393
Shundаy kеltirilgаn sхеmа bo‗yichа kompyuter ekrаnidа hаrаkаtli tаsvir аmаlgа
оshirilаdi. Bu texnologiyalardan foydalanish darsda vaqtni tejashga, turli o‗quv vositalari
usullarini tashkil qilishga, ta‘lim jarayonida ko‗rgazmalik darajasini oshirishga, o‗quv jarayonini
jonlantirishga, emotsional holatni oshirishga imkon beradi.
Tа‘limni kompyuterlаshtirish insоnning аqliy rivоjlаnishigа ulkаn hissа qo‗shаdi.
Chunki, kompyuter yordаmidа o‗qitish jаrаyonidа insоn fikrlаsh usul vа mеtоdlаri qаtоridаn
induksiya vа dеduksiya, umumlаshtirish vа аniqlаshtirish, tаhlil vа sintеz, tаsniflаsh vа
tizimlаshtirish, аbstrаklаshtirish vа o‗хshаtish kаbilаr tаbiiy rаvishdа o‗rin оlаdi. Bulаr esа
mаntiqiy хulоsа chiqаrish uchun fikrlаrni ifоdаlаsh, аsоslаsh vа isbоtlаshgа, shu аsоsdа mаntiqiy
fikrlаshning o‗sishigа аsоs bo‗lib хizmаt qilаdi.
Foydalanilgan adabiyotlar roʻyxati:
1.Нишоналиев У. Янги педагогик ва ахборот технологиялари :муаммолар, ечимлар/
«Таълимда
ахборот
технологиялари»
мавзусидаги
республика
илмий-амалий
конференцияси материаллари. -Тошкент: ТДПУ, 2000.
2.Кузнецова Н.Е., Злотников Э.Г. Об организации химического образования в
школах США //Химия в школе. -1999. -№7. -С. 57-61.
PECVD JARAYONLARINI DIAGNOSTIKA VA MONITORING QILISH USULLARI
G‗oipov Bunyod Anorboyevich
Mirzo Ulug‗bek nomidagi O‗zMU fizika fakulteti magistranti
Annotatsiya:
Hozirgi kunda fan va texnalogiyani rivojlanishida nanotexnalogiyani o‗rni
ortib bormoqda. Ayniqsa, olinayotgan nanoo‗chamdagi zarralar, nanokalsterlarni va
qatlamlarni analitik o‗lchash, tekshirish quyidagi asboblarni o‗rni benihoya katta hisoblanadi.
Kalit so‗zlar:
PECVD, LIF, OES, MS, AFM, Raman spektrometr, Ellipsometr.
Yupqa qatlamlarni o‗stirishda, PECVD metodinig tashqi va ichki parametrlari, hamda
qatlam xususiyatlari o‗rtasidagi munosabatlar juda murakkab. Agar biz reaktor ichida sodir
bo‗layotgan jarayonlarni tushunish, nazorat qilish va optimallashtirish uchun ichki parametrlarni
(zarrachalar hosil bo‗lishi, ularning oqimi va energiyasi kabi) bilish juda muhimdir. Quyida
keltirilgan jadval plazma diagnostikasining turli usullarida, ma‘lumotlarni kiritish, umumiy
jarayon, kirish parametrlari va plazma xususiyatlari o‗rtasidagi o‗zaro bog‗liqlik, shuningdek,
har bir PECVD tizimining o‗ziga xos xususiyatlarini tushunishni rivojlantirish imkoniyatini
beradi.
1-jadval: PECVD jarayonlarini ilg‗or tahlil qilish va nazorat qilish uchun mos diagnostika
usullari va ularning imkoniyatlari [4].
Plazma diagnostika usullarini ko‗p jihatdan tasniflash mumkin. Misol uchun:
1) ular o‗lchaydigan zarralar (elektronlar, ionlar, radikallar, fotonlar va boshqalar);
394
2) faol bo‗lish orqali (tizimga qo‗shimcha signalni lazer bilan induktsiyalangan floresansda
(LIF) lazer nurlari yoki Langmuir zondlarida tashqi kuchlanishni kiritish;
3) passiv bo‗lish orqali (massspektrometriyada neytrallardan namuna olish yoki optik
emissiya spektroskopiyasida (OES) chiqarilgan yorug‗lik);
4) baholashga yordam beradigan parametrlar bo‗yicha (n
e
, n
R
va boshqalar) [1,3].
Bundan tashqari, jadvalda keltirilgan mavjud vositalar to‗g‗ridan-to‗g‗ri taglik yuzasida
qatlam o‗sish jarayonini kuzatish va qatlamlarning massasi/zichligi, optik, elektr va boshqa
xususiyatlarini boshqaradi. Har qanday PECVD tizimini diagnostika qilishda eng ko‗p
uchraydigan muammolaridan biri bu elektr yoki optik komponentlarning cho‗ktirilgan qatlamlar
bilan ifloslanishidir; bu o‗lchash aniqlikni sezilarli darajada kamaytirishi va mahsulot sifatini
pasayishiga olib keladi.
Bunday muammolarni hal qilish usullari texnika va jarayonni borishiga bog‗liq. Ana
shunday kamchiliklarni bartaraf qilish usullari mavjud; shu jumladan panjurlardan foydalanish
(faqat o‗lchovning o‗zi qisqa vaqt ichida ochiladi); uzoq inert gazni tozalash; oyna va linzalarda
cho‗kishni minimallashtirish uchun diafragmali kollimatorlardan foydalanish; to‗plangan
qatlamni issiqlik bilan bug‗lash yoki purkash bilan olib tashlash uchun elektr (Langmuir)
problariga yuqori musbat yoki salbiy kuchlanishlarni qo‗llash va boshqa yondashuvlar [1-3,4-6].
