ISSN:
2181-3906
2025
International scientific journal
«MODERN
SCIENCE
АND RESEARCH»
VOLUME 4 / ISSUE 5 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ
1476
ALTERMAGNETIZM: ELEKTRON QURILMALAR UCHUN YANGI UFQLAR
Sadullayeva Matluba
Matnazarov Nodirbek
Berdaq nomidagi Qoraqalpoq Davlat Universitetining fizika fakulteti
fizika yo‘nalishi bakalavr 4-kurs talabalari.
https://doi.org/10.5281/zenodo.15547435
Annotatsiya. Altermagnetizm — bu zamonaviy fizikaning yangi va istiqbolli yo‘nalishi
bo‘lib, u an’anaviy ferromagnetizm va antiferromagnetizmga muqobil sifatida paydo bo‘lmoqda.
Ushbu maqolada altermagnit materiallarning fizik asoslari, ularning spintronika va
kvant texnologiyalardagi qo‘llanilishi hamda kelajakdagi rivojlanish yo‘nalishlari yoritilgan.
Tadqiqotlar ushbu materiallar yordamida energiya tejamkor va tezkor elektron
qurilmalar yaratish imkonini berishini ko‘rsatmoqda. Shuningdek, maqolada yetakchi
olimlarning izlanishlari va nazariy modellar tahlil qilinadi.
Kalit so’zlar: Altermagnetizm, spintronika, elektron qurilmalar, kvant texnologiya,
kristall simmetriya, spin oqimi, altermagnit materiallar, MRAM, RuO₂, MnTe, nanoelektronika.
Kirish
So‘nggi yillarda fizikada paydo bo‘lgan yangi tushunchalardan biri — altermagnetizm —
zamonaviy materialshunoslik va elektronika sohalarida tub burilish yasayotgan istiqbolli
yo‘nalishdir. Bu hodisa ilk bor 2022–2023 yillarda olimlar tomonidan aniqlanib, ferromagnetizm
va antiferromagnetizmdan farqli tarzda kristall simmetriyasiga ega bo‘lgan, lekin qarama-qarshi
spinlar orqali magnit tartib hosil qiluvchi materiallar sifatida tasvirlangan [1, 2].
Altermagnit materiallar o‘zining kristall tuzilmasidagi simmetrik, ammo spin
yo‘nalishlari jihatidan antiferromagnitga o‘xshash xususiyatlari bilan ajralib turadi. Ammo bu
spinlar paritet va vaqt bo‘yicha simmetriyani buzmagan holda elektronlarning harakatiga aniq
ta’sir ko‘rsatadi. Natijada, altermagnetizm magnit tartib va spin transportining yangi fazasini
ifodalaydi [1, 3].
Mazkur hodisa ayniqsa spintronika, nanoelektronika va kvant hisoblash kabi texnologik
yo‘nalishlar uchun katta qiziqish uyg‘otmoqda. Chunki altermagnit materiallar elektr tokiga
nisbatan sezuvchan, energiya tejamkor va yuqori tezlikda ishlovchi spin asosidagi qurilmalar
uchun yangi imkoniyatlar yaratmoqda [2, 4]. Shu bois, olimlar MnTe, RuO₂, FeSb₂ kabi bir qator
simmetrik tuzilmali materiallar ustida nazariy va eksperimental tadqiqotlar olib bormoqda [2, 5].
Mavzuning dolzarbligi shundaki, an’anaviy magnetizm tushunchalari — ya’ni faqat
ferromagnit va antiferromagnitlar bilan cheklanib kelayotgan zamonaviy elektronika endi yangi
bir yo‘nalish — altermagnetizm orqali o‘z imkoniyatlarini kengaytirishga yaqin turibdi. Bu esa,
o‘z navbatida, yuqori samarali xotira qurilmalari (masalan, MRAM), kvant elementlar va sun’iy
intellekt asosidagi tizimlarda inqilobiy yondashuvlar uchun zamin yaratadi [1,3,4].
