганлиги кўрсатилган;
яримўтказгичларда Ландау сатхларини термик кенгайишини хисобга олган холда Шубников-де Гааз ва де Гааз-ван Альфен эффектларининг хароратга боғликлиги назарияси таклиф килинган;
ўтказувчанлик зонасидаги эркин электронларнинг Ландау сатҳларига босимнинг таъсирини хисоблаш учун аналитик ифодаси топилган.
Хулоса
Квантловчи магнит майдонда яримўтказгичларнинг осцилляция ҳодисаларига ҳарорат ва босимнинг таъсирини ўрганиш натижалари асосида қуйидаги хулосалар килинди:
1. Квантловчи магнит майдонида термодинамик холатлар зичлигини аниклаш модели ишлаб чиқилиб, ушбу модел параболик дисперсия конуни учун кучли магнит майдондаги термодинамик холатлар зичлиги Ns хароратнинг ортиши билан магнит майдони бўлмаган намунадаги ҳолатлари зичлиги билан мос тушишини аниклашга имкон берган, хамда хароратнинг ортиши билан термик кенгайиши хисобига Ландау сатхдари ювилиб кетиши ва Ns магнит майдони бўлмагандаги холатлар зичлигига айланиши аникланди.
2. Нопараболик дисперсия конуни учун квантловчи магнит майдонда термодинамик холатлар зичлиги учун олинган аналитик ифода асосида Кейн дисперсия конуни учун квантловчи магнит майдонда термодинамик холатлар зичлигига хароратнинг боғликлиги кўрсатилди.
3. Таклиф этилган моделдан фойдаланиб, PbS ва РЬТе лар учун кенг хароратлар оралигида Ландау сатхларини назарий аниклашга эришилди.
4. Яримўтказгичларда де Гааз-ван Альфен ва Шубников-де Гааз эффекта осцилляцияларини хароратга боғлиқлик назарияси ишлаб чикилди. Квантловчи магнит майдонда де Гааз-ван Альфен ва Шубников-де Гааз эффектларини хароратга боғлиқлиги Ландау сатхларининг термик кенгайиши асосида тушунтирилди.
5. Шубников-де Гааз осцилляцияси кийматлари асосида электрон-ларнинг циклотрон эффектив массасини ҳисоблашнинг янги методи таклиф килинди.
6. Нопараболик дисперсия конуни учун яримўтказгичларда комбинир-ланган холатлар зичлигини ҳароратга боғлиқлиги хусусийлиги ўрганилди.
7. Квантловчи магнит майдонида яримўтказгичларнинг ўтказувчанлик зонасидаги Ландау сатхларини босимга богликлигининг аналитик ифодаси топилган, натижада Шубников-де Гааз ва де Гааз-ван Альфен осцилляция-ларида сезиларли ўзгариш содир бўлиши таъкидланган.

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Бугунги кунда жахонда номувозанатдаги квант системалар динамикасининг назарий тадқиқоти замонавий назарий ва экспериментал физиканинг долзарб фундаментал масаларини ҳал қилишга катта аҳамият бермокда. Жумладан, номувозанатли квант системалардаги флуктуация ва диссипация ходисалари тадқиқида, одатда, квант Марков жараёнларининг стандарт техникасидан кенг миқёсда фойдаланилади. Маълумки, реал физик, техник ва биологик системаларнинг ташқи тасодифий таъсирга бўлган жавоби номарков жараён бўлиб, номарков эффект системанинг мураккаблик даражаси ошиши билан ортиб боради ва мос равишда бундай системалар Марков жараёнларига асосланиб ишлаб чиқилган стандарт усул ёрдамида ифодалана олмайди. Бу номарков тасодифий жараёнларни ифодалаш учун математик усулни ишлаб чиқиш заруратини кўрсатади.
Мамлакатимизда назарий физиканинг турли йўналишларини ривожлантириш ҳамда дунё микёсида фундаментал муаммоларни хал этиш бўйича кенг камровли чора-тадбирлар амалга оширилиб, муайян натижаларга эришилмокда. Бу борада номувозанатли системаларнинг назарий муаммоларини ечиш ва уларни амалиётга татбиқ этиш, квант системалар учун ностационар кинетик коэффициентларни аналитик ҳисоблаш усулларини яратиш, оғир ионлар иштирокида кечадиган ядро реакцияларини назарий ўрганиш, ташки майдонларни турли номувозанатли квант системалар ва номувозанатли жараёнларга таъсирини тадқиқ килиш борасида сезиларли натижаларга эришилганлигини алоҳида таъкидлаш керак. Ўзбекистон Республикасини янада ривожлантириш бўйича Ҳаракатлар стратегияси асосида номувозанатли квант системалар, номувозанатли диссипатив жараёнлар сохасидаги назарий ва амалий изланишлар натижасида инновацион технологияларни жорий этиш оркали диссипатив квант системалар назарияси ва нанотехнология соҳасининг ривожланиш самарадорлигини ошириш долзарб масалалардан биридир.
Бугунги кунда жаҳонда куйи энергиялардаги оғир ионлар тўқнашувида ядроларнинг тўсиқости қўшилиши, кристаллардаги диссипацияли туннел ўтишлар, турли табиатдаги купли, кучсиз ва ўта кучсиз магнит майдонларининг мураккаб физик ҳамда биологик объектларга таъсири бўйича олинган янги эксперимент натижалари мавжуд анъанавий усуллар асосида тушунтириш кийин бўлган янги муносабат ва эффектлар борлигини кўрсатмокда. Ҳозирга кадар потенциал тўсикдан тунелли ўтишда номарков эффектларни ҳисобга олиш номувозанатли квант системаларнинг тўла ечилмаган муаммоси бўлганлиги сабабли диссипатив квант системаларда тунел ўтишларни ҳисоблашнинг янги усулларини ишлаб чиқиш кичик ўлчамли ва куйи температурали мезоскопик системаларни тадкик килишда муҳим аҳамиятга эга. Ядроларнинг тўла қўшилиш, квазибўлиниш, бўлиниш ва ядронинг ядро билан камраб олиниш реакциялари бўйича эксперимент натижаларини назарий тушунтириш ва ифодалаш учун ностационар транспорт коэффициентларни ҳамда метастабил ҳолатларнинг емирилиш кенглигини аниқлаш усулларини ишлаб чикиш зарур. Бундан ташқари, диссипацияли тунел ўтиш, квант нуқталар ва квант ўралар орасидаги электронларнинг транспорта масалалари ҳамда астрофизиканинг мухим муаммоларидан бири бўлган катта зичликка эта астрономик объектлардаги ядроларнинг қўшилишини ўрганиш долзарб вазифалардан хисобланади.
Узбекистан Республикаси Президентининг 2017 йил 16 февралдаги ПФ-4958-сон «Олий ўкув юртидан кейинги таълим тизимини янада такомиллаштириш тўғрисида» Фармони, 2010 йил 15 декабрдаги ПҚ-1442-сон «Узбекистан Республикаси саноатининг 2011-2015 йилларда ривожланиш истикболлари тўғрисида»ги ва 2017 йил 17 февралдаги ПҚ-2789-сон “Фанлар академияси фаолияти, илмий-тадқиқот ишларини ташкил этиш, бошқариш ва молиялаштиришни янада такомиллаштириш чора тадбирлари тўғрисида»ги Қарори ҳамда мазкур фаолиятга тегишли бошка меъёрий-хукукий хужжатларда белгиланган вазифаларни амалга оширишда ушбу диссертация тадқиқоти муайян даражада хизмат қилади.
Тадқиқотнинг мақсади номувозанатли квант системаларнинг Марков ва номарков динамикасини ифодаловчи формализмни ишлаб чиқишдан и борат.
Тадқиқотнинг илмий янгилиги куйидагилардан иборат:
квант термостат билан тўла боғланган гармоник осциллятор учун айланаётган тўлкин яқинлашиши ёндашиш доирасида ночизиқли стохастик тенгламалар системаси келтириб чиқарилган ва уларнинг аналитик ечимлари топилган;
номувозанатли квант системалар учун вақтга ошкора боғлиқ бўлган транспорт коэффициентларни аниқлашнинг ва квант флуктуацияларни аналитик хисоблашнинг усуллари ишлаб чикилган;
умумлашган номарком стохастик тенгламадан зичлик матрицаси учун эквивалент номарков квант диффузия тенгламаси ва флуктуация-диссипация (ФД) нинг умумлашган квант богланиши келтириб чиқарилган;
бир жинсли ташки магнит майдондаги икки ўлчамли зарядланган квант осциллятор учун ностационар ишқаланиш ва диффузия коэффициентларининг аник ифодалари кўрсатилган;
икки ўлчамли зарядланган квант осциллятор учун транспорт коэффициентлар ва корреляция функцияларининг асимптотик қийматларини аниқловчи ифодалар ёзилган;
куйи температура ва катта вақт оралиқлари учун осцелляторнинг корреляция функциясининг емирилишининг даражали конунга бўйсуниши башорат килинган;
огир ионлар иштирокида кечадиган реакцияларда квант ва номарков эффектларининг муҳимлиги аникланган.
Хулоса
«Квант ва мезоскопик очиқ системаларнинг Марков ва номарков динамикаси» мавзусидаги докторлик диссертацияси бўйича олиб борилган тадқиқот натижасида куйидаги хулосаларга келинди:
1. Номувозанатли квант система учун зарур гамильтониан топилган. Шу квант гамильтониандан фойдаланиб номарков стохастик тенгламалар системаси олинди ва уларнинг аналитик ечимлари топилди.
2. Стохастик тенгламаларнинг аналитик ечимларидан фойдаланилган ҳолда зичлик матрицаси учун вақтга боғлик бўлган транспот коэффициентли номарков квант диффузия тенгламаси келтириб чиқарилди.
3. Илк бор куйи температураларда флуктуация-диссипациянинг квант муносабатидан фойдаланишнинг феноменологик муносабатга нисбатан тўғрилиги кўрсатилди. Айланувчи тўлқин якинлашишида осциллятор билан термостат орасидаги тўла боғланиш бўлган хол учун олинган транспорт коэффициентларнинг асимптотикаси ўрганилди.
4. Қўшсатхди диссипатив квант системалар учун ночизиқли стохастик тенгламалар системаси олинди ва уларнинг аналитик ечимлари аниқланди.
5. Потенциал ўрадан метастабил ҳолатни емирилиш тезлигини транспорт коэффицентларининг ностационарлигига кучсиз богликлиги кўрсатилди. Координата-импульс бўйича диффузия коэффициента Dqp емирилиш тезлигини камайишига олиб келади. Сўниш кучсиз бўлган ёки куйи температураларда емирилишнинг квазистационар тезлиги ишқаланиш кўтарилиши билан ошади. Буни куйи температуралардаги емирилиш жараёнида ишқаланишга нисбатан диффузия ролининг ортиши билан тушунтириш мумкин.
6. I6O, l9F, 26Mg, 28Si, 32’34^w«s, 40:48Ca, 50Ti + 2(,8Pb реакцияларининг қамраб олиш кесими учун олинган назарий ҳисоблаш натижалари билан мавжуд экспериментал натижалар орасида жуда яхши мослик борлиги кўрсатилган. Бу қамраб олиш кесимини ҳисоблашнинг таклиф қилинган усулини бошқа жараёнлар учун ҳам қўллаш мумкинлигини асослаб беради.
7. Ecm>Vb бўлганда оғир ядро системалари учун ocapEcm/(TiRbha>b) нинг (Ecm-Vh)/(ha>h') га боғлиқлиги универсал кўринишга эга бўлиши аниқланди.
Ушбу боғланишдан фойдаланиб, тўсиқнинг параметрлари (Rh, Vh, и hcob) ни ҳисоблаган ҳолда қамраб олиш кесими ос ни Есл, га боғлиқлигини башорат қилиш мумкин.
8. Вонгнинг қамраб олиш кесимини ҳисоблаш эмперик формуласи микраскопик асосланди.
9. Бир жинсли ташқи магнит майдондаги икки ўлчамли зарядланган квант осциллятор учун ностационар ишқаланиш ва диффузия коэффициентларининг аник ифодалари топилган. Координатанинг нейтрал бозонли термостат билан чизиқли боғланган ҳоли ўрганилди. Ушбу формализм кучли богланиш ва ихтиёрий температуралар учун ўринлидир.
10. Бозонли термостат бўлган ҳолда магнит майдони ишкаланишни камайтириши ва мос равишда энергия диссипациясининг хам камайиши кўрсатилди. Магнит майдонининг номувозанатли квант системаси динамикасига таъсири куйи температураларда якқолроқ эканлиги асосланди, бундан маълум ҳолларда магнит майдони ёрдамида сиқилган пакетларни олиш имкони борлиги кўрсатилди.

