Объекты исследования: многослойные структуры с однородными полупроводниковыми микрообластями, р-п-, р-п-р - переходами; пленки Si, CdTe, Si:Ag, CdTe:Ag, CdTe:Si.
Цель работы: разработка технологий получения, легирования и активации АФН-пленок, исследовании их свойств, особенно фотоэлектерного состояния без внешнего поляризующего поля, с помощью фотоэлектрических методов, построении теории, а также в создании на основе АФН-пленок оптоэлектронных приборных структур.
Методы исследования: технологические методы, основанные на термическом испарении, легировании, активации примесями, дополнительным допылснисм; метод угловых диаграмм; изучение спектров АФН-эффекта; изучение релаксационных кривых; решение уравнения непрерывности, кинетического уравнения.
Полученные результаты и их новизна: предложен метод определения механизмов АФН-эффскта; найдено аналитическое выражение для распределения косоосаждснных пленок по толщине; определены механизмы АФН-эффекта в пленках CdTe; разработана теория АФН-эффскта в пленках с дембсровскими механизмом; в пленках с р-п-р - переходным механизмом; разработана теория фотоэлсктрстного состояния в однородных полупроводниках; в р-п - переходах с двумя глубокими уровнями; разработана технология получения пленок Si и CdTe с фотоэлектрстным состоянием без внешнего поляризующего поля; предложена методика определения параметров глубоких уровней.
Практическая значимость: полученные экспериментальные результаты и технологические приёмы изготовления, легирования, активации пленок с АФН-эффсктом, фотоэлектрстным состоянием могут быть использованы для построения ряда оптоэлектронных устройств и определения их характеристических микропарамстров.
Степень внедрения и экономическая эффективность: полученные результаты являются основой для разработки фотоприемных устройств в научно-производственных объединениях АН РУз и других приборостроительных организациях.
Область применения: физика полупроводников, технология тонких пленок, полупроводниковая оптоэлектроника, спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках, приборостроение, нсразрушающий контроль.
