281
РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ НА
ОСНОВЕ ВЫРАЩЕННЫХ GaAs
Шарибаев М.Б., Байрамов О.Д., Ерлепесова И.
КГУ имени Бердаха, Нукус, Узбекистан
Интерес к излучению квантово-размерных структур на основе А
2
В
6
материалов обусловлен
возможностью изготовления на их базе инжекционных источников когерентного
1
и
некогерентного излучений, а также излучателей с электронной накачкой
2
, перекрывающих
практически весь видимый диапазон. Однако реализация данного класса гетероструктур
столкнулась с проблемой деградации их свойств как в процессе работы, так и при различных
термообработках при изготовлении приборов. Ухудшение качества гетероэпитаксиальных слоев
обычно связывают с размножением дислокаций в активных областях при работе прибора.
Существенную роль при этом может играть присутствие подвижных точечных дефектов на фоне
релаксационных процессов, связанных с заметным рассогласованием параметров слоев и
подложки GaAs. Важным фактором также являются электронные возбуждении. В данной работе
изучено влияние и облучения электронами, рентгеновскими квантами, создающими только
электронные возбуждения, на изменение оптических характеристик CdZnTe/ZnTe.
Измерения спектров ФЛ и отражения (R(
)) в диапазоне от 1.4 до 2.4 эВ проводили в
температурной области от 4.2 до 80 К на автоматизированной установке с решѐточным, а в
диапазоне 0.6 –1.4 эВ с призменным монохроматорами. Спектры ФЛ возбуждались излучением
аргонового лазера с
51453
.
0
1
мкм и
488
.
0
2
мкм.
Исследовано влияние двух типов радиационной обработки структур А
2
В
6
: электронами и
рентгеновскими квантами. Температура образцов при облучении не превышала 60
С.
На рис.1 приведены спектры PL исходного образца с квантово-размерными слоями,
нанесенными на буферный слой (кривая 1) и после облучения рентгеновскими квантами квантами.
В области энергий E
g
= h
= E
g
– 25 мэВ, где E
g
– ширина запрещенной зоны ZnTe (E
g
= 2,37 эВ,
77К), наблюдаются полосы люминесценции, принадлежащие буферному слою и связанные со
свободным экситоном, расщепленным двухосным напряжением на две составляющие - I
FX
hh
и I
FX
lh
(I
FX
hh
= 2,366 эВ, 524 нм) и полосы, являющейся наложением полосы I
FX
lh
и полосы связанного на
доноре экситона (I
FX
lh
= I
2
Ga
= 2,3609 эВ, 525,2 нм), возможно поляритонное излучение [3].
Наблюдается паразитный резонансно усиленный 7LO-фонон при возбуждении
exc
=4880
нм. В области энергий E
g
25 мэВ
h
2,3 эВ наблюдается доминирующая по интенсивности
полоса люминесценции, принадлежащая излучению от трех туннельно-связанных ям и
соответствующая наиболее низкоэнергетическому переходу с участием тяжелых дырок 1
hh
– (
I
КЯ
= 2,319 эВ, 534,8 нм) и довольно слабая полоса с h
= 2,33 эВ, 531,4 нм, возможно также связанная
с одной из квантовых ям [4]. Величина деформаций после облучения рентгеновскими квантами
составила величину
= 5.4·10
-4
, 77 К,
282
535
540
545
550
555
560
point-edge
point 2
point 1
P L
i n t e n
s i t
y ,
a
r
b
. u .
Wavelength, nm
Рис. 1.
Спектры ФЛ при 77 К (№2-1) исходного (кривая 1) и (№2-3) облученного
рентгеновскими лучами (кривая 2) образца с тремя тунельно-связанными квантовыми ямами.
exc
= 0.488 мкм,
P
exc
= 5 Вт/см
2
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ:
1. Venger E.F., Sadof‘ev Yu.G., Semenova G.N. et. Al.// SPIE Proccedings. 1998. V.3890. P.170-176;
P.537-541.
2. Брайловский Е.Ю., Здебский А.П., Корчная В.Л. и др.// Письма в ЖТФ. 1987. Т.13. N20. С.1310-
1313.
3. Bagaev V.S., Zaitsev V.V., Onishchenko E.E., Sadofyev Yu.G.// Abstr. of 9
th
Intern. Conf. ―II-VI
Compounds‖, Kyoto. Japan. 2007
4. Иванов С.В., Торопов А.А.,Сорокин С.В. и др.//ФТП.-1998.-Т.32.-С. 1272.
RAQAMLI TEXNOLOGIYANING TA‟LIM BERISHDAGI O„RNI
Saparniyazova Z.M., Saparniyazova R.M.
Berdaq nomidagi QDU, Nukus, O‗zbekiston
e-mail:
Bugungi kunda raqamli vositalarsiz ta‘limni yuqori qobiliyatga ega bo‘lgan malakali kadrlarni
tayyorlashni tassovvur qilish qiyin bo‘lib qoladi.
Biz o‗zimiz ham ta‘lim jarayonida zamonaviy raqamli texnologiyalardan foydalanamiz va talabalarimizga
tajribali mutaxassislar yordamida bu jarayonlarni optimallashtirish uchun raqamlashtirish vositalarini
tushunib urganishga yordam beramiz, bu raqamli texnologiya talabalar bilan masofada ishlashni
tezlashtirish va o‘qituvchi xodimlarining mehnat unumdorligini oshiradi.
Ma‘lumki, Ózbekiston Respublikasi Prezidentining 2020 yil 28 apreldagi ―Raqamli iqtisodiyot va
elektron hukumatni keng joriy etish chora – tadbirlari tuǵrisida‖gi PQ-4699-sonli Qarori qabul qilingan.
Raqamli iqtisodiyot va elektron hukumatni yanada rivojlantirishning asosiy vazifalaridan biri bu, tálim
tizimining barcha yónalishlaridaraqamli texnologiyalardan keng turda foydalanish va zamonaviy
iqtisodiyot uchun mutaqassislarning raqamli bilimlarning darajasin oshirish, tálim infrastrukturasini
rivojlantirish va «Beshta tashabbus» loyihasini amalga oshirish borasida 2022 yilgacha respublikaning
barcha joylarida raqamli bilimlarga óqitib tálim berish markazlarini ochishdir [1].