Тадқиқот объектлари: диаметри ва калинлиги (0 > ЗОмм, d > 3 мм) булган монокристалл кремний, Si(Li) p-n ва p-i-n структурали катта ҳажимли сезгирли соҳа, ядро нурланиш Si(Li) детекторлари.
Ишнинг мақсади: қуйманинг диаметри 100^-110 мм гача, калинлиги Wj>5 мм булган кристаллар асосида Si( Li) ли ядровий нуланиш детекторларни ишлаб чикиш ва тайёрлашнинг янги физикавий ва технологик асослари тадкикоти.
Тадқиқот усули: бир ва тўртзонли, электрофизик (ВАХ, ВФХ, ВШХ ), радиометрик ва фазо-частотали ўлчовлар.
Олинган натижалар ва уларнинг янгнлиги: катта диаметрли p-Si да литий ионналирининг диффузияси жараёнининг муҳим физикавий жиҳатлари Li-О комплекс хосил булишини хисобга олган холда кўрсатилган. Катта ҳажимдаги кремний монокристаллари учун литий-дрейф технологиясининг янги физикавий механизимлари топилган. Катта ҳажимли сезиш сохасига эга бўлган Si( Li) p-i-n* структураси асосидаги пастфонли қурилмалар, телескопик тизимнинг универсал спектрометрини яратишнинг илгари номалълум бўлган физикавий ва технологик тамойиллари кўрсатиб ўтилган. Ташқи таъсирлар (ультратовуш, импульсли электор майдонлари) га асосланган, ярим ўтказгичлар физикасида янгича фундаментал билимлари пайдо бўлишига туртки берувчи усуллари яратилган.
Амалий ахамияти: дунёда ухшаши йук, диаметри НО гача бўлган кремний пластинкаларида ядро нурланич детекторлари, фан ва техника, геология, металлургия, медицина, атроф мукитни радиоактив ифлосланишни кўзатиш ва бош. масалаларни ечиш имконини яратади.
Татбиқ этиш даражаси ва иктисодий самарадорлиги: ишлаб чиқилган детекторлар НИИЯФ МГУ, х/д №01/04, 01/05 ИЯФАНРУз, НПО <<Тайфун>> Россия , ОТМК, НТМК, Узгидромет х/д №01/07 09 УзКТЖМ кулланилмокда.
Қулланиш соҳаси: Тадқиқот қилинган ва ишлаб чиқилган катта ҳажмдаги кремний-литийли ядровий нурланиш детекторлари фақатгина ядро физикасининг фундаментал ва амалий масалаларини ечишда истиқболли бўлиб колмасдан медицина, геология, археология, экология ва бошқаларда ҳам фойдали бўлиши мумкин.

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Жахон миқёсида олиб борилаётган кўплаб илмий-амалий тадкиқотлар каср тартибли хусусий ҳосилали дифференциал тенгламалар учуй чегаравий масалаларни тадқиқ қилиш долзарб эканлигини кўрсатмокда. Дастлаб италиялик олимлар томонидан классик модель - диффузия тенгламаси ўрнига каср тартибли хосилали диффузия тенгламаси киритилди. Бу эса ўз навбатида кўплаб физик, биологик, электрохимик жараёнларга мос янги математик моделларнинг курилишига асос бўлди. Каср тартибли дифференциал ва интеграл хисоби мана шундай жараёнларни моделлаштиришнинг самарадор усулларини топиш жараёнида юзага келди. Бундай моделларга мос тенгламаларнинг мураккаблиги, уларни ечишнинг етарли даражадаги аналитик ва сонли усулларининг тўла шаклланмаганлиги сабабли, ушбу тенгламаларга оид тадкиқотларни ривожлантириш мухим вазифаларидан бири бўлиб колмокда.
Мустақиллик йилларида мамлакатимизда амалий татбикқа эга бўлган долзарб йўналишларга эътибор кучайтирилди, хусусан, иккинчи ва юкори тартибли хамда аралаш турдаги хусусий хосилали дифференциал тенгламалар учун турли чегаравий масалаларни тадқиқ қилиш, уларни ечишнинг самарали усулларини топишга алохида эътибор қаратилди. Бу борада, жумладан, хусусий хосилали дифференциал тенгламалар учун тўғри ва тескари чегаравий масалаларни тадкик килиш хамда уларнинг бир қийматли ечилишига дойр салмокли натижаларга эришилмокда. Ўзбекистон Республикасини янада ривожлантириш бўйича Ҳаракатлар стратегияси асосида математика йўналишидаги илмий-тадкиқотлар натижаларидан иқтисодиёт тармоқларининг самарадорлигини оширишда фойдаланиш мухим ахамиятга эга.
Ҳозирги кунда жаҳонда каср тартибли операторларнинг хоссаларини ўрганиш, улар катнашган иккинчи ва юқори тартибли хусусий хосилали тенгламаларга дойр чегаравий масалаларни тадкик қилиш ва амалиётга татбиқ этиш мухим ахамият касб этмокда. Бу борада мақсадли илмий тадқиқотларни, жумладан, куйидаги йўналишлардаги илмий изланишларни амалга ошириш мухим вазифалардан бири ҳисобланади: каср тартибли хусусий хосилали тенгламалар учун чегаравий масалаларни тадкик килиш; каср тартибли хусусий хосилали тенгламалар учун манба функциясини аниқлаш билан боғлиқ тескари масалаларнинг бир қийматли ечилиши шартларини аниқлаш; каср тартибли интегро-дифференциал операторлар хоссаларини ўрганиш ва бу операторларни хусусий хосилали тенгламалар учун чегаравий масалаларни ечишга қўллаш. Юкорида келтирилган илмий-тадқиқотлар йўналишида бажарилаётган илмий изланишлар мазкур диссертация мавзусининг долзарблигини изохлайди.
Узбекистан Республикаси Президентининг 2008 йил 15 июлдаги ПҚ-916-сон «Инновацион лойиҳалар ва технологияларни ишлаб чиқаришга татбиқ этишни рағбатлантириш борасидаги қўшимча чора-тадбирлар тўғрисида» ҳамда 2017 йил 17 февралдаги ПҚ-2789-сон «Фанлар академияси фаолияти, илмий-тадкиқот ишларини ташкил этиш, бошқариш ва молиялаш-тиришни янада такомиллаштириш чора-тадбирлари тўғрисида»ги Қарорлари ва мазкур фаолиятга тегишли бошқа норматив-ҳуқуқий хужжатларда белгиланган вазифаларни амалга оширишга ушбу диссертация тадқиқоти муайян даражада хизмат қилади.
Тадқиқотнинг мақсади каср тартибли интегро-дифференециал операторлар қатнашган хусусий ҳосилали тенгламалар учун тўғри ва тескари масалаларни ечиш, каср тартибли интегро-дифференциал операторлар хоссаларини ўрганиш ва уларни эллиптик тенгламалар учун классик бўлмаган масалаларни ечишда қўллашдан иборат.
Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
каср тартибли интегро-дифференциал операторлар қаташган тўртинчи тартибли хусусий ҳосилали тенгламалар учун нолокал масалаларнинг бир қийматли ечимга эга эканлиги кўрсатилган;
Самарский-Ионкин туридаги масалаларга мос спектрал масалалар ўзак функцияларининг Рисс базиси ташкил этиши исботланган;
каср тартибли хусусий ҳосилали тенгламалар учун манба функциясини аниқлаш билан боғлиқ тескари масалаларининг бир қийматли ечилиши шартлари аниқланган;
аралаш турдаги каср тартибли тенгламалар учун интегро-дифференциал богланишли масалаларнинг регуляр ечилиши кўрсатилган;
Адамар, Адамар-Маршо туридаги каср тартибли интегро-дифференциал операторлар умумлаштирилган, уларнинг хоссалари ўрганилган ва бу операторлар эллиптик тенгламалар учун гармоник функциялар хамда Гёльдер синфларида чегаравий масалаларни ечишга қўлланилган;
чегаравий шартларида умумлашган каср тартибли операторлар қатнашган эллиптик тенгламалар учун чегаравий ва Бицадзе - Самарский туридаги масалаларни гармоник ва силлик функциялар синфларида ечиш усуллари ишлаб чикилган.
Хулоса
Диссертация иши каср тартибли интегро-дифференциал операторлар-нинг хоссаларини ўрганиш ва уларни хусусий хосилали дифференциал тенгламалар учун чегаравий масалаларни ечиш муаммоларига қўллашга бағишланган.
Диссертация ишида олинган натижалари бўйича қуйидагиларни хулоса қилиш мумкин: 
1. Капуто ва Джрбашян-Нерсесян маъносидаги каср тартибли ҳосилали тўртинчи тартибли параболик тенглама учуй Самарский-Ионкин туридаги нолокал масалалар тадқиқ килинган, ушбу масалаларга мое ўзак функцияларининг Рисе базиси ташкил этиши кўрсатилган. Олинган натижалар кўплаб бошқа хусусий ҳосилали дифференциал тенгламалар учун юқоридагиларга ўхшаш масалаларнинг хоссалари, уларнинг спектрларини ўрганишда асос бўлиб хизмат килиши мумкин.
2. Каср тартибли, аралаш турдаги параболо-гиперболик тенгламалар учун интеграл боғланиш шартли бир канча тўғри ва тескари масалаларнинг коррект ечилиши кўрсатилган. Ушбу натижалар бутун тартибли ҳосилали аралаш турдаги тенгламалар учун олинган натижаларни умумлаштириб, келгусида иккинчи ва юқори тартибли аралаш турдаги тенгламалар ёки бундай тенгламаларга олиб келувчи тадбиқий масалаларда кўлланилиши мумкин.
3. Гармоник функциялар ва Гёльдер синфларида каср тартибли интегро-дифференциал операторларнинг хоссалари, уларни чегаравий масалаларни ечишга қўллаш муаммолари ўрганилган. Олинган натижалар гармоник функциялар ва Гёльдер синфларида янги каср тартибли операторларни киритиш ва умумлаштириш, улардан чегаравий масалаларни ечиша фойдаланиш учун асос бўлишлари мумкин.
4. Диссертация ишида фойдаланилган усуллар ва олинган натижалардан каср хисоби, дифференциал ва интеграл тенгламалар, математик физика тенгламалари каби фанлар бўйича назарий тадқиқотларда фойдаланиш, диссертация бўлимлари эса “Математика” мутахассислиги бўйича таълим олаётган талабаларга махсус курс сифатида киритилиши мумкин.

