Жамият
ва
инновациялар
–
Общество
и
инновации
–
Society and innovations
Journal home page:
https://inscience.uz/index.php/socinov/index
Improving the content of semiconductor Physics topics
through reflections in education
Bakhrikhon TULANOVA
Andijan State University
ARTICLE INFO
ABSTRACT
Article history:
Received August 2024
Received in revised form
15 September 2024
Accepted 15 October 2024
Available online
25 November 2024
This article examines the issue of improving the content of
semiconductor topics by including information about silicon in
higher education programs.
2181-
1415/©
2024 in Science LLC.
DOI:
https://doi.org/10.47689/2181-1415-vol5-
This is an open access article under the Attribution 4.0 International
(CC BY 4.0) license (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/deed.ru)
Keywords:
silicon,
semiconductor,
photosensitive material,
semiconductor dosimeter,
electric scale,
dynamic pressure sensor,
strain gauge.
Yarimo‘tkazgichlar fizikasiga doir mavzular mazmunini
ta’limda aks ettirish orqali takomillashtirish
ANNOTATSIYA
Kalit so‘
zlar:
kremniy,
yarimo‘tkazgich,
fotosezgir material,
yarimo‘tkazgichli dozimetr,
elektr tarozi,
dinamik bosim
o‘zgartirgichi,
tenzosezgir element.
Mazkur maqolada aksar element va kirishma kiritilgan
kremniy haqidagi ma’lumotlarni oliy ta’lim
tizimida aks ettirish
orqali yarimo‘tkazgichlarga doir mavzular mazmunini
takomillashtirish masalasi keltirilgan.
1
Associate Professor, Department of General Physics, Andijan State University.
Жамият
ва
инновациялар
–
Общество
и
инновации
–
Society and innovations
Issue
–
5
№
5 (2024) / ISSN 2181-1415
35
Совершенствование содержания тем по физике
полупроводников через рефлексии в образовании
АННОТАЦИЯ
Ключевые слова:
кремний,
полупроводник,
фоточувствительный
материал,
полупроводниковый
дозиметр,
электрические весы,
датчик динамического
давления,
тензочувствительный
элемент.
В данной статье рассматривается вопрос улучшения
содержания тем о полупроводниках за счет включения
информации
о
кремнии
в
программы
высшего
образования.
Uzluksiz ta’lim tizimining mazmuniy jihatiga chuqurroq qaralsa, kechagi o‘rta
maktab va akademik litsey bitiruvchilari
–
bugungi oliy ta’limning iqtidorli talabalari va
ertangi yuqori malakali
–
ilmiy salohiyatli mutaxassislardir. Respublikamiz uchun
dolzarb vazifa
–
ilmiy salohiyatni ko‘tarish va yoshartirish uchun oliy ta’lim talabalariga
ilmiy asoslangan, ilmiy-
texnikaviy yangiliklarni o‘zida muntazam ifodalay oladigan
bilimlarni izchil o‘qitishni ta’minlanishi zarur. Yil sayin tez rivojlanib, ilmiy yangiliklar
zudlik bilan amaliyotga joriy etilib va talabalar uning natijalaridan foydalanuvchilar
bo‘lib qolayotgan vaqtda yarimo‘tkazgichlar fizikasiga doir mavzularni izchil o‘qitilishiga
erishish oliy ta’lim professor
-
o‘qituvchilari oldiga qo‘yilgan dolzarb vazifadir.
Yarimo‘tkazgichlar fizikasi sohasida olib borilgan tadqiqotlarning tahlili shuni
ko‘rsatadiki, ko‘plab tadqiqotlar kremniy ustida olib borilgan bo‘lib, yarimo‘tkazgichli
asboblar va
tizimlar ishlab chiqarishda eng ko‘p ishlatilayotgan modda kremniy hisoblanadi.
Kremniyning bunday xossalaridan foydalanib texnikada turli tuman asbob va
qurilmalar ishlab chiqarilgan. Kremniydan texnikada foydalanishda unga davriy
sistemaning ko‘plab elementlari kiritilgan va
turli xil natijalar olingan [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8].
1-jadvalda kremniyga kiritilgan element va aralashmalar, undan olingan natijalar
hamda tadqiqotning ahamiyati haqida ma’lumotlar keltirilgan:
1-jadval
BA’ZI ELEMENT VA
ARALASH
MA KIRITILGAN KREMNIYNI O‘RGANISH BO‘Y
ICHA
MA’LUMOTLAR
№
Tadqiqot olib
borilgan yil
Element yoki
aralashma
Olingan natijalar
Tadqiqotning
ahamiyati
1
Nurqo‘ziyev
1993
Osmiy
Kremniyni osmiy bilan boyitish har
xil elektr
o‘tkazuvchanlikka ega va
yuqori fotosezgir material olishga
imkon beradi. 10
15
sm
2
integral
oqimgacha neytronlarga va 5·10
18
sm
2
oqimgacha γ
-nurlanishga bardosh
berishi va yangi hosil bo‘lgan
xossalari to 800
0
S temperaturaga
bardosh berishi kuzatilgan.