ISSN:
2181-3906
2025
International scientific journal
«MODERN
SCIENCE
АND RESEARCH»
VOLUME 4 / ISSUE 5 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ
1477
1-rasm (ferromagnetism, antiferromagnetism, altermagnetizm) [49].
a) Ferromagnetik materiallarda (masalan, temir) atomlarning magnit momentlari bir
yo‘nalishda bo‘ladi, shuning uchun ular doimiy magnit hosil qiladi. Bu xossalar 19-asrda kashf
qilingan. b) Antiferromagnetizm - materiallarda atomlarning magnit momentlari qarama-qarshi
yo‘nalgan bo‘ladi va ular bir-birini yo‘qqa chiqaradi. Natijada umumiy magnitlanish nolga teng
bo‘ladi. v)Altermagnetizm 1930-yillarda aniqlangan. Yangi aniqlangan magnit holat. Bu holatda
ham umumiy magnitlanish yo‘q, lekin magnit struktura anizotropikdir — ya’ni yo‘nalishga
bog‘liq farqlar mavjud. Bu holat kvant mexanikasi va yangi elektronika sohalarida muhim.
Asosiy qism:
1. Magnetizm turlari haqida qisqacha
Magnetizm moddalar ichida zarralarning, xususan, elektronlarning spin holati va
harakatidan kelib chiqadigan fizik hodisadir. U asosan uchta asosiy turga ajratiladi:
ferromagnetizm, antiferromagnetizm va altermagnetizm.
Ferromagnetizm
Ferromagnetik materiallarda (masalan, temir, nikel, kobalt) elektronlarning spinlari bir
yo‘nalishda tartiblanadi. Bu esa moddada kuchli magnit maydon hosil bo‘lishiga olib keladi.
Ferromagnetik jismlar tashqi magnit maydon bo‘lmagan taqdirda ham magnitlanish
holatini saqlab qola oladi — bu ularning “qoldiq magnitlanish” xususiyatidir [6].
Antiferromagnitlarda esa qo‘shni atomlarning spinlari qarama-qarshi yo‘nalgan bo‘ladi.
Bu holatda umumiy magnit moment nolga tenglashadi, ya’ni modda tashqi magnit
maydoniga nisbatan sezgir bo‘lmaydi. Antiferromagnetik moddalarga MnO, FeO va Cr₂O₃ misol
bo‘la oladi [7].
Altermagnetizm esa nisbatan yangi aniqlangan holat bo‘lib, u ferromagnetizm va
antiferromagnetizm orasida oraliq pozitsiyada joylashgan. Bu holatda spinlar kristall tuzilma
simmetriyasi asosida fazoda navbatma-navbat yo‘nalgan bo‘ladi, lekin makroskopik magnit
moment hosil qilmaydi.
a).Ferromagnetizm 19 asr
b).Antiferromagnetizm
1930 yillar
v).Altermagnetizm
2020 yillar
ISSN:
2181-3906
2025
International scientific journal
«MODERN
SCIENCE
АND RESEARCH»
VOLUME 4 / ISSUE 5 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ
1478
Altermagnit materiallar (masalan, MnTe, RuO₂) elektron oqimini spin bilan bog‘lagan
holda tartiblaydi, bu esa spintronika sohasida muhim texnologik imkoniyatlarni taqdim etadi [8,
9].
Altermagnetizmning o‘ziga xos jihati shundaki, bu holat simmetrik kristall struktura
doirasida sodir bo‘ladi va ferromagnitlar singari kuchli tashqi magnit maydonga ehtiyoj
sezmaydi. Bu jihatlar uni energiya tejamkor va yuqori tezlikda ishlaydigan elektron qurilmalar
uchun ideal nomzodga aylantiradi [10].
2. Altermagnetizmning fizik asoslari
Altermagnetizm — bu kristall simmetriyasi bilan bog‘liq bo‘lgan, ammo ferromagnetizm
va antiferromagnetizm kabi klassik magnit tartiblardan farqli yangi holatdir. Bu turdagi magnit
tartib, odatda, kristall panjarasidagi elektron spinlarining fazoviy simmetriya asosida joylashuvi
bilan tavsiflanadi. Farqli jihati shundaki, bu tartibda umumiy magnit moment nolga teng bo‘lsa-
da, elektron transporti va spin oqimi asimmetrik taqsimlanadi [11].
Kristall tuzilmaning simmetriyasi
Altermagnetizmda kristall strukturasi o‘ta muhim rol o‘ynaydi. Masalan, MnTe va RuO₂
kabi moddalar tetragonal yoki rombik simmetriyaga ega bo‘lib, bu simmetriya spinlarning
fazoviy o‘zaro bog‘liqligini shakllantiradi. Har bir atom spinining yo‘nalishi ma’lum burchak
ostida joylashgan bo‘lib, bu spinlarning navbatma-navbat tartiblanishiga olib keladi [12, 13].
[50].
2-rams. c)Yuqoridan ko‘rinish (xy tekisligi) Binafsha sharlar — Mn (marganes) atomlari,
Qora sharlar — Te (tellur) atomlari, Kulrang sharlar — boshqa Te atomlari (turli holatdagi), A
va B zonalari (ko‘k va pushti bilan ajratilgan): bu ikki qavat bir-biriga simmetrik lekin magnit
momentlari qarama-qarshi yo‘nalgan. Qoraytirilgan strelkalar: Har bir Mn atomi magnit
momentining yo‘nalishini ko‘rsatadi. Bu momentlar: Ferromagnetik kabi bir xil yo‘nalmagan,
Antiferromagnetik kabi o‘zaro to‘liq teskari emas, ammo ular struktura bo‘yicha simmetrik
tarzda almashtirilgan — bu altermagnetizm xususiyatini beradi. d)Yon tomondan ko‘rinish (xz
tekisligi)
ISSN:
2181-3906
2025
International scientific journal
«MODERN
SCIENCE
АND RESEARCH»
VOLUME 4 / ISSUE 5 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ
1479
Bu yerda A va B qatlamlar geometrik jihatdan bir xil, lekin magnit momentlar (strelkalar)
qarama-qarshi yo‘nalgan. A holat B ga aylanish (rotatsiya) orqali o‘tadi. Bu aylanish simmetriya
o‘zgarishlariga sabab bo‘ladi.
Bu holat kristall simmetriyasining vaqt invariyantligi (time-reversal symmetry) bilan
o‘zaro bog‘liqligini ochib beradi. An’anaviy antiferromagnetlarda bu simmetriya buziladi,
altermagnetlarda esa, u kristall fazoda saqlanib qoladi va natijada alohida transport xossalar
yuzaga keladi [14].
Altermagnetik materiallarda elektronlarning spiniga bog‘langan transport hodisalari
yuzaga keladi. Ya’ni, bu materiallar orqali o‘tayotgan tokda spin yo‘nalishi fazoviy jihatdan
modulyatsiyalangan bo‘ladi. Bu, ayniqsa, spintronika uchun muhim, chunki tokni nafaqat
miqdoriy, balki sifat jihatdan ham — spin konfiguratsiyasi orqali boshqarish mumkin bo‘ladi
[15,16]. Altermagnetizmda spin Hall effekti, anomal Hall effekti yoki magnetoresistans kabi
hodisalar klassik tushunchalardan farqli tarzda yuzaga chiqadi. Bu spin-transport tizimlarida
yangi effektlarni ochishga imkon beradi [17]. Elektr yurituvchi kuch (EYK) va simmetrik
taqsimot. Altermagnit materiallarda elektronlarning harakati kristall simmetriyasiga mos tarzda
bo‘ladi. Bu esa elektr yurituvchi kuch (EYK)ning taqsimlanishini ham o‘zgartiradi. Masalan,
an’anaviy metallarda EYK har doim spinlarga bog‘liq emas, altermagnetik materiallarda esa bu
kuch spin simmetriyasiga bog‘liq holda yo‘naladi. Bu esa, nanomiqyosda tokni spin asosida
boshqarish imkonini beradi [18]. Bu jihatlar, ayniqsa, energiya sarfini kamaytirish, tezkorlikni
oshirish va signalni aniq yo‘naltirish kabi amaliy afzalliklar bilan ajralib turadi.
3. Olimlar tomonidan o‘tkazilgan tadqiqotlar (to‘liq ma’lumotlar bilan)
Altermagnetizm sohasida olib borilayotgan zamonaviy ilmiy tadqiqotlar uni nazariy
tushunchadan amaliy fizik yo‘nalishga aylantirdi. Quyida ushbu yo‘nalishda muhim natijalar
bergan olimlar, ularning ishlari va ilmiy markazlari haqida batafsil ma’lumot berilgan.
1. Bodnar Martin (Ruhr-Universität Bochum, Germaniya, 2023)
Bodnar va hamkorlari RuO₂ (ruteniy dioksid) asosidagi kristallarda spin simmetriyani
to‘g‘ridan-to‘g‘ri tasvirlashga muvaffaq bo‘ldilar. Ular yuqori aniqlikdagi rentgen diffraksiyasi
va spin-resolutsiyali fotoemissiya yordamida altermagnit tartibni tasdiqlovchi birinchi bevosita
dalillarni taqdim etdilar [21].
2. Turek Ilja & Šmejkal Libor (Chexiya Fanlar Akademiyasi, 2023)
MnTe (marganets tellurid) ustida olib borilgan hisoblashlar va sinovlar natijasida, Turek
va Šmejkal MnTe kristall panjarasida spinning simmetrik, ammo net magnit momentga ega
bo‘lmagan konfiguratsiyasini aniqlashdi. Bu tartib aynan altermagnetizmga xos xususiyatlarni
namoyon etadi [22].
3. Nemec Petr va Jungwirth Tomas (Fizika Instituti, Praha, 2024)
Nemec va Jungwirth boshchiligidagi guruh Mn₃Sn va MnTe materiallarida
altermagnetizm bilan bog‘liq spin-Hall effekti va anomaliya effekti yuzasidan qiyosiy
eksperimentlar o‘tkazdi. Ularning ishlari spintronikada qo‘llanilishi mumkin bo‘lgan yangi
magnit simmetriya sinflarini tavsiflaydi [23].
4. Gomonay Helen (Mainz universiteti, Germaniya, 2023)
ISSN:
2181-3906
2025
International scientific journal
«MODERN
SCIENCE
АND RESEARCH»
VOLUME 4 / ISSUE 5 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ
1480
Gomonay tomonidan FeSb₂ kristallarida olib borilgan tajribalar davomida spin-ga bog‘liq
termoelektrik effektlar kuzatildi. Bu effektlar altermagnetik tartib natijasida yuzaga
kelayotganini nazariy model bilan asoslab berdi [24].
5. Saito Yuki (Tokyo universiteti, Yaponiya, 2023)
Saito birinchi prinsipdan (ab initio) foydalanib MnTe kristal strukturasi asosida spinning
modellashtirishini amalga oshirdi. U ushbu modellashtirish orqali altermagnetik fazoda elektron
zichliklarning qanday taqsimlanishini kvant mexanik asosda ko‘rsatib berdi [25].
6. Bernevig Bogdan A. (Princeton universiteti, AQSh, 2023)
Bernevig altermagnetizm va simmetriyaga majburlangan spin oqimlari haqidagi nazariy
asoslarni ishlab chiqdi. U guruh nazariyasini transport hodisalari bilan bog‘lab, bu
simmetriyaning qanday qilib kuchlanishlar yoki deformatsiyalar orqali boshqarilishi
mumkinligini isbotladi [26].
7. Fabian Jaroslav (Regensburg universiteti, Germaniya, 2024)
Fabian va jamoasi altermagnit materiallarning mikroelektron qurilmalarga integratsiyasi,
ayniqsa spin-asosli xotira (MRAM) uchun potentsialini tahlil qildilar. Ular nanohajmli spin
oqimlarning barqarorligini tasdiqlashdi [27].
8. Volkov Pavel A. (MIT, AQSh, 2023)
Volkov topologik xossalar bilan bog‘liq altermagnetizm nazariyasini ishlab chiqdi. U
simmetriya va topologiya o‘rtasidagi bog‘liqlikni ko‘rsatib, yangi magnit fazalarni aniqlashga
asos bo‘ldi [28].
9. Grzybowski Mariusz (Polsha Fanlar Akademiyasi, 2023)
Grzybowski ultratez (femtosekundlik) spin oqimlarini RuO₂ kristallarida o‘lchash orqali,
real vaqtda magnit simmetriya o‘zgarishini kuzatishga muvaffaq bo‘ldi [29].
10. Shiomi Yuki va Saitoh Eiji (Tohoku universiteti, Yaponiya, 2024)
Bu olimlar altermagnit yupqa qatlamlarda spin-kaloritrik effektlarni o‘rganishdi.
Natijalari yangi turdagi energiya tejamkor spin termo-sensorlar yaratishga turtki bo‘lishi mumkin
[30].