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Жахонда бугун-ги кунда интенсив ривожланаётган яримўтказгичлар соҳасида истикболли йўналишлардан бири бўлган оптикэлектрон асбобларнинг янги турларини барпо килишга, шунингдек инжекцияли фотодиодларни такомиллаштириш муаммоларига алоҳида эътибор қаратилмокда. Бу борада инжекцияли фото-диодларнинг ишлаш принципи, уларга қўйилган кучланишнинг электрон-ко-вак жуфтликларининг генерацияланиши ва электромагнит нурланиши таъ-сирида база каршилигининг модуляцияланиш жараёнларини тадқиқ килиш фотодиодларнинг янги турини яратишдаги мухим вазифалардан бири бўлиб ҳисобланади.
Ҳозирги кунда дунёда ярим ўтказгичлар физикаси сохасида инжекцияли фотодиодларнинг физик хусусиятларининг шаклланишида база параметлари-нинг ролини аниқлашга катта ахамият берилмокда. Бу борада максадли ил-мий тадкиқотларни, жумладан, куйидаги йўналишлардаги илмий изланиш-ларни амалга ошириш мухим вазифалардан хисобланади ва буларга: тадкик қилинадиган тузилмаларда содир бўлаётган физик жараёнларни мукаммал ўрганиш ва фотоэлектрик характеристикаларининг шаклланиш механизм-ларини аниқлаш; инжекцияли фотодиодларни тайёрлаш технологик усулари-ни мукаммаллаштириш; кадмий сулфиди ва кремний асосидаги гетеротузил-мали фотодиодларнинг спектрал характеристикаларининг гетерочегарадаги жараёнлар билан боғлиқлигини аниқлаш; уларнинг функционал параметр-ларини оптималлаштириш усулларини излаш; хамда уларни тайёрлаш техно-логиясини мукаммаллаштириш киради.
Узбекистан Республикасини янада ривожлантиришнинг Ҳаракатлар стратегиясига кўра, илмий ва инновация ютуқларини амалиётга жорий этишнинг самарали механизмларини яратиш масалаларига алоҳида эътибор қаратилмокда. Жумладан микроэлектроника ва яримўтказгичли гетеротузил-маларда кечадиган электрон жараёнларни ва спекрал характеристикаларини бошқариш имкониятларини аниқлаш амалиётга тадбиқ қилиш муҳим вазифалардан бири хисобланади. Фаол тадбиркорлик, инновацион ғоялар ва технологияларни қўллаб-қувватлаш йилида олинган илмий натижаларни ҳозирги замон талабларига жавоб берадиган даражага олиб чиқишга алоҳида эътибор қаратиш зарур. Бунда хар хил спектрал диапазонга мўлжалланган гетеротузилмали фотодиодларнинг функционал характеристикаларини опти-маллаштириш оркали уларнинг самадорлигини ошириш мухим ахамият касб этади. Бу борада турли ташки таъсирлар оркали сиркиш токларини камай-тириш усуллари ишлаб чиқилган. Шулар қаторида кадмий сулфиди ва кремний асосидаги гетеротузилмали фотодиодларнинг спектрал характеристикаларининг шаклланишини, динамик ва статик характеристикаларини изохлайдиган электрон жараёнларни аниқлаш, фотоэлектрик параметр-ларининг самарадорлигини ошириш хамда уларни яратишнинг янги технологияларини ишлаб чикиш мухим ахамиятга эга.
Ушбу диссертация тадқиқоти маълум даражада Узбекистан Республика-си Президентининг 2017 йил 7 февралдаги ПФ-4947-сонли «"Узбекистан Рес-публикасини янада ривожланиши бўйича ҳаракатлар стратегияси тўғриси-да»ги Фармони, 2017 йил 13 февралдаги ПҚ-№2772-сонли «2017-2021 йил-ларда электроника саноатини ривожлантиришнинг устувор йўналишлари тўғ-рисида»ги ва 2017 йил 17 февралдаги ПҚ-№2789-сонли «Фанлар академия-сининг фаолиятини, илмий тадкиқот ишларини ташкил этиш, бошқариш ва молиялаштиришни янада такомиллаштириш чора-тадбирлари тўғрисида»ги Қарорлари хамда мазкур фаолиятга тегишли бошқа меъёрий-ҳуқуқий ҳуж-жатларда белгиланган вазифаларни амалга оширишга хизмат қилади.
Тадқиқотнинг мақсади п' CdS - «CdS - pSi ва п' CdS - «CdS - «Si-гете-ротузилмалари асосидаги инжекцияли фотодиодларнинг ток ташиш меха-низмларини хамда уларнинг динамик ва статик характеристикаларини изохлайдиган электрон жараёнларни аниқлашдан иборат.
Ишнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
квазиёпик вакуум тизимида CdS кукунини термик пуркаш йўли билан илк бор кремний тагликда CdS юпка катламлари олиниб, улар асосида ички кучайтиришга ва созланувчи спектрал сезгирлик диапазонига эга бўлган инжекцияли фотокабуллагич сифатида ишлайдиган л CdS - /?CdS - pSi- ва /?+CdS - «CdS - nSi-гетеротузилмаларни тайёрлаш технологияси ишлаб чиқилган; /7 *CdS - /?CdS - pSi-гетеротузилма 389 - 1238 nm тўлкин узунликлар ора-лиғида жойлашган кенг камровли спектрал сезгирлик диапазонида «чўққиси» 475 nm тўлкин узунликда ётган битта катта ва мос равишда 618 nm, 740 nm ва 821,8 nm тўлқин узунликларда ётган учта кичик «чўққи»лар ҳар хил сатхдарга эга бўлган киришмалар мавжудлигини тасдиқлаган;
термодинамик мувозанат ҳолатида «CdS - /?51-гетероўтиш чегарасида сирт потенциалининг киймати 0,04 eV га тенг бўлган акцептор типидаги манфий зарядланган сирт ҳолатлари ҳосил бўлиши, сирт потенциали t//s манфий кутбли бўлганда, сирт ҳолатлари зичлиги (Wss) катта кийматларга, y/ss мусбат бўлганда эса кичик қийматлар кабул қилиши асосланган;
тўғри йўналишдаги кучланишнинг ортиши билан pSi-тагликдан база соҳасига электронлар инжекциясининг ортиши фототокнинг ортишига ва спектрал диапазоннинг қисқа тўлкин томонига кенгайиши ток ташувчи-ларнинг йиғилиш коэффициента ортиши билан боғликлиги исботланган;
373 Кга киздирилган «CdS - pSi- ва «CdS - «Si-гетеротузилмалар юзаси-га индийни вакуумда термик пуркаш ва кейинчалик 673 К ҳароратда 30 сек, давомида термик ишлов бериш йўли билан «CdS юпқа катлами устида кучли легирланган юпқа л1 CdS катламни шакллантириш ва контакт олишнинг режимлари оптималлаштирилган.
Хулоса
л'CdS - «CdS - pSi ва «+CdS - «CdS - «Si-гетеротузилмалари асосидаги инжекцияли фотодиодларнинг ток ташиш механизмларини, хамда уларнинг динамик ва статик характеристикаларини изохлайдиган электрон жараён-ларни аниклаш асосида қуйидаги хулосалар килинди:
1. Кремний пластинкаларига квазиёпик вакуум тизимида CdS кукунини термик пуркаш йўли билан л* CdS - «CdS - pSi- ва л CdS - flCdS - л51-гетеротузилмаларни олиш технологияси ишлаб чикилган.
2. Силжитиш кучланишининг тўғри йўналишида л CdS - nCdS-yram хона ҳароратида аккумуляцияловчи режимда бўлиб, Е = 0.1 lux бўлган ок нур билан ёритилганда у 5int = 2,8-104 A/lm (3-106 A/W) интеграл сезгирлик-ка, тўлқин узунлиги 2 = 0,625 nm, куввати Р = 10 pW/cm2 бўлган лазер нури билан ёритилганда эса S\ - 2.3-104 A/W спектрал сезгирликка эга бўлиши тасдиқланган.
3. Тўғри йўналишда уланган pSi - лСб5-гетероўтишнинг бўлиниш чега-расида мавжуд бўлган, кремнийнинг такикланган зонасининг пастки ярмида жойлашган сирт ҳолатлари орқали кремнийдан (pSi-таглик) база (лСб8)га ковакларнинг туннелланиши аниқланган.
4. Силжитиш кучланишининг тескари йўналишида /?+CdS - «CdS - /?Si-гетеротузилманинг pSi - «CdS-гетероўтиши ноидеал инжекцияловчи (элект-ронлар учун) контактга айланиб, шу вақтнинг ўзида у «CdS-база томонидан эффектов аккумуляцияловчи контакт ва коваклар учун ношаффоф бўлиши ВАХда нимчизиқли соҳа пайдо бўлишига олиб келиши кўрсатилган.
5. Электромагнит нурланишининг кисқа тўлқин узунликлар (2 = 350 -865 nm) соҳасида хам, узун тўлқин узунликлар (2 = 865 + 1300 nm) соҳасида хам «'CdS - «CdS - pSi-гетеротузилмалар фотосезгирлиги ишорасининг инверсия нукталари диод тузилмалар базасида бир-бирига қарама-карши йўналган ёруғлик ва коронғилик токларининг тўлиқ компенсацияланиши хисобига пайдо бўлиши ўрнатилган.
6. Хона ҳароратида /? CdS - «CdS - pSi-гетеротузилма тескари йўна-лишда уланганда унинг ВАХи ток ўтказиш механизмлари бир биридан фарқ қиладиган тўртта соҳадан иборатлиги, яъни биринчи соҳада ток ташишнинг асосий механизми термоэлектрон эмиссия, иккинчи соҳада диффузион, учинчи соҳада дрейф токига карама-қарши йўналган диффузион, тўртинчи соҳада эса диффузион-дрейф механизмлари ўринли эканлиги топилган.
7. Термодинамик мувозанат ҳолатида /?CdS - pSi-гетероўтиш чегарасида сирт потенциалининг киймати y/s= 0,04 eV га тенг бўлган акцептор типидаги манфий зарядланган сирт холатлари ҳосил бўлиши ва сирт потенциали манфий қутбли бўлганда, сирт холатлари зичлиги (Ass) юқори кийматларга, у/s нинг мусбат кийматларида эса паст қийматлар қабул қилиши асосланган.