Har
xil
elektr
o‘tkazuvchanlikka ega
va yuqori fotosezgir
material
olishga
imkon beradi.
Жамият
ва
инновациялар
–
Общество
и
инновации
–
Society and innovations
Issue
–
5
№
5 (2024) / ISSN 2181-1415
36
2
Xakimov
M.1993
Neytron
Neytron bilan kiritma kiritilgan
kremniyni
800-1250
0
S
temperaturada
toblanganda,
solishtirma qarshilikni taqsimlanishi
hajm bo‘yicha bir xilda bo‘lishligi
uchun yetarliligi ko‘rsatildi. Nurlanish
ta’sirida neytron bilan kiritma
kiritilgan dislokatsiyali kremniyda tok
tashuvchi zarrachalarni va ularni
yashash
vaqtini
kamayishi
dislokatsiyasiz neytron bilan kiritma
kiritilgan kremniyga nisbatan yuqori
ekanligi aniqlandi va bu kremniyda
YE
v
+0,37 eV radiatsion sathni 4-8
marta jadal hosil bo‘lishi ko‘rsatildi.
Neytron
bilan
kiritma
kiritish
jarayonida
tartibsiz
sohalarni
kremniy hajmi bo‘yicha vujudga
kelishi natijasida kislorod atomlarini
bir xilda taqsimlanmasligini hisobga
olgan
holda,
shu
kremniyda
kechadigan
jarayonlarni
nazariy
tasavvurlari taklif qilindi.
Neytron
bilan
kiritma
kiritilgan
dislokatsiyali
kremniydan energiya
va quvvati yuqori
bo‘lgan
ionlashtiruvchi
nurlanishni yutilgan
miqdorini
o‘lchaydigan
yarimo‘tkazgichli
dozimetr
tayyorlashdan
iboratdir.
3
Mamad-
karimov O.O.
1994
Nikel,
gadoliniy
Har taraflama bosimda Au-Si<Ni>-
Sb ShB tipidpgi asboblarning VAXi
o‘rganildi va tajribada ko‘rsatilgan
asosiy o‘zgarishlar barerdagi barik
musbat teskari bog‘lanish effekti bilan
izohlandi. Si<Ni> va Si<Gd,Ni>
namunalarining
tenzosezuvchanlik
koeffitsiyenti tadqiqot qilingan va
tenzosezuvchanlik
dastlabki
namunalarga
qaraganda
kirindi
kirishi hisobiga bir necha marotaba
ortishi ko‘rsatildi.
Tadqiqot natijalari
asosida
sezuvchi
elementi
Si<Ni>
namunasi
bo‘lgan
“Elektron tarozi” va
“dinamik
bosim
o‘zgartirgichi”
yaratilganligini
va
ularni hozirgi vaqtda
sanoat korxonalarida
sinovdan
o‘tayotganligi
qayd
qilingan.
4
Mirsagatov
R.M. 1994
Marganes,
rux va
halkogenlar
(oltingugurt,
selen, tellur)
Fotoo‘tkazuvchanlikni
regeneratsiyalash va so‘nish uzoq
vaqtli
jarayonlari
kinetikasini
tekshirish natijasida marganes, rux va
halkogenlar o‘zaro bog‘liq bo‘lmagan
markazlarining qayta zaryadlanish
jarayonida kremniy va germaniy
kremniy qotishmalari panjarasining
xar xil simmetriyali pozitsiyalari aro
tunnellanuvchi modeli taklif qilindi.
Tashqi
elektr
maydoni
ta’sirida
chuqur
markazlarda
hosil bo‘luvchi Shtark
effekti va kremniy
germaniy qotishmasida
germaniyni
oshishi
bilan bog‘liq bo‘lgan
qaysiki
asosiy
bo‘lmagan tashuvchilar
rekombinatsiyasiga bir
va ikki elektron qabul
qilish
jarayonlarini
nisbatan
ulushini
aniqlovchi
fotoo‘tkazuvchanlikni
so‘nish
va
regeneratsiyasi
dinamikasining
o‘zgarishi ko‘rsatilgan.
Жамият
ва
инновациялар
–
Общество
и
инновации
–
Society and innovations
Issue
–
5
№
5 (2024) / ISSN 2181-1415
37
5
Ximmatqulov
O. 1994
Marganes.
Rux
Kompensirlangan va issiqlik ishlovi
berilgan kremniy namunalari hajmida
hosil bo‘ladigan nuqsonlarning har
tomonlama va bir o‘qli bosim ta’sirida
tenzoeffekt yuzaga kelishining fizik
mexanizmlariga ta’siri o‘rganildi.
Olingan
ilmiy
natijalar
asosida
tenzosezgir
elementlari
kompensirlangan
kremniy va struktura
namunalari bo‘lgan
bosimning
dinamik
va
mexanik
kattaliklar
o‘zgartirgichlari
yaratish mumkinligi
ko‘rsatildi.
6
Sharipov E.O.
1994
Ion holdagi
bor va fosfor
Turli temperaturalarda germaniy
va kremniyga kiritilgan va qizdirish
asosida aralashmalardan foydalanish
koeffitsiyentini
oshirish
usuli
aniqlandi.
Aralashmalar
taqsimlanishini
o‘rganishdan ma’lum
bo‘ldiki bir vaqtning
o‘zida qizdirilganda
kiritilgan ionlarning
taqsimlanishi
va
kiritib
so‘ng
qizdirilgandagi
ionlarning
taqsimlanishi
bilan
o‘zaro mos kelmasligi,
kiritilgan
aralashmalarning
nuqsonlar
bilan
ta’sirlanishidagi
bog‘liqligi tasdiqlandi.
7
Mamanova M.
1995
Oltin
Oltinni
yuqori
temperaturada
diffuziya
yo‘li
bilan
kiritganda
o‘tkazuvchanlikning boshlang‘ich tipi
va materialning solishtirma qarshiligi,
diffuziya
temperaturasi
va
davomiyligidan qat’iy nazar oltinning
E
c
-0,54 va E
v
-0,34 eV sathli markazlari
hosil bo‘lishi ko‘rsatilgan. Materialni
o‘stirish sharoitida oltin kiritilganda
esa uning yangi qo‘shimcha E
c
-0,58 eV
akseptor sathli markazi hosil bo‘lishi
ko‘rsatilgan.
O‘stirish sharoitida
oltin
kiritilgan
kremniyga
yuqori
temperaturali ishlov
berish
oltinning
sathlari
konsentratsiyalari
nisbatini o‘zgartirishi
va diodlarning teskari
toklarini kamaytirish
va
teskari
kuchlanishlarini
oshirish
tomonga
keskin
yaxshilashi
mumkinligi
aniqlangan.
8
Karimber-
diyev X.X.
1995
3d-
o‘tuvchi
metallar
gruppasidan
nikel
Kremniy monokristallari tarkibida
hosil bo‘ladigan murakkab hajmiy
nuqsonlardan
bo‘lmish
qirindi
atomlarining pret
sipitatlari o‘rganildi.
Bunday nuqsonlar asosan kremniy
monokristallarini
3d-
o‘tuvchi metallar gruppasidagi
elementlar
bilan
legirlaganda
kuzatilar
ekan.
Shu
guruh
Yarimo‘tkazgichli
asboblarni
solishtirma
qarshiligini
tashqi
bosim
yordamida
kerakli qiymatgacha
orttirish usuli ishlab
chiqildi.
Жамият
ва
инновациялар
–
Общество
и
инновации
–
Society and innovations
Issue
–
5
№
5 (2024) / ISSN 2181-1415
38
elementlaridan bo‘lmish nikel qirindi
atomlarining
hosil
qilgan
pretsipitalari
boshqa
elementlarnikiga nisbatan ko‘p va
yaqqol namoyon bo‘ladi.
Ba’zi element yoki kirishma kiritilgan kremniy
haqidagi ma’lumotlarni oliy
ta’lim tizimida aks ettirish orqali “Yarimo‘tkazgichlardagi kirishmalar” mavzusini,
yarimo‘tkazgichlarni fan va texnika taraqqiyotida tutgan o‘rnini yoritib berish imkoniyati
yaratiladi. Shuningdek,
jadvaldan “Fizika tarixi” fanini o‘qitishda ham foydalanish
mumkin.
FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR
RO‘YXATI:
1.
Ayupov K.S. Bazasi marganes bilan legirlanib, o‘ta kompensatsiyalangan
kremniyli
n
+
-p-p
+
va
n
+
-p-p
+
strukturalarda injeksion hodisalarning xususiyatlarini
tekshirish.
Avtoreferat f.m.f.n. Toshkent, 1998, -18b.
2.
Karimberdiyev X.X. Kremniy monokristallarida qirindilarning presipitatlanish
mexanizmlarini tadqiq etish. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1995, -19b.
3.
Kurbonova U.X. Oltingugurt bilan legirlanib, kompensatsiyalanagan kremniydagi
avtotebranishlar jarayoni. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1998, -18b.
4.
Mamatkarimov O.O. Chuqur sathli kiritmalar kiritilgan kremniyda va ular
asosidagi strukturalarda tenzoelektrik xodisalar. Avtoreferat diss. f.m.f.d. Toshkent, 2003,
-38b.
5.
Mirsagatov R.M. Kremniyda va kremniy germaniy qotishmalarida marganes, rux
va xalkogenlarningqorishma markazlarini tekshirish. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent,
1994, -18b.
6.
Nurkuziyev G. Osmiy qorishmali kremniyning elektrofizik xususiyatlarini
o‘rganish. Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1993,
-23b.
7.
Xakimov M. Neytron bilan legirlangan kremniydagi radiatsion jarayonlar.
Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1993, -18b.
8.
Ximmatkulov O. Marganes va rux aralashmalari bilan kompensirlangan kremniy
va uning strukturalarida dinamik tenzoeffekt va relaksatsiyali-kinetik hodisalar.
Avtoreferat diss. f.m.f.n. Toshkent, 1994, -18b.
