Объекты исследования: монокристаллы Si(.xGex, контакты Металл-Si].xGex, диоды Шоттки.
Цель работы: исследование свойств контактов мсталл-8й.хОех в зависимости от типа металлов, с учетом содержания германия и поверхностных состояний в объемных твердых растворах Si|.xGex.
Методы исследования: электронно-лучевая бсстигсльная зонная плавка, рентгеновский микроанализ, метод модуляции проводимости, стандартные электрофизические и фотоэлектрические методы.
Полученные результаты и их новизна:
- улучшена технология выращивания монокристаллов Si|.xGex и выращены однородные монокристаллы сплава Si|.xGex, методом электронно-лучевой БЗП с низкой плотностью дислокаций (~102-Ч04 см'2) и с высоким временем жизни (~600 мкс) не основных носителей заряда;
- впервые получены данные по высоте барьеров Шоттки на основе Au, AL Она резко меняется при малых составах, а затем практически остается неизменной. Полученные данные подтверждают вывод, сделанный ранее для Au-Si].xGex<Li> о пассивации поверхности сплава за счет обогащения поверхности Si|.xGex атомами Ge;
- для контактов Ti-Si|.xGex наблюдается монотонный рост величины барьера с ростом содержания германия, тогда как для Ni-Si].xGex ,из за промежуточного слоя германида никеля, электрофизические свойства контактов не описываются известными выражениями для ВАХ и ВЕХ барьеров Шоттки;
- впервые исследованы БШ M-Si|.xGex на основе золота и алюминия, изготовленных на поверхности с различной плотностью поверхностных состояний. Показано, что высота их барьера коррелирует с плотностью поверхностных состояний и содержанием германия.
Практическая значимость: результаты работы по получению БШ M-Si^xGex, по влиянию содержанию Ge на пассивацию поверхностных состояний представляют интерес для физики полупроводниковых твердых растворов и могут быть использованы при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности детекторов ИК и ядерного излучения на основе твердых растворов Si|.xGex.
Степень внедрения и экономическая эффективность: часть полученных результатов использована при выполнении исследований радиационной стойкости и электрофизических свойств приборов на основе сплава Si|.xGex облученных нейтронами, электронами и рентгеновскими квантами.
Область применения: физика твердого тела, физика полупроводников, приборостроение.