Объекты исследования: голономные и неголономные механические системы с неидеальными и с условными неидеальными связями (связи с трением, сервосвязи), в том числе фрикционный регулятор скорости при наличии условной неидеальной связи.
Цель работы: исследование движения механических систем с неидеальными связями путем использования расширенного метода комбинирования связей; выделение класса механических систем, как с голономными, так и с неголономными неидеальными связями, анализ которых становится возможным благодаря использованию этого метода; приложение теоретических положений к решению конкретных задач; исследование на устойчивость программных движений фрикционного регулятора при наличии условной неидеальной связи и определение их оптимальной стабилизации.
Методы исследования: методы аналитической механики, теории дифференциальных уравнений, теории устойчивости и стабилизации движений, механики управляемого движения; теории П Пенлеве для систем с неидеальными связями, и А Бегена для систем с условными связями.
Полученные результаты и их новизна: обобщен метод комбинирования связей, на основе которого предложена новая методика составления дифференциальных уравнений движения для голономных и неголономных систем с неидеальными связями; дано обобщение принципа наименьшего принуждения Гаусса для неголономных систем с неидеальными связями в случае возможных перемещений, удовлетворяющих расширенному методу комбинирования связей; получены условия устойчивости и оптимальной стабилизации программных движений управляемого фрикционного регулятора.
Практическая значимость: Предлагаемый метод позволяет расширить класс задач, содержащих механические системы с неидеальными связями, для которых возможно получить дифференциальные уравнения движения, определить силы связей и закон трения системы; определить силовое воздействие, реализующее условную связь.
Степень внедрения и экономическая эффективность:
результаты данной работы используются в учебном процессе при чтении специальных курсов по аналитической механике и механике управляемого движения в рамках бакалавриата и магистратуры по направлению «Теоретическая механика» в Национальном Университете Узбекистана, а также при написании выпускных и диссертационных работ. Область применения: аналитическая механика; механика управляемого движения; результаты данной работы могут быть использованы при исследовании конкретных механических систем с трением, в частности при конструировании и использовании различных видов управляемых фрикционных редукторов, применяемых в текстильной промышленности, автомобилестроении и в других отраслях.

Тадқиқот объекта: тадқиқот объекта сифатида қуёш-ҳаво иситкичларнинг турли геометрияли бўлган гелиоқабул қилувчилари кўриб чиқилган.
Ишнинг мақсади: иссиклик бериши жадаллаштирилган қуёш-ҳаво иситкичларнинг иссиқлик бериши ва гидравлик қаршилигини тадкиқоти.
Тадқиқот усули: эксперимент, физик ва математик моделлаштириш, сонли хисоб.
Олинган натижалар ва уларнинг янгилиги: иссиқликни олиб кетувчи каналларида кичик тезликли оқимларга девор ёнлаб таъсир килиши йўли билан иссиклик беришни рационал жадаллаштириш усуллари; диффузор-конфузор, перфорацияланган ва ғадир-будирликка эга бўлган иссиқликни олиб кетувчи юзалар учун иссиклик алмашинуви ва гидравлик қаршилиги бўйича эмпирик богланишлар; Рейнольдс аналогияси ва кувватни тенг сарфлаш услубида асосланган самарадорлик мезони; диффузор кисми Жуковский профили кўринишида бажарилган диффузор ва конфузор узунликлари 5:1 нисбатида хамда диффузорнинг очилиш бурчаги 12,7° бўлган диффузор-конфузор юзасини гидравлик каршилигини профиль қисмини пасайтиришга имкон беради.
Амалий ахамияти: бажарилган тадқиқотлар натижасида диффузор-конфузор, перфорацияланган ва дискрет ғадир-будирликка эга бўлган юзали иссиқликни олиб кетувчи каналларнинг иссиқлик алмашинуви ва гидравлик қаршилиги бўйича маълумотлар олиш имкони яратилди; диффузор-конфузор юзада иссиклик алмашинувни жадаллаштириш учун аниқлаштирилган модели тавсия этилди; тажрибада олинган иссиклик алмашинуви ва гидравлик каршилиги бўйича маълумотлар самарали қуёш-ҳаво иситкичларни лойихалаштиришда қўллашга тавсия қилиниши мумкин.
Тадбиқ этиш даражаси ва иқтисодий самарадорлиги: илмий тадқикотлар натижалари ва амалий тавсиялар қуйидаги ишланмаларда келтирилган: қуёш-ҳаво иситкичларни ишлаб чиқиш масалалари билан шуғулланадиган мутахассислар ҳамда гелиотехника ва иссиқлик техникаси сохасида таҳсил олаётган ва илмий-тадқикотлар ўтказаётган магистр ва аспирантлар учун тайёрланган “Қуёш-ҳаво иситкич каналларида иссиклик алмашинувини жадаллаштириш” монографияда. Тўрақурғон заводи (Наманган вилояти) меваларни қуритиш технологиясида қўлланган қуёш-ҳаво иситкичнинг тажрибавий перфорацияланган гелиоқабул қилувчининг намунасида; Фарғона политехника институтининг Энергетика факультетида талабаларга “Экспериментларни режалаштириш” фанидан маъруза, лаборатория ва амалий машғулотларини ўтказиш учун услубий кўлламана ва кўрсатмаларида.
Қўлланиш сохаси: куритиш курилмалари, куёшли иссиклик таъминоти тизими.

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Жаҳон микёсида бугунги кунда жадал ривожланаётган физик электроника соҳасида истиқболли йўналишлардан бири наноматериаллар шаклланишида ўлчамга боглиқлик хусусияти, электрон тузилмаларпипг оптик, электр, магнит ва бошқа хусусиятларининг боғликлиги бўйича тадкиқот ишлари ҳисобланади. Бу хисобдан ўлчамлилик эффектный материалларнинг табиатига боғлиқлиги ва бу хусусият кам наноўлчамдаги металларга яримўтказгич хусусиятини содир қилиши, яримўтказгичларда эса ўлчамнинг кичиклашиши уларнинг тақиқланган зона кенглигига боғлиқлигини тадқик қилиш асосий вазифалардан бири хисобланади.
Мустакиллик йилларида мамлакатимизда физик электроника сохасини самарали ривожлантириш борасида физик кимёвий ходисалар ва жараёнларни камраб олган электрон асбобларнинг хар хил турларини яратишда фундаментал ахамиятга эга бўлган тадқиқотларга алоҳида эътибор қаратилди. Бу борада соҳанинг амалиётда ишлатиладиган маълум электрофизик хоссаларга эга бўлган сифатли янги материаллар базасини мустаҳкамлаш ҳамда замонавий талаблар асосида кристалларга қўшимча элементлар киритиш йўли билан сифатини ошириш, уларнинг олиш технологияларини мукаммаллаштириш борасида сезиларли натижаларга эришилмокда. Узбекистан Республикаси янада ривожлантириш бўйича Ҳаракатлар стратегияси асосида физик электрониканинг нано- ва микроэлектроника сохасида ишлаб чиқарилаётган элемент базалари функцияларини кенгайтириш муаммоларини хал килиш, уларни кенг кўламда қўлланишини таъминлаш учун мухим ахамиятга эга.
Ҳозирги кунда жахонда наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятларини тадкиқ қилиш, кремний асосидаги структураларнинг металлар адгезиясини ошишриш ва контакт электр қаршилигини кескин камайтириш, ишлаш барқарорлигини таъминлаш имконини беради. Бу борада максадли илмий тадкиқотларни, жумладан қуйидаги йўналишлардаги илмий изланишларни амалга ошириш: хар хил энергиялар ва дозаларда метал ионларини имплантация қилиш; металл ионлари билан бомбардимон қилиш ва кетма-кет қиздириш ёрдамида яримўтказгичларда наноўлчамли фазалар ҳосил бўлишининг асосий механизмлари ва қонуниятларини ўрганиш; юпқа оксид қатлами билан қопланган Si ни кисман зарядланган металлар билан чанглатишнинг ўтиш қатламлари шаклланишига таъсирини тадқик қилиш. Бу йўналишда олиб борилаётган илмий-тадқиқот ишлари ушбу диссертация мавзусининг долзарблигини изохлайди.
Ўзбекистон Республикаси Президентининг 2010 йил 15 декабрдаги ПҚ-1442-сон «2011-2015 йилларда Узбекистан Республикаси саноатини ривожлантиришнинг устувор йўналишлари тўғрисида»ги Қарори ва 2017 йил 17 февралдаги ПҚ-2789-сон «Фанлар академияси фаолияти, илмий тадқиқот ишларини ташкил этиш, бошқариш ва молиялаштиришни янада такомиллаш-тириш чора-тадбирлари тўғрисидаги»ги Қарори ҳамда мазкур фаолиятга тегишли бошка меъёрий-ҳуқуқий ҳужжатларда белгиланган вазифаларни амалга оширишга ушбу диссертация тадқикоти муайян даражада хизмат қилади.
Тадқиқотнинг макса ди эпитакция ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si монокристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш, физик механизмларини очиб беришдан иборат
Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
Nb+ ионларини имплантация қилиш ва кейинги киздиришда Мо нинг сирт ости қатламларида Nb+Mo туридаги интерметал ҳосил бўлиши Мо Ферми сатҳининг куйи қисмида ниобийнинг 4d электронлари зонасини ҳосил бўлиши ва натижада Мо валент электронларининг ҳолат зичлиги ўзгариши билан боғлиқлиги очиб берилган;
Мо га Ва ионлари имплантация килинганда интерметалл боғланиш ҳосил бўлмаслиги, аммо чиқиш ишининг камайиши ва юза ости катламлари атом зичлигининг ошиши натижасида иккиламчи ва фотоэлектронларнинг эмиссия эффективлиги 2 ва ундан ортиқ ошиши экспериментал аниқланган.
Si сирт ости қатламларида ион имплантация ва кейинги киздириш жараёнида MeSi2 нинг наноўлчамли фазалари ва катламлари шаклланишининг асосий қонуниятлари аникланган, шунингдек уларнинг ўлчамлари ва энергетик зона параметрларини баҳолашнинг ўтаётган ёруғлик интенсивлиги ўзгаришига асосланган усули ишлаб чикилган;
Si сиртига Ог4 ионларини имплантация килиш усули билан турли қалинликлардаги (d~20-100A) тақикланган зона кенглиги 8,5-9 эВ бўлган бир жинсли SiC>2 нинг поликристалл наноплёнкаси олиш технологияси ишлаб чикилган;
чангланаётган металл (А1) атомлари оқими таркибида бир неча фоиз тезлашган ионлар (Ео=1-2 кэВ) мавжудлиги Si сиртидаги окис плёнканинг тўлиқ бузилишига, ўтиш қатлами ҳосил бўлишига, кремний тагликларда металлар адгезияси ошишига ва контакт электр каршилигининг кескин камайишига олиб келиши асосланган;
умумий қалинлиги 40-50 нмдан ошмайдиган наноўлчамдаги икки қатламли MeSi2/Si/MeSi2/Si тизимини ҳосил килиш усули ишлаб чикилган ва сиртдаги CoSi2 плёнкасининг қалинлиги 3-5 нм, сирт остидаги плёнка қалинлиги эса 10-12 нм, MeSi2 катламлари орасидаги Si плёнкасининг қалинлигини 10-20 нм ни ташкил этиши кўрсатилган.
Хулоса
Эпитаксия ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si моно-кристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш, физик механизмларини тадкик килиш натижасида куйидаги ҳулосалар килинди:.
1. Nb' ионларини Мо га имплантация килинганда ва кейинги қиздиришда панжара тугунларидаги айрим Мо атомлари ўрнини Nb атомлари эгаллаши туфайли Nb+Mo интерметаллид богланишнинг нанокристалл фазалари ҳосил бўлиши, Ва* ионлари Мо га киритилганда интерметаллид боғланиш ҳосил бўлмаслиги аниқланган.
2. Nb+Mo интерметаллид ҳосил бўлиш жараёнида Мо нинг юза ости катламлари атом зичлиги амалда ўзгармайди, юзанинг чиқиш иши е<р эса бироз (~0,1 эВ) камайиши ҳисобига Nb+Mo нанофазалари ва қатламларининг мавжудлиги молибденнинг 8m ва Y сини сезиларли ўзгартирмаслигини
таъкидлаш мумкин.
3. Кристаллдан ўтаётган ёруғлик нурлари интенсивлиги унинг энергиясига (тўлқин узунлигига) боғлиқлигини ўрганиш яримўтказгичлар ва диэлектриклар юзасининг янги нанофазалар билан копланиш даражасини баҳолаш ва текширилаётган материалнинг ҳар хил чуқурликларида жойлашган наноўлчамли тузилмаларнинг тақиқланган зонаси кенглигини аниклашнинг самарали усули эканлиги аниқланган.
4. Me* ионларини имплантация килиш усулида Si нинг юзасида ва юза ости қатламларида MeSi2 нанофазалари ҳосил бўлиши, CoSi2/Si тузилмаси чегарасида эса қалинлиги 100-120 А бўлган ўтиш қатлами шаклланиши, CoSi2/Si гетеротузилма чегарасида зона чеккаларида рўй берадиган ДЕС ва ДЕУ узилишларнинг қийматлари аниқланган.
5. Ионларнинг дозаси ўгармас бўлганда Si нинг ҳар хил чуқурликларида ҳосил қилинган MeSi2 нанокристалларининг ҳажмлари бир хил бўлиши, Si нинг юза остида хар хил чукурликларда жойлашган (l-2)10'IS см3 ўлчамли CoSi2 НК фазалари тақиқланган соҳаси кенглиги 0,8-0,9 эВ атрофида бўлиши кўрсатилган.
6. Кичик энергияли О2+ ионларини катта доза (D>61016 см'2) билан Si га киритиш ва кейинчалик киздириш усули билан SiO2 нинг яхлит бир жинсли пленкаларини хосил килиш мумкинлиги, ионлар энергиясини 1 кэВ дан 5 кэВ гача ўзгартириб, қалинлиги d=25—100 А оралиқда бўлган SiO2 пленкалари олинган. SiO2/Si пленкасининг тақиқланган соха кенглиги 8,5-9 эВ. D=810l5-21016 см'2 дозаларда олинган CoSi2 ва SiO2 пленкаларда бир хил тартибда жойлашган ва зичлиги 1010-10и см'2 бўлган кремнийнинг наноўлчамли кристаллари мавжудлиги кўрсатилган.
7. Электрон нурли плазмали пуркаш таркибида тезлаштирилган АГ ионлари мавжудлиги (~2-3%) Si-0 богланишнинг узилиши ва кислороднинг чикиб кетишига, Al нинг сиртга адгезиясининг яхшиланишига хамда контакт электр каршилиги 8-10 марта камайишига олиб келиши кузатилган.
8. Ион имплантация усули билан MeSi2/Si/McSi2/Si туридаги НК ни қатламли нанотизим хосил қилиб, Si юзасида ва ҳар хил чукурликда MeSi2 наноқатламларини ҳосил қиладиган ион имплантация ва киздиришнинг оптимал режимлари аниқланган.
9. Si нинг орка томонидан тагликка олдиндан керакли аралашмани ион имплантация усулида киритишга асосланган легирлаш усули тавсия қилинган. Жумладан, Si/Mo тизимини фосфор билан легирлашда энг оптимал шароитлар: Е0=4-5 кэВ, D=10I7cm‘2, қиздириш температураси Т=1 ООО К.
.