Spektral elipsometriya turli xil sohalarda qo‗llaniladigan nanostrukturalarning, optik
konstantalari va qalinliklarini o‗ta yuqori, nanometrnng o‗ndan biri aniqlikda o‗lchash imkonini
beradi. Bunday aniqlikka ehtiyoj, birinchi navbatda zamonaviy mikro- va nanoelektronikada,
optik qoplamlar texnologiyasida, elektrokimyoviy jarayonlarni o‗rganishda, biologiyada va
boshqa qator sohalarda yuzaga keladi [7].
1-rasm. Spektral elipsometrning tuzilishi va ishlash prinspi.
395
Boshqa analitik usullardan farqli, ellipsometriya usuli juda sodda bo‗lib, namunalarni
oldindan maxsus tayyorlashni talab etmaydi, o‗lchash vaqtida na‘munalar xususiyatlariga ta‘sir
ko‗rsatmaydi. Uslubning yuqorida keltirilgan barcha afzalliklari uni ommalashishiga va nafaqat
ilmiy tadqiqotlar uchun, balki nanoindustriya sohasidagi turli xil texnologik jarayonlarni nazorat
qilish uchun keng qo‗llanilishga olib keldi.
Yana bir asosiy diagnostika usuli bu Raman spektroskopiyasi. Unda yorug‘likning
molekular sochilishi va uning spektral tarkibi haqida batafsil ma‗lumotlarni olishimiz mumkin
[7].
2-rasm. Raman spektroskopiyasining ishlash prinspi.
Molekula yorug'lik bilan ta'sirlashganda molukula tebranishi va fotonlar orasida o‗zaro
energiya almashinuvi yuzaga keladi. Sochilish natijasida hosil bo‗lgan tushayotgan va sochilgan
nur chastotalarining farqi o‗rganilayotgan molekulaning normal tebranishlari haqida aniq
ma‘lumot beradi. Bu hol alohida atom yoki molekuladan tashqari o‗zaro bog‗langan atomlar
396
gruppasi uchun ham o‗rinli. Lazer nurining to‗lqin uzunligiga qarab namunani turli chuqurlikda
o‗rganish mumkin.
Foydalanilgan adabiyotlar ro‗yxati:
1.
I.H. Hutchinson, Principles of Plasma Diagnostics, Cambridge University Press,
Cambridge (2002).263
2.
R. Hippler, S. Pfau, M. Schmidt, K.H. Shoenbach (Eds.), Low Temperature Plasma
Physics: Fundamental Aspects and Applications, Wiley-VCH, Berlin (2001).
3.
F. Chen, Lecture Notes on Principles of Plasma Processing, Kluwer Academic/Plenum
Publishers, New York (2003).161.
4.
L. Martinu, O. Zabeida, J. Klemberg-Sapieha Plasma-Enhanced Chemical Vapor
Deposition of Functional Coatings Published (2010).407
5.
H. Aguas, R. Martins, E. Fortunato, Vacuum 56 (2000) 31.
6.
P. Spatenka, H. Suhr, Plasma Chem. Plasma Process. 13 (1993) 555.
7.
https://pastel.archives-ouvertes.fr/tel-01688695
19 Jan 2018. 43.
MURAKKAB FUNKSIYALARDAN OLINGAN ANIQ INTEGRALNI TAQRIBIY
HISOBLASH
Po‗latov Baxtiyor Sobirovich
O‗zMU Jizzax filiali ―Amaliy matematika‖ kafedrasi katta o‗qituvchisi
Xurramov Yodgor Safarali o‗g‗li
O‗zMU Jizzax filiali ―Amaliy matematika‖ kafedrasi assistenti
Ibrohimov Javohir Bahromovich
O‗zMU Jizzax filiali ―Amaliy matematika‖ kafedrasi assistenti
Annotatsiya. Odatda, aniq integrallar Nyuton-Leybnis formulasi yordamida hisoblanadi.
Bu formula boshlang‗ich funksiyaga asoslanadi.Ammo boshlang‗ich funksiyani topish masalasi
doim osongina hal bo‗lavermaydi. Agar integral ostidagi funksiya murakkab bo‗lsa, tegishli aniq
integralni taqribiy hisoblashga to‗g‗ri keladi.
Kalit so‗zlar: To‗g‗ri to‗rtburchaklar formulasi, trapesiyalar formulasi, Simpson
formulasi, integralni taqribiy hisoblash, taqribiy hisoblash xatoligi.
Faraz qilaylik,
)
(
x
f
funksiya
]
,
[
b
a
segmentda berilgan va uzluksiz bo‗lsin. Demak,
])
,
([
)
(
b
a
R
x
f
.
..
b
a
dx
x
f
)
(
integralni taqribiy hisoblash uchun quyidagi
)
(
)
(
1
1
2
1
n
k
k
b
a
x
f
n
a
b
dx
x
f
(1)
formulaga kelamiz.
(1) formula
to‗g‗ri to‗rtburchaklar formulasi
deyiladi.
Endi (1) taqribiy formulaning xatoligi quyidagi:
