273
bajarilib muntazam yetti burchakli ko‘pyoqlik bajariladi. Ko‘pburchak tomonlarini 1-chizma,
a
da
ko‘rsatilgandek qilib yo‘g‘onlashtirilsa manbada keltirilgan girix naqshining ko‘rinishi tayyor bo‘ladi (1-
chizma,
b
). Tayyor bo‘lgan girixning chetki chegara chiqlarini markaz qilib grafik dasturlarda simmetrik
nusxalar ko‘chirilsa 1-chizmaning
c
dagidek qilib kombinatsiyalash va har xil o‘lchamli tekis yuzalarga
moslashtirib masshtablarda bajarish mumkin.
1-chizma
a
da ko‘rsatilgan ikkinchi chizmada ixtiyoriy berilgan uchta nuqta orqali aylana chish
ko‘rsatilgan. Ixtiyoriy
1 2 3
nuqtalarni o‘zaro to‘g‘ri chiziq bilan tutashtirib
1 2
kesma va
2 3
kesmalarni
teng ikkiga bo‘lib perpendikulyar ingichka chiziqlar o‘tkaziladi perpendikulyar o‘tkazilgan to‘g‘ri
chiziqlarning kesishgan
O
nuqtasidan
O1
(
O1=O2=O3
) masofani radius qilib aylana chizilsa barcha
nuqtalarni kesib o‘tuvchi aylana hosil bo‘ladi [T.R. Sobirov, Buxoro 2020: 79] (1-chizma,
d
).
Abul Vafo-Buzjoniy tomonidan mujassamlashtirilgan geometrik chizmalarning bajarilishi
bugungi kundagi girixlarni asosi sifatida ko‘riladi.
IX-XV asrlarda O‘rta Osiyo me‘morchiligida ajdodlarimizning ilmiy izlanishlari beqiyosh. Al-
Farobiy, Abu Rayhon Beruniy, Abu Ali ibn Sino, Al-Xorazmiy, Mirzo Ulug‘bek, Jamshid Koshiy va
ko‘plab olimlar tomonidan ilmiy meros qoldirilgan [T.R. Soborov, Germaniya: 2006].
Turli xil murakkablikdagi girixlarda geometrik figuralarning uyg‘unlashtirishda zamonaviy grafik
dasturlar orqali bajarish oson va samarali vosita hisoblanadi.
ADABIYOTLAR:
1. Q.K. Omonov // IX-XV аsrlаr Oʼrtа osiyo me‘morchiligi mаnbаlаridаn foydаlаnib muhаndislik
grаfikаsi fаnini oʼqitish uslubiyoti, Monografiya: Buxoro-2021 y. «DURDONA» N.15-b.
2. M.S. Bulatov // Geometricheskaya garmonizatsiya v arxitekture Sredney Аzii IX-XV vv., Moskva-
1988 g. Iz. «NАUKА» 315-s.
3. T.R.Sobirov // Chizmachilik (geometrik va proyektsion chizmachilik). Buxoro, 2020.
4. T.R. Sobirov // Oʼrta Osiyoda ilmi handasa fanining rivojlanishida hissa qoʼshgan olimlar haqida.
Germaniya ―FREIBERGER FORSCHUANGS-FORUM‖ 57. Bergund Huttmannischer Tag, toʼplami,
2006.
ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИЯ КИСЛОРОДА НА ФОРМИРОВАНИЕ КЛАСТЕРОВ
НИКЕЛЯ В РЕШЕТКИ КРЕМНИЯ
Сапарниязова З.М., Сапарниязова Р.М., Жаббарбергенова Г.Ж., Жапакова М.Ю., Овезов И.Ж.
КГУ имени Бердаха, Нукус, Узбекистан
тел: +998 91 392-00-22
Разработка технология формирование кластеров примесных атомов в решетке
полупроводника представляет большой научный и практический интерес. Кластеры
это
определенное число квазиравновесных, взаимосвязанных примесных атомов (N=10
2
10
6
) в
решетке полупроводника, структура, электрические свойства которых существенно отличаются от
структуры и свойств матрицы, но не создают нового фазового состояния. Формирование кластера
приводит систему к более равновесному состоянию с минимальной внутренней энергией [1;
с.592]. Поэтому для формирования кластеров примесных атомов должны выполняться следующие
условия: примесные атомы должны иметь высокий коэффициент диффузии и достаточную
растворимость в исследуемых полупроводниковых материалах
они не должны образовывать
силициды или другие твердые растворы
энергия связи примесных атомов в кластере должна быть
достаточной, чтобы при внешнем воздействии или со временном такие кластеры не распадались.
Какие примесные атомы в полупроводниках и при каких условиях, могут удовлетворять выше
перечисленным условиям.
После диффузионного обработка образцы исследовались с помощью МИК-5. В настоящей
работе исследовано влияние концентрации кислорода в кремнии на формирование кластеров. Для
этого были изготовлены образцы кремния из n и p типа кремния, выращенного методом
Чохральского (N(O
2
)= 5
10
17
2
10
18
см
-3
) и бестегельной зонной плавкой (N(O
2
)= 2
10
15
2
10
16
см
-3
) с
одинаковыми электрофизическим параметрами.
1) Поэтому можно предполагать, что атомы никеля в кремнии диффундируют по
междоузлиям
2) Растворимость никеля в кремнии при T=1250
С составляет N=7
10
17
см
-3
, что почти два
порядка больше чем у остальных элементов переходных групп.
274
3) Основная часть введенных атомов никеля в кремнии находится в электронейтральном
состоянии, а концентрация электроактивных атомов никеля составляет 5
10
14
см
-3
.
Эти образцы были размещены в одной ампуле и легировались никелем по новому способу
[2; с. 32]. Исследования с помощью МИК-5. Данная установка позволяет определить элементный
состав исследуемого объекта, а также распределение примеси по глубине образца.
а)
б)
Рис. 1 Распределение кластеров в образцах выращенных методом Чохральского и БЗП. а-
образцы выращенного методом Чохральского, б- образцы БЗП.
При этом диаметр электронного зонда этой установки составляет
1мкм. Более тщательное
сканирование поверхности образца с шагом 10мкм, показало, что в точках, где есть кластеры,
наблюдается в основном кремний (99,1
99,8%) и никель (0,01
0,02%). (Рис 1. а, б.) показали, что в
образцах, где концентрация кислорода больше, плотность кластеров стала больше в 2-3-раза, но их
размер уменьшился в 2 раза, в сравнение с образцами выращенными методом бестигельной
зонной плавкой. (Рис 1. а, б.) показали, что в образцах, где концентрация кислорода больше,
плотность кластеров стала больше в 2-3-раза, но их размер уменьшился в 2 раза, в сравнение с
образцами выращенными методом бестигельной зонной плавкой.
Эти полученные экспериментальные данные показывают, что электронейтральные атомы
никеля, находящиеся в междоузельных нестабильных состояниях в решетке, в процессе
низкотемпературного легирования стремятся к более энергетически выгодному т.е. к
квазиравновесному состоянию т.е формированию кластера. При этом кристалл избавляется от
бродящих атомов никеля, а система переходит к наименьшему энергетическому состоянию.
Электронейтральные атомы никеля находящиеся в ближайших эквивалентных
междоузельных положениях образуют, аналогично регулярным атомам Si в узлах,
гранецентрированные кубические решетки, т.е. внутри кристалла кремния создаются маленькие
кристаллы из атомов никеля с гранецентрированной кубической решетки (рис. 2).
Рис.2 Структура ГЦК кластера
Формирование кластеров, за счет бродящих атомов никеля, существенно снимает
деформационное напряжение в кристалле. При этом основным стимулятором являются как атомы
кислорода, так и другие дефекты решетки.
ЛИТЕРАТУРА:
1. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов.
–М.: КомКнига, 2006, с.592.
2. Абдурахманов Б.А., Аюпов К.С., Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Н.Ф.,
Сапарниязова З.М. Низкотемпературная диффузия примесей в кремнии // Доклады АН РУз, 2010.
№ 4. С. 32-36.
10 мкм
5 мкм