Тадқиқот объекта: атомлар, молекулалар, лазер нурланиши.
Ишнинг мақсади: Лазер нурланишнинг кучли электромагнит майдон таъсирида кўп элсктронли атомларда ва гомоядроли икки атомли молекуларда ўтадиган БУИ ва ЮГГ кўп фотонли жараснларнинг назарий тадкикотлари; БУИ ва ЮГГ жараснларда ўтадиган ичкимолекуляр (икки марказли) квант интсрфсрснцияси фсноменини ўрганиш; кўрилган фотожараснларнинг когсрент тскшириш имкониятларнинг тадқиқотлари.
Тадқиқот методлари: ғаласнланиш назариясини ишлатмайдиган квант мсханикасининг усуллари, кучли майдон яқинлашишдаги S-матрица формализми; “асосий холатлар” методи ва у билан боғланган “қутб якинлашиши”; атом орбиталларини чизиқли комбинацияси яқинлашиши доирасидаги электрон зичлик функционалининг хозирги замон квант-кимё усули.
Олинган натижалар ва уларнинг янгилиги: кўп элсктронли ва кўп атомли системаларда БУИ ва ЮГГ жараснларнинг квант-механик модели аналитик кўринишда бсрилган ва тўла умумлаштирилган; ичкимолскуляр (икки марказли) квант интсрфсрснциясининг таъсири: а) БУИ жараен тезлигининг ориентацион богланишига; Ь) атом жараенларига нисбатан БУИ жараен тезлигининг камайшига (ёки камайшнинг йўклиги); с) ЮГГ-спсктрларда “кескин узулиш” (шу пайтда генерациянинг узилиши пайдо бўлади) частотасининг кўпаишига кўрсатилган.
Амалий ахамияти: а) гомоядроли икки атомли молекуларда БУИ ва ЮГГ кўп квантли жараснларнинг эффсктив когерент назоратини пайдо бўлиши тадқиқот килинган. Бу кўринишдаги назорат хусусиятлари олдиндан маълум бўлган фотоэлектрон ва фотоннинг спсктрларини олиш имкониятини яратади; Ь) атом ва лазер физикаси масалаларини тадкикот қилиш учун “тўғри” атом ва молекуляр орбитал моделлаштириш усуллари ўрнатилган.
Татбиқ этиш даражаси ва иқтисодий самарадорлиги: диссертация фундамснтал тадқиқотга эта. Унинг натижалари назарий характсрга эга. Олинган натижалар когерснт ва ночизикли оптиканинг (рентген лазер физикаси, аттосекундли лазер импульсларнинг физикаси ва ҳ.қ.) ва квант электроникасининг турли амалий соҳаларида қўлланиши мумкин.
Кўлланиш сохаси: атом, молекулар ва оптик физикаси.

Объекты исследования: Вакуумли чанглатилиш орқали олинган BijTej ва Sb2 Тез тензосезгир плёнкалар, чукур сатхли кучли компенсацияланган кремний, кремнийли р-п-ўтишлар, CdTe df Si АФК плёнкалари.
Диссертация ишининг максади: Ўта юкори частоталимайдондаги р-п-ўтишларда электр юритувчи кучларнинг ҳосил бўлиш механизмларини тадқик қилиш ва тензосезгир плёнкалардаги деформацион эффектлар динамикасини “фазалар траекторияси” усули оркали ёритиш.
Тадқиқод методлари: Тебранишлар назариясидаги “фазалар траекторияси” методи. Деформацион эффектларни моделлаштириш. Сонли экспериментлар.
Олинган натижалар ва уларни янгилиги:
1. Илк бор уюрмали токларни Миллер кучи ҳисобига камайиши кўрсатилди.
2. Яримўтказгичларда деформацион эффектларни тадкик килиш учун биринчи марта “фазалар потрети” методи қўлланилди.
3. Деформацион эффектлар “фазавий траекториялари’Та хусусий ёруғликнинг таъсири аниқланди.
Практическая значимость: “Фазалар траекторияси” усули яримўтказгичларда деформацион эффектлар динамикасини тадқиқ килишда кенг қўлланиши мумкин. Тензосезгирлик бўйича олинган такикод натижаларидан янги сегирлигини бошкариш мумкин бўлган тензодатчиклар олишда фойдаланиш мумкин.
Қўлланилиш сохаси: Микроэлектроника, қаттиқ жисм физикаси, яримўтказгичлар физикаси, тензометрия, оптоэлектроника.

Тадқиқод объектлари: суюк эпитаксия усули билан ўстириб тайёрланган фотодиодли Au-nAI х , Ga ,_х As-pGaAs-Ag, Au+Zn-p(AlxGa^x)}_yInyAs-nGaAs-Au, Аи-p(Alх Ga t_x) ,_у In у As-nGaAs-Ag-структуралар,
Ишнинг мақсади: тўғрилагич тўсиқларнинг турли хил гетерокатламга эга 3-тўсикли структуранинг токли ва спектрал характеристикаларга таъсирини тадқик этиш учун галлий арсениди ва унинг бирикмалари асосидаги гетероўтишнинг ҳажмий заряд соҳасида содир бўлувчи жараёнларнинг физик табиатини аниқлашдан иборат.
Тадқиқод методлари: вольтампер, вольт-сиғим ва спектрал характеристикаларни ўлчашнинг экспериментал услублари, олинган экспериментал маълумотларнинг таҳлили.
Олинган натижалар ва уларнинг янгилиги: илк маротаба pAlGalnAs-nGaAs гетероўтиш асосидаги кўп тўсиқли структуралар ишлаб чиқилди ва тўғрилагич тўсиқларнинг спектрал диапазони узун тўлқинли сохага қараб кенгайишига роли аниқланди, илк маротаба турли вазифа учун мўлжалланган гетероқатламдаги индий микдорининг ўзгаришига асосланган 3-тўсиқли фотодиодли Au-pAIGaInAs-nGaAs:O-^g-структураларни тайёрлаш қонун-коидалари таклиф этилди. Au-pAlOoSGal)82lno.iAs-nGaAs-Ag-структура гетерокатлам томонидан ёритилганда фототокнинг юқори қийматлари ҳосил бўлади, фототашувчилар бўлиниш соҳасининг кичик жойлашиши ва ҳажмий заряд сохаси калинлигига пропорционал равишда фототок ошиб борганда, берк ўтишларнинг ҳажмий заряд қатлами томонидан гетероқатлам квазинейтрал кисмининг навбатма-навбат торайиши билан тушунтирилади. Металл-яримўтказгич чегарасининг яхшиланиши ва термоэлектрон механизмининг генерационга алмашиниши, фотодиодли структурада гетероқатлам қалинлигининг ўлчамлари диффузион узунликдан икки баравар микдоргача ортиши олиб келиши мумкинлиги экспериментал равишда кўрсатиб берилган.
Амалий ахамияти: таклиф килинаётган тавсиялар телекоммуникация тизимлари ва оптоэлектроник фотокабулқилувчи асбобларнинг поғонали кучайтирилиш кирувчи параметрлари билан фотоқабулқкилгичнинг чикувчи параметрларининг ўзаро мутаносиблик жараёнини осонлаштиради.
Татбиқ этиш даражаси ва иқтисодий самарадорлиги: олинган натижалар ЎзР ФА илмий ишлаб чиқариш бирлашмалари ва бошқа асбобсозлик ташкилотларида фотокабулқилгичли мосламаларни ишлаб чиқариш учун асос бўлиб хизмат килади.
Қўлланилиш сохаси: ахборотни кабул қилиш ва узатиш ҳамда телекоммуникация тизимларида, микро ва оптоэлектроникада электрон курилмаларни технология ва лойиҳалашда ишлатилади.

Тадқиқот объектлари: бир жинсли боғлиқсиз орттирмали тасодифий жараёнлар ва умумлашган тикланиш жараёнлари.
Ишнинг мақсади: бир жинсли боғлиқсиз орттирмали тасодифий жараёнлар ва умумлашган тикланиш жараёнлари изларининг тўғри чизиқли йўлакни кесиб ўтишлар сони таксимотининг тўла асимптотик ёйилмаларини топиш.
Тадқиқот методлари: диссертацияда факторизация усули деб номланадиган аналитик усулдан фойдаланилган.
Олинган натижалар ва уларнинг янгилиги: диссертацияда олинган натижалар янги бўлиб, улар куйидагилардан иборат:
- бир жинсли боғлиқсиз орттирмали тасодифий жараёнлар ва умумлашган тикланиш жараёнлари изларининг тўғри чизиқли йўлакни t моментгача кесиб ўтишлар сони таксимотининг t —> оо да тўла асимптотик ёйилмалари топилган. Бунда t ўсиши билан йўлак кенглиги ҳам t га боғлиқ равишда ўсиб боради ва жараёнга, асосан, Крамер типидаги шартлар кўйилади;
- асимптотик ёйилмалар биринчи ҳадларининг аник кўриниши ёзилган ва кейинги ҳадларини хисоблаш алгоритми келтирилган;
- юқорида кўрсатилган натижалар умумлашган тикланиш жараёнлари ҳолига ўтказилган.
Амалий аҳамияти: диссертация назарий характерга эга.
Қўлланиш сохаси: олинган натижалар оммавий хизмат назарияси, математик статистика, заҳираларни саклаш назарияси масалаларини ва бошка масалаларни хал қилишда қўлланиши мумкин.

Диссертация мавзусининг долзарб.зиги ва зарурати. Жахон соғликни сақлаш ташкилоти халқаро онкологик изланишларни қўллаб-қувватлаш агентлигининг (IARC) дунё миқёсидаги рак бўйича янгиланган GLOBOCAN 2012 маълумотларига кура, онкологик касалликлар касалланиш ваўлим холатларининг асосий сабабларидан хисобланади -“2012 йилга қадар 14 миллион янги касалланиш холатлари, 8,2 миллионтаўлим холатлари кузатилган”1.Замонавий тиббиётда нур терапияси онкологик касалликларни даволашдаги энг самарали усуллардан бири сифатида тан олинган. Бутунжахон соғлиқни сақлаш ташкилоти (БССТ) маълумотларига кўра, онкологик касалликка чалинган беморларнинг 70 фоизи унинг турли кўринишларига эхтиёж сезиши таъкидланади. Бирок, баъзи беморларда янгидан пайдо бўлган ёмон шишларнинградиотўлқинларига чидамли, нур терапиясининг анъанавий усуллари, яъни гамма ёрдамидаги радиотерапия ва электрон нурланишга бардошли шакллари учраб туради.
Мамлакатимиз мустақилликка эришган илк кунлардан бошлаб ахолига тубдан янги, сифатли тиббий ёрдамни ташкил қилиш бўйича мунтазам чора-тадбирлар амалга оширилиб, соғлиқни саклаш тизимининг сифатли моделлари жорий қилинди ва бунинг натижасида сезиларли ижобий натижаларга эришилди.Юқорида таъкидланган огир касалликларга кураша олувчи истиқболли технологияларни қидириш ва ишлаб чиқиш бўйича мамлакатимиз олимлари фаол харакат қилишда давом этмокдалар. ХХ1асрнинг бошларида онколог-шифокорлар ядро медицинасига катта ишонч богламокдалар. Аввало, бу турли энергияларнинг нейтронлари бўлиб, ядро реакторлари уларнинг манбалари хисобланади. “Фотон нурланиши билан даволаб бўлмайдиган ўсмаларни нейтронлар билан даволаш муваффақиятли кечади, рак (саратон)нинг барча турлари ичидаги уларнинг салмоги эса 30% га якин”.
Ҳозирги кундажахон миқёсида радиацион онкология нурланишдан ўсма атрофидаги соғлом тўқималарни шикастламайдиган ва фақат шу ўсма бор бўлган тўқималарни нурловчи технологияларни талаб қилади. “Хавфли ўсма хужайраларини танлаб шикастловчи муаммонинг ечимидаги йўналишлардан бири нейтрон эгаллаш терапияси (НЭТ) услуби хисобланади”3. НЭТ - ўсма хужайраларини иссиқлик ёки эпи-иссиқлик нейтронларини нейтрон эгалллашининг катта кесимига эга бўлган, гадолиний билан бойитилган атомлар оқими билан нурлашга асосланган бинар нур терапияси усулидир.Унинг таъсир қилиш принципи ядро реакцияси ва эпи-иссиқлик нейтронларининг ўсма хужайраларида мавжуд бўлган бор ёки гадолиний атомлари билан тўқнашувидан катта хажмдаги энергияни ажралиб чиқишидан иборатдир. Шундай қилиб, ўсма хужайраларига гадолиний киритилиш эвазига уларни нейтрон оқими билан нурлашда ўсма терапевтик дозани ўзига олади ва унда уни ўраб олган меъёрий тўқималарга зарар етмайди, яъни нурланиш натижасида кутилган натижага тўлақонли тарзда эришилади4. Ўсма хужайраларига киритиладиган, юқори эгаллаш кесимига эга бўлган атомларнинг нейтронлар билан танланиб ўзаро харакат қилиши ушбу услубиятдан анъанавий даволаш усуллари билан даволаб бўлмайдиган хавфли шишларни даволашда фойдаланиш имконини беради ва шу сабабли хам ўсмаларни даволашнинг жуда истиқболли услуби хисобланади*.
Ўзбекистон Республикаси Президентининг2011йил28ноябрдаги ПҚ-1652-сон Қарори билан тасдиқланган «Соғлиқни сақлаш тизимини ислох қилишни янада чуқурлаштириш чора-тадбирлари тўғрисида»ги қарори хамда Вазирлар Махкамасининг 2012 йил 29 мартдаги 91-сон «Тиббиёт муассасаларининг моддий-техника базасини янада мустахкамлаш ва фаолия-тини ташкил этишни такомиллаштириш чора-тадбирлари тўғрисида»ги қарори билан белгиланган вазифаларни муайян даражада бажаришга мазкур диссертация тадқиқоти хизмат килади.
Тадкикотнинг макса ди тажриба моделида хавфли ўсмаларни даволаш учун нейтрон эгаллаш терапияси технологиясини тайёрлашдан иборат.
Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
ядро физикаси института базасида НЭТ ўтказиш учуй шарт-шароитлар (нурлаш учуй қутисимон иншоот, фиксатор контейнер, кўтариш қурилмаси)яратилган;
бирламчи ўсма ўчоғига ЯФИ ЎзР ФА реактори нейтрон боғлами таъсири учун НЭТни ўтказиш параметрлари ва методикаси аниқлангани;
нурланаётган объектга (тажриба сичқон ва каламушлари) нисбатан нейтрон боғламини ўз фазовий маҳаллийлаштириш бўйича тадқиқотлар ўтказилган, жумладан, фойдаланилаётган нейтрон боғлами апертурасигабоғлиқ тарзда, гамма ва нейтрон нурларнинг реактор каналидан дозали тақсимланиши ўлчанган;
ўсма ичига восита юборишда магневистнинг фармококинетикаси ўрганилган ва бу нурланишгача ушбу воситанинг юборилиш вақтини аниқлаш имконини берган;
ўрганилган Магневист воситасини ўсма ичига юборишда НЭТнинг ўсмага қарши фаоллиги ўрганилган.
Хулоса
1. Тажриба Саркома - 180 ўсмали жониворларда олдиндан 3-5 Гр дозалардаги НЭТ ва Магневист воситасини интратуморал киритиш ўсмалар ўсишини тўхтатишнинг юқори фоизига (92-97%) эга ва унда III-IV даражадаги даволаш патоморфози устунлик қилади, ўсмага қарши таъсир эса нурлаш дозаси ва вақтига бевосита боғлиқ бўлади.
2. Магневист воситасини ички туморал юбориш ва турли дозадаги НЭТ қўшилгандан сўнг сичқонларнинг ўпкаси, юраги, жигари, талоғи каби ички органлари билан ўтказилган патоморфологик тадқиқотнинг кўрсатишича, 4 Гр дозадаги бу каби таъсир тури умумий токсик таъсирга эга эмас ва у келгусидаги тажрибавий ва клиник тадқиқтлар учун энг оптимали, деб танланди.
3. НЭТ нурлаш олдидан Магневистни қорин пардаси ичига 3 ва 6 Гр дозада юборишда аниқланишича, бу турдаги таъсир ўсманинг ўсишини сезиларли микдорда (74-78% га) пасайтирди, бирок у паренхиматоз органларга таъсир эттирилганда сезиларли ножўя таъсирларни келтириб чиқарди.
НЭТни самарали амалга ошириш учун l57Gd гадолинийни интратуморал киритилишида унинг зарур бўлган дозаси 8-10 мг/кг ва элиминация тезлиги 15-20 дақиқага тенглиги аникланди.

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Жаҳонда ҳозир-ги кунда яримўтказгичлар физикаси соҳасининг интенсив равишда ривожла-нишида аморф кремний асосидаги яримўтказгичларга катта аҳамият берил-мокда. Аморф кремнийнинг арзонлиги ва радиация нурлари оқимига чидам-лилиги юқори бўлгани учун унинг асосида қуёш элементлари ҳамда металл-диэлектрик-яримўтказгич структуралар, термоэлектрик курилмалар яратиш муҳим вазифалардан бири бўлиб келмоқда.
Мустақиллик йилларида мамлакатимизда яримўтказгичлар физикаси соҳасини ривожлантириш, хусусан, аморф кремний асосида қуёш элемента ёки яримўтказгичли асбоблар яратиш ҳамда уларнинг физик ҳусусиятларини ўрганишга алоҳида эътибор қаратилди. Бу борада аморф кремний олиш тех-нологияси, улар асосида термоэлектрик ўзгартигичлар барпо қилиш ва улардаги физик жараёнларни тадқиқ қилиш йўналишида сезиларли натижа-ларга эришилмокда. Ўзбекистон Республикасини янада ривожлантиришнинг Ҳаракатлар стратегиясига асосан, мамлакатимизда илмий-тадқиқот ва инновация фаолиятини рағбатлантириш ҳамда олинадиган инновацион илмий натижаларни амалиётга жорий этиш, шу жумладан қайта тикланадиган энергия - Қуёшдан электр энергиясини олиш ва уларнинг тежамкорлигини ошириш йўлларини тадқиқ қилиш муҳим аҳамиятга эга.
Бугунги кунда жаҳонда аморф кремний яримўтказгичларининг электрик ва оптик характеристикаларини яхшилаш орқали нисбатан арзон ва ташқи таъсирлар, хусусан, радиация нурлари оқимига чидамли яримўтказгичли ас-боблар ва қуёш элементларини яратиш муҳим аҳамият касб этмокда. Бу бора-да мақсадли илмий тадқиқотларни амалга ошириш, жумладан, гидрогени-зацияланган аморф кремний асосли қуёш элементлари фотогальваник харак-теристикаларининг ҳароратга боғлиқлигини ифодаловчи тенгламалар тахли-ли ва уларни оптималлаштириш; a-Si:H асосли қуёш элементларининг сама-рали ишлаш ҳарорат интервалини, хусусан, вольт-ампер характеристикаси тўлдириш коэффициентининг максимал қиймати, эффектив кучланиш, эф-фектив ток зичлиги ва эффектив қувватнинг ҳароратга боғлиқлигини аниқ-лаш; фотогальваник характеристикаларнинг потенциал тўсиқ баландлиги ва ёруғлик тушгандаги вольт-ампер характеристикаси ноидеаллик коэффициента™ боғланишини назарий ўрганиш; назарий тадқиқотлар орқали олинган янги тенгламалар ёрдамида бажарилган ҳисоблашлар натижаларини тажриба натижалари билан таққослаш долзарб вазифалардан ҳисобланади.
Ўзбекистон Республикаси Президентининг 2010 йил 15 декабрдаги ПҚ-1442-сон «2011-2015 йилларда Узбекистан Республикаси саноатини ривож-лантиришнинг устувор йўналишлари тўғрисида» ги Қарори, 2017 йил 7 февралдаги ПФ-4997-сон «2017-2021 йилларда Узбекистан Республикасини ривожлантиришнинг бешта устувор йўналиши бўйича Ҳаракатлар стратегиясини келгусида амалга ошириш чора тадбирлари тўғрисида» ги Фармони ва 2017 йил 17 февралдаги ПҚ-2789 - сон «Фанлар академияси фаолияти, илмий тадқиқот ишларини ташкил этиш, бошқариш ва молиялаштиришни янада такомиллаштириш чора-тадбирлари тўғрисида» ги ҳамда мазкур фаолиятга тегишли бошқа меъёрий-ҳуқуқий ҳужжатларда белгиланган вазифаларни амалга оширишга ушбу диссертация тадқиқоти муайян даражада хизмат қилади.
Тадқиқотнинг мақсади гидрогенизацияланган аморф кремний (а-Si:H) асосидаги қуёш элементларининг фотогальваник характеристикалари ни ҳароратга боғлиқлигини назарий аниқлашдан иборат.
Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
қисқа туташув токи зичлиги ва салт кучланишининг ҳароратга боғлиқлиги асосида тажрибавий натижаларини тушунтирувчи яримэмпирик тенглама келтириб чиқарилган;
салт кучланиши қуёш элементининг ёруғликдаги вольт-ампер характеристикасининг сифат (ноидеаллик) коэффициентига боғлиқ эмаслиги кўрсатилган;
қуёш элементларининг максимал эффектив қуввати учун топилган қиймати, Жоуль-Ленц қонунидан (Р=]фи) олинган қувватнинг максимал қиймати билан мос тушиши аниқланган;
тўлдириш коэффициентининг ҳароратга боғланишини ифодаловчи аналитик формула келтириб чиқарилган ва тўлдириш коэффициентный максимал қиймати ^$=0,93 га, минимал қиймати эса j$=0,25 га тенг бўлиши кўрсатилган.
Хулоса
Аморф кремний асосли қуёш элементлари фотогальваник характерис-тикаларининг ҳароратга боғланишини тадқиқ қилиш натижалари асосида қуйидаги хулосалар қилинди:
1. Қуёш элементларининг салт ишлаш кучланиши ва кучланишнинг эффектив қиймати уларнинг ёруғлик тушгандаги вольт-ампер характеристикасининг ноидеаллик коэффициентига боғлиқ эмаслиги ўрнатилган.
2. Гидрогенизацияланган аморф кремний асосли қуёш элементларини қисқа туташув токи зичлигини ҳароратга боғланишини тажрибавий натижалари 60-4)10К ҳарорат оралигида янги олинган яримэмпирик формула ёрдамида ҳисоб-китоб қилинган ва назария билан тажрибанинг бир бирига мослиги тасдиқланган.
3. Қуёш элементларининг қисқа туташув токи зичлигини ҳароратга боғ-лиқлигини ифодаловчи формулалар ёрдамида қуёш элементлари ишлайдиган ҳарорат интервали ва улар тайёрланадиган яримўтказгичларнинг тақиқлан-ган зонаси кенглиги орасидаги боғланишлар аниқланган.
4. Қуёш элементларининг қисқа туташув токи зичлиги Г=360 К дан юқори ҳароратларда яримўтказгичларни фотоўтказувчанлигини сўниш қону-нияти бўйича пасайиши аниқланган.
5. Қуёш элементининг эффектив ток, эффектив кучланиш ва эффектив қуввати зичликларини ҳароратга боғланишини тасдиқловчи янги ифодалар келтириб чиқарилган.
6. Қуёш элемента ёруғлик тушгандаги вольт-ампер характеристикасини тўлдириш коэффициента учун келтириб чиқарилган янги аналитик ифода орқали, ёруғлик тушгандаги вольт-ампер характеристикани тўлдириш коэффициентининг қиймати^=0,93 да максимумга эга бўлиши кўрсатилган.
7. Қуёш элемента учун яримўтказгични тақиқ зона кенглиги Eg=2,3 эВ га тенг бўлганда, ёруғлик тушгандаги вольт-ампер характеристикасини тўлдириш коэффициента максимум қийматга эришиши кўрсатилган.

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурати. Дунё миқёсида олиб борилган Ердаги ва космик телескоплардаги кузатувлар ва яқинда қилинган кашфиётлар қора ўраларнинг объсктларга салмоқли таъсир кўрсатиши, юлдузларни ютиши натижасида кучли гамма-чақнашларни вужудга кслтириши, янги юлдузларни пайдо бўлишини рағбатлантириши хақида ишонарли исботлар кслтирди. Айланувчи қора ўралар атрофида фотонларнинг харакати тадкикоти, хусусан, ушбу объсктлар соялари шаклларини топиш ва тахлил этиш кора ўраларнинг ходисалар горизонта мавжудлигини исботи ва бизнинг галактикамиз марказидаги объект хақида маълумотларни олиш учун хизмат киладиган Black Hole Cam (ВНС) и Event Horizon Telesop (EHT) халқаро лойихаларни қўйилиши замонавий астрофизиканинг муҳим вазифаларидан бири бўлиб қолмокда.
Мустақиллик йилларида мамлакатимизда назарий физика ва астрономия йўналишларини ривожлантириш ҳамда дунё микёсида фундаментал муаммоларни ҳал этишга алоҳида эътибор қаратилди. Бу борада компакт объсктлар рслятивистик астрофизикасини ривожлантириш, нейтрон юлдузлар магнитосфсраси моделларини ишлаб чиқиш, қора ўралар атрофидаги фазо-вақт структурасини таҳлили ва улар атрофидаги синов зарраларнинг ҳаракати борасида сезиларли натижаларга эришилди.
Компакт объсктлар атрофидаги астрофизик жараёнларни ўрганиш ва уларни кузатув натижалари билан таққослаш орқали марказий гравитацион объект хакида маълумотлар олиш муҳим аҳамият касб этмокда. Бу борада мақсадли илмий-тадқикотларни, жумладан, куйидаги йўналишлардаги илмий изланишларни амалга ошириш муҳим вазифалардан бири хисобланади: компакт гравитацион объсктлар атрофидаги фазо-вақтни тавсифловчи гравитацион назария доирасида кора ўраларнинг счимларини топиш; топилган счимлар доирасида фазо-вақт структурасини ва ушбу фазода синов зарраларининг, хусусан, электромагнит тўлқинларнинг ҳаракат тенгламаларини топиш; умумий нисбийлик назарияси ва альтернатив гравитация назарияси доирасида топилган кора ўралар ечими учун кора ўралар соясини аниқлаш; кора ўралар сояларига марказий гравитацион объект ва унинг атрофидаги мухитнинг таъсирини аниқлаш; рслятивистик юлдузларнинг энергия йўқотишига гравитацион моделларнинг таъсирини аниқлаш. Юқорида келтирилган илмий тадкикотлар мазкур диссертация мавзусининг долзарблигини изоҳлайди.
Узбекистан Рсспубликаси Биринчи Президентининг 1993 йил 11 фсврал-даги ПҚ-559-сон «Астрономик баландтог обссрваториялари ва уларга хизмат кўрсатувчи мажмуалар тўғрисида»ги ва 2013 йил 1 мартдаги ПФ-4512-сон «Мукобил энергия манбаларини янада ривожлантириш чора-тадбирлари тўғрисида»ги Қарорларида ҳамда мазкур фаолиятга тегишли бошқа меъёрий-ҳукуқий хужжатларда белгиланган вазифаларни амалга оширишга ушбу тадқиқот муайян даражада хизмат килади.
Тадқиқотнинг мақсади қора ўралар сояларини тавсифловчи назарий формализм тузиш ва айланувчи қора ўралар атрофида юкори энергетик жараёнлар физик қонуниятларини аниклашдан иборат.
Тадқиқотнинг илмий янгилиги куйидагилардан иборат:
илк бор кора ўралар соялар шаклини тавсифлашда координатага боғлиқ бўлмаган янги формализм тузилган, бунда айланувчи қора ўраларнинг сояларини 0,1% аниқлик билан тавсифлаш учун қатор полиноми коэффициснтларининг дастлабки бсштаси старли экани аниқланган ва соя шаклининг сикилиш парамстрлари шовкин сигналига нисбатан турғунлиги кўрсатилган;
қора ўра соясининг ўлчами электромагнит нурланишнинг плазма муҳитида синиши ҳисобига камайиши кўрсатилган;
ўта юкори энергетик жараёнларда юқори самарадорликка эришиш учун ҳодисалар горизонтининг бўлмаслиги ва гравитацион объсктнинг кучли айланиши даркорлиги кўрсатилган; 
зарраларнинг юкори энсргияларга эришиши кўшимча зарядланган зарраларга таъсир этувчи электромагнит жараёнларнинг хисобига рўй бсриши мумкинлиги кўрсатилган;
Хоржава моделида энергия ажралиш мсханизмлари орасида Пенроуз жарасни орқали кора ўрадан энергия ажралиб чиқиши ҳақикатга яқинроклиги кўрсатилган, бундан ташқари Хоржава модели қўшимчасининг таъсири заррачалар чексизликкача тезлашишининг олдини олиши кўрсатилган;
рслятив юлдузнинг электромагнит энергия кувватининг йўкотишига ғалати юлдузнинг компактлик таъсири муҳим эканлиги кўрсатилган;
умумий нисбийлик назарияси доирасида ғалати юлдуз худди шундай айланувчи нейтрон юлдузга нисбатан кўпроқ энергия йўқотиши аниқланган.
ХУЛОСА
«Аксиал-симмстрик компакт гравитацион объсктлар атрофидаги заррачалар ва электромагнит майдонлар» мавзусидаги докторлик дисссртацияси бўйича олиб борилган тадкикотлар натижасида куйидаги хулосалар такдим этилди:
1. Қора ўралар соялар шаклини тавсифлаш учун координатага боғлиқ бўлмаган янги формализм тузилган, бунда соянинг шакли кутб координаталар тизимида Лежандр полиномлари оркали ифодаланишига асосланган. Айланувчи қора ўраларнинг сояларини 0,1% аниклик билан тавсифлаш учун катор полиноми коэффициснтларининг дастлабки бсштаси етарли экани аникланган. Янги формализм соянинг хоссалари ҳақида билимларга асосланмаган ва эгри чизикни характсрловчи бир нечта сикилиш парамстрлари таърифини таклиф этади. Таклиф этилган соя шаклининг сиқилиш парамстрлари шовқин сигналига нисбатан турғунлиги кўрсатилган, ушбу парамстрлар кузатувша олиниши кутилаётган тасвирларни юқори аниқликда тахдил этиш имконини бсради.
2. Ташки асимптотик бир жинсли магнит майдондаги айланувчи дсформацияланган кора ўраларнинг вакуум электромагнит майдонлари учун аналитик ифодалар топилган. Дсформацияланган кора ўралар атрофида индукцияланган электр майдони деформация параметрита чизиқли, магнит майдон эса ушбу парамстрнинг квадратига мутаносиблиги аникланган. Ушбу маълумотлар кузатувлар ёрдамида дсформацияланган қора ўраларни ажратиб олиш имконини бсради.
3. Ички тургун доиравий орбиталарни кузатув натижалари назарий олинган натижаларни таққослаш йўли билан айланувчи дсформацияланган қора ўранинг деформация параметрита юкори чегара қуйидаги кўринишда олинди: £<22.
4. Бир жинсли бўлмаган плазма мавжудлигида айланувчи кора ўралар сояларининг шакллари олинди. Ушбу соя шаклларидаги кўшимча асиммстриялар плазма ва марказий компакт объект парамстрлари тўғрисида маълумотлар олиш имконини бсради.
5. Гравитамагнит заряд ва ташки магнит майдон мавжудлигида қора ўра атрофидаги зарядланган зарраларнинг энергия ва импульс момента ҳамда ички тургун доиравий орбиталарнинг ифодалари топилган. Гравитомагнит заряд таъсири заррачалар чексизликкача тезлашишининг олдини олиши кўрсатилган. Ушбу натижалардан рслятив джетларни тавсифловчи моделларини яратишда фойдаланиш мумкин.
6. Плазма билан куршалган кора ўра соясининг кузатилувчи шакли (а) плазма параметрита, (б) кора ўранинг айланиш параметрита ва (в) кора ўра айланиш ўкининг кузатув текислигига оғиш бурчагига боғлик бўлиши кўрсатилган. Қора ўра соясининг ўлчами электромагнит нурланишнинг плазма муҳитида синиши ҳисобига камайиши кўрсатилган. Улчамсиз плазма парамстрининг ортиши билан кора ўра нурланиш энсргияси интснсивлиги камайиши аниқланган. Ушбу натижалар қора ўралар сояларидаги кўшимча асиммстриялар табиатини тушунтиришда кўлланилиши мумкин.
7. Ўта юқори энергетик жараёнларда юкори самарадорликка эришиш учун ҳодисалар горизонтининг бўлмаслиги ва кучли айланишнинг бўлиши даркорлиги кўрсатилган. Зарраларнинг юқори энергияларга эришиши қўшимча зарядланган зарраларга таъсир этувчи электромагнит жараёнларнинг ҳисобига рўй бсриши мумкин.
8. Хоржава моделида энергия ажралиш механизмлари орасида Пенроуз жараёни орқали кора ўрадан энергия ажралиб чиқиши ҳақикатга яқинроклиги кўрсатилган. Бундан ташқари Хоржава модели кўшимчасининг таъсири заррачалар чексизликкача тсзлашишининг олдини олиши кўрсатилган ва ушбу маълумотлардан компакт объсктлар энсргетикасини моделлаштиришда фойдаланиш мумкин.
9. Рслятив юлдузнинг электромагнит энергия қувватининг йўкотишига ғалати юлдузнинг компактлик таъсири муҳим эканлиги кўрсатилган. Умумий нисбийлик назарияси доирасида ғалати юлдуз худди шундай айланувчи нейтрон юлдузга нисбатан кўпроқ энергия йўқотиши аниқланган. Олинган натижалар келгусида ғалати юлдузларни аниқлаш тадқиқотларида ишлатилиши мумкин.

Тадқиқот объектлари: Карбон кислотлар: бир, икки ва кўп негизли, аминокислоталар, апротон кислоталар (Льюис кислоталари), аминлар, сув, аралаш сувли-сувсиз, сувсиз-сувсиз ва сувсиз эритувчилар. Ишлаб чиқариш объектларининг намуналари
Ишнинг мақсади: Бир, икки ва кўп негизли карбон, аминокарбон ва апротон кислоталарни титриметрик аниқлаш учун эритувчилар танлашни назарий асослаш, сувсиз эритувчиларнинг турли кимёвий хоссали ва кучи билан фаркланадиган кислоталар ва кислота хоссасини намоён этадиган моддаларга таъсирини ўрганиш, уларни аниклаш методикаларини яратиш.
Тадқиқот методлари: Потенциометрия, кондуктометрия,
полярография, спектрофотометрия, математик статистика методлари.
Олинган натижалар ва уларнинг янгилиги: карбон, апротон ва аминокислоталарнинг сувли, сувли-сувсиз, сувсиз-сувсиз ва сувсиз эритмалардаги кислоталик константалари бахоланди, кислоталарнинг титриметрик анализи учун эритувчилар танлаш назарий асосланди.
Амалий аҳамияти: Индивидуал холда ва аралашмаларда кислоталарни аниклашнинг метод ва услубиятлари ишлаб чикилди. Ишланган услубиятларнинг аниқлиги, тўғрилиги ва бошка метрологик характеристикалари юқори. Ишланган услубиятлар атроф муҳит объектларини анализ килиш учун қўлланди.
Татбиқ этиш даражаси ва иқтисоднй самарадорлиги: Олинган натижалар Сам. вил. ЦГСЭН, Сам. ш. Давлат ишлаб чикариш «Сувоқава» корхонаси, Хоразм вил. табиатни мухофоза қилиш қўмиталарида ишлаб чикаришга, СамДУ, УрДУ хамда Саратепа туризм ва хизмат кўрсатиш коллежи кафедраларида ўқув жараёнига татбиқ этилди. Улар кимё ва озик-овқат саноати, тиббий ташкилотлар лабораториялари ва қишлоқ хўжалиги корхоналарида хам қўлланилиши мумкин.
Қўлланилиш (фойдаланиш) сохаси: аналитик кимё, экоаналитик мониторинг, атроф муҳит муҳофазаси, озиқ маҳсулотлари анализи.

Бизга маълумки куритилаётган материал ни аппаратда бўлиш вақтини аниқлаш ва бунинг асосида қуритиш жараёнинг умумий ҳисоблаш учун куритгич орқали заррачаларнинг олдинга силжишини кетма-кет каскад цикллари оркали содир бўлади, бу ерда заррачанинг маълум бир циклдаги қар бир ҳаракати унинг барабан узунлиги бўйлаб ҳаракатланишига олиб келади ва ҳар бир циклдаги бу масофа куритгичнинг конструкцияси ва иш шароитларига боғлиқ бўлади. Заррача барабанда чексиз кўп йўллар билан ҳаракатлаганлиги сабабли, заррача ҳаракатини таҳлилини ўртача қийматлар учун оламиз.

Mаqolаdа umumta’lim maktablari fizikа dаrslаrini tаshkil etishdа tаjribаlаrning roli vа ulаrni tаshkil etish shаkllаri hаqidа so‘z borаdi

O'quvchilarni bilimini baxolashda ularning ijodiyfikirlashlari va berilgan savolga keng qamrovli javob berishi va atroflicha ya’ni tabiat va turmushga bog'lab olib borishi juda muhimdir chunki, bu o'quvchilarni fanga qiziqishini ortiradi, o‘z navbatida o'qituvchini dars berish samaradorligini ham oshiradi.

This article analyzes the poetic language, stylistic variety, and expressive richness found in the short stories of one of the prominent representatives of modern Uzbek literature—Khayriddin Sulton. The study focuses on his individual narrative style, use of artistic devices such as metaphors, epithets, and symbols, as well as the philosophical and lyrical-epic unity of his works. The article also highlights the author’s contribution to the genre of short stories, his approach to dialogue and character speech, and the national and spiritual depth present in his literary language. The analysis is based on Sulton's complete body of short stories, supplemented by scholarly critiques and literary studies.

 

 

Yer ostidagi lahzali portlashlaming seysmik ta'siridan foydalangan holda to'liq miqyosli dala tajribalarida olingan natijalar ko'rib chiqiladi. Berilgan geologik holat uchun er osti lahzali portlashlaming seysmik maydoni o'rganildi.

The concept of a system of nonlinear equations, the stages of solving the problem, the geometric interpretation of the solution of the
equation and the concept of iterative processes are given and their application is shown in the examples. The problem of numerical solution of a number of practical problems consisting of a system of nonlinear equations is considered. There are a number of approximate computational methods for solving systems of nonlinear equations, including Newton's method. Using these methods, a number of specific practical problems were solved, a computational algorithm and a block diagram were developed. An approximate method of finding the true roots of a system of nonlinear equations is given, based on examples, graphs are used in the form of results,
and appropriate conclusions are drawn