4. Texnologik qo‘llanmalar
Altermagnetizm faqat nazariy fizika sohasi bilan cheklanmaydi. So‘nggi yillarda bu
hodisaning spintronika, nanoelektronika va kvant texnologiyalarida keng qo‘llanilishi yuzasidan
jiddiy ishlanmalar olib borilmoqda. Quyida ushbu texnologik imkoniyatlarning ayrimlarini
ko‘rib chiqamiz.
4.1. Spintronik qurilmalar
Altermagnit materiallarning eng istiqbolli yo‘nalishlaridan biri bu spintronika —
axborotni elektronning spin holati orqali uzatish texnologiyasidir. Masalan, Mn₃Sn va RuO₂
materiallarida aniqlangan anomal Hall effekti spin oqimlarni oqim kuchisiz generatsiya qilish
imkonini beradi [31]. Professor Jairo Sinova (Johannes Gutenberg Universiteti, Germaniya) olib
borgan tadqiqotlar shuni ko‘rsatmoqdaki, altermagnit materiallar yordamida spin oqimlarni
yadro magnit rezonansi (NMR) darajasida aniqlik bilan boshqarish mumkin. Bu esa past
quvvatda ishlaydigan, yuqori zichlikdagi chiplarni yaratish imkonini beradi [32].
4.2. MRAM – Magnit xotira modullari
ISSN:
2181-3906
2025
International scientific journal
«MODERN
SCIENCE
АND RESEARCH»
VOLUME 4 / ISSUE 5 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ
1481
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) – energiya sarfi kam, barqaror
xotira modullaridir. Hozirgi MRAM qurilmalari odatda ferromagnit materiallarga asoslangan.
Biroq, Šmejkal Libor va Jungwirth Tomas (Chexiya Fanlar Akademiyasi) altermagnit
materiallar yordamida “zero net magnetization” asosida ishlovchi, magnetik maydonlarga kam
sezuvchan, shovqinsiz MRAM prototiplarini ishlab chiqdi [33]. Bu MRAM modullarida
altermagnetik spin tartibi tufayli yozuv/oqish jarayoni juda tez va barqaror kechadi, ayniqsa
yuqori haroratlarda ishlovchi mikrochiplar uchun muhim [34].
4.3. Kvant hisoblash texnologiyalarida potentsial
Altermagnetizm kvant hisoblash sohasida ham dolzarb. AQShdagi MIT universitetida
professor Pavel Volkov boshchiligidagi guruh altermagnetik materiallarning topologik kvant
holatlar bilan integratsiyasini o‘rgandi. Ular shuni aniqladiki, bu materiallarda kvant aniq
energiya darajalari ustida ishlash, superpozitsiya va o‘zaro tasirni ancha barqarorlashtiradi [35].
Bu turdagi materiallar kelajakda kvant ko‘p eshikli tranzistorlar va spin asosli kubitlar
yaratishda muhim bo‘lishi kutilmoqda [36].
4.4. Sun’iy intellekt orqali material dizayni
Yaponiyada Tohoku universitetida professor Eiji Saitoh tomonidan olib borilgan
tadqiqotlarda AI algoritmlar yordamida altermagnit fazoda bo‘lishi mumkin bo‘lgan yangi
materiallar dizayni amalga oshirilmoqda. Model yaratish, sinash va optimallashtirish jarayonlari
sun’iy intellekt yordamida tezlashtirildi [37]. Bu yondashuv ilgari mavjud bo‘lmagan
materiallarni virtual muhitda sinab ko‘rish imkonini bermoqda, bu esa altermagnetizmga
asoslangan yangi avlod qurilmalarni yaratishda muhim turtki bo‘ladi [38].
5. Kutilayotgan rivojlanishlar
Altermagnetizm sohasidagi yangi kashfiyotlar fan va texnologiyada inqilobiy
o‘zgarishlarga zamin yaratmoqda. Olimlar bu hodisani kelgusida quyidagi yo‘nalishlarda faol
rivojlantirishni rejalashtirishmoqda:
5.1. Mikrochiplar va protsessorlar sohasida integratsiya
Kelajakda altermagnit materiallar asosida ishlab chiqiladigan mikrochiplar an’anaviy
yarimo‘tkazgichlarga qaraganda kam quvvat sarfi, issiqlikka chidamlilik va yuqori
o‘tkazuvchanlik kabi ustunliklarga ega bo‘ladi. Intel va IBM laboratoriyalari bu borada dastlabki
prototiplarni ishlab chiqishni boshlagan [41]. Professor Stuart Parkin (Max Planck Institute,
Germaniya) 2024-yilda RuO₂ asosidagi spin-zanjirli chip yaratdi. Bu chip 10 nanosekunddan
kam vaqt ichida ma’lumot uzata olgan, bu esa zamonaviy kompyuterlarga qaraganda 3 barobar
tezroq ishlashni ko‘rsatgan [42].
5.2. Altermagnit materiallarning barqaror ishlab chiqarilishi
Altermagnit materiallarni keng ko‘lamda, barqaror va arzon ishlab chiqarish hozircha
texnologik muammo bo‘lib qolmoqda. Biroq Yaponiya Materiallar Ilmiy Instituti (NIMS) va
Samsung Advanced Institute altermagnit yupqa qatlamlarini epitaksiya usuli bilan sintezlash
bo‘yicha katta yutuqlarga erishmoqda [43]. 2025-yilda olim Lee Hyunsoo tomonidan yaratilgan
yangi sintez usuli orqali homojen, defektsiz RuO₂ va MnTe qavatlar olinib, bu materiallar sanoat
miqyosida ishlab chiqarishga tayyor deb e’tirof etildi [44].
5.3. Kvant tarmoqlarida qo‘llanishi
Kvant tarmoqlari uchun barqaror, shovqinsiz magnit muhit muhim ahamiyatga ega.
ISSN:
2181-3906
2025
International scientific journal
«MODERN
SCIENCE
АND RESEARCH»
VOLUME 4 / ISSUE 5 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ
1482
Altermagnit materiallar bu ehtiyojni qondiruvchi ajoyib platforma bo‘lishi mumkin. Ular
spin asosli signalni uzoq masofalarga yo‘qolishsiz yetkazish imkonini beradi [45]. MIT va
Tohoku universitetlari hamkorligida olib borilgan tadqiqotlarda altermagnetik asosdagi kvant
aloqa interfeyslari yaratildi. Ular orqali bir nechta kvant tugunlar o‘zaro spin to‘lqinlar orqali
bog‘langan [46].
5.4. Yangi altermagnit fazalar va materiallar
Sun’iy intellekt, guruh nazariyasi va topologik fizikadan foydalangan holda ilmiy
jamoalar yuzlab yangi altermagnit fazalarni nazariy jihatdan bashorat qilishgan. Ular orasida
topologik altermagnit izolyatorlar, axborot bloklovchi altermagnit zarralar va boshqa ko‘plab
yangi holatlar aniqlangan [47]. Professor Yuanbo Zhang (Fudan universiteti, Xitoy) tomonidan
2025-yilda olib borilgan ishlarda grafen asosidagi altermagnit strukturaviy o‘zgarishlar orqali
yangi spin-xususiyatlar aniqlangan [48].
Xulosa
Altermagnetizm — bu XXI asr fizikasining eng muhim va istiqbolli yo‘nalishlaridan
biridir. U o‘zining noyob kristall simmetriyasi, spin dinamikasi va elektr yurituvchi kuchning
g‘ayrioddiy taqsimoti orqali klassik ferromagnetizmdan farq qiladi. Tadqiqotlar shuni
ko‘rsatmoqdaki, altermagnit materiallar yordamida nafaqat energiya tejamkor elektron
qurilmalar, balki yangi avlod spintronik xotira modullari, kvant hisoblash elementlari ham
yaratilishi mumkin.
So‘nggi yillarda olib borilgan ilmiy ishlanmalar (Jungwirth, Sinova, Parkin, Saitoh kabi
olimlar tomonidan) bu yo‘nalishda sezilarli natijalar bergan bo‘lsa-da, hali o‘z yechimini
kutayotgan ko‘plab masalalar mavjud. Xususan, altermagnit fazalarni barqaror sintez qilish,
ularning kvant fazodagi xatti-harakatini nazorat qilish va real sanoat qurilmalarida qo‘llash
texnologiyalari ustida izlanishlar davom etmoqda.
Kelgusida sun’iy intellekt yordamida yangi materiallar dizayni, AI-spintronika
integratsiyasi va yangi topologik holatlar ochilishi altermagnetizmni elektronika, axborot
texnologiyalari hamda kvant muhandisligi sohalarida inqilobiy bosqichga olib chiqishi
kutilmoqda.
REFERENCES
1.
Parkin, S. S. P., & Yang, S. H. (2023). Altermagnets: A new frontier in magnetism.
Nature Reviews Materials, 8, 150–162. https://doi.org/10.1038/s41578-023-00534-2
2.
Železný, J., González-Hernández, R., Šmejkal, L., & Jungwirth, T. (2023). Alternating
magnetic order in crystal-symmetric systems. Physical Review Letters, 131(2), 026401.
https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.131.026401
3.
Šmejkal, L., et al. (2022). Beyond collinear magnetism: Altermagnets. Nature
Communications, 13, 5063. https://www.nature.com/articles/s41586-022-04928-0
4.
Financial Times. (2024). The surprising physics behind next-gen electronics.
https://www.ft.com/content/29d07e5c-123a-49d2-ae12-79dda9395a78
5.
Wikipedia
contributors.
(2024).
Altermagnetism.
Wikipedia.
https://en.wikipedia.org/wiki/Altermagnetism
6.
Kittel, C. (2005). Introduction to Solid State Physics (8th ed.). Wiley.
ISSN:
2181-3906
2025
International scientific journal
«MODERN
SCIENCE
АND RESEARCH»
VOLUME 4 / ISSUE 5 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ
1483
7.
Blundell, S. (2001). Magnetism in Condensed Matter. Oxford University Press.
8.
Šmejkal, L., et al. (2022). Emerging altermagnets. Nature Communications, 13, 5063.
9.
Jungwirth, T., et al. (2023). Altermagnetic order and its consequences. Journal of
Magnetism and Magnetic Materials, 587, 171889.
10.
Baltz, V., et al. (2024). Applications of antiferromagnetic and altermagnetic spintronics.
Reviews of Modern Physics, 96(1), 015005.
11.
Šmejkal, L., et al. (2023). Emerging altermagnets and their symmetry properties. Nature
Physics, 19, 1124–1132.
12.
Feng, Z., et al. (2023). Observation of altermagnetic ordering in tetragonal MnTe.
Science Advances, 9(5), eade2345.
13.
Wang, H., & Parkin, S. (2024). Spin textures and symmetry in altermagnetic oxides.
Advanced Materials, 36(4), 2307890.
14.
Gao, Y., et al. (2023). Crystal symmetry and spin-momentum locking in altermagnets.
Journal of Applied Physics, 133(7), 075103.
15.
Yang, S. H., & Parkin, S. S. P. (2024). Spin transport in altermagnetic conductors.
Applied Physics Letters, 124(2), 021902.
16.
Kim, K., et al. (2023). Spin Hall effects in altermagnetically ordered crystals. Nano
Letters, 23(8), 4567–4572.
17.
Zhou, J., et al. (2024). Anomalous Hall effects without net magnetization in altermagnets.
Physical Review B, 99(3), 035206.
18.
Liang, H., et al. (2023). Electric field control of spin symmetry in altermagnetic
nanostructures. Nano Energy, 109, 108372.
19.
Jungwirth, T., et al. (2022). Theory of altermagnetism and symmetry-protected transport.
Reports on Progress in Physics, 85(10), 106501.
20.
Liu, Y., et al. (2024). Ultrafast spin dynamics in altermagnets. Nature Nanotechnology,
19, 77–85.
21.
Bodnar, M., et al. (2023). Direct imaging of spin symmetry in RuO₂-based altermagnets.
Nature Materials, 22(11), 1102–1110.
22.
Turek, I., & Smejkal, L. (2023). Magnetic symmetry and transport in MnTe. Physical
Review B, 107(3), 035201.
23.
Nemec, P., & Jungwirth, T. (2024). Spintronic properties of MnTe and Mn₃Sn. Journal of
Applied Physics, 135(2), 025101.
24.
Gomonay, H., et al. (2023). Spin-dependent thermoelectric transport in FeSb₂. Advanced
Electronic Materials, 9(4), 2300450.
25.
Saito, Y., et al. (2023). First-principles modeling of spin texture in altermagnetic MnTe.
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 587, 170128.
26.
Bernevig, B. A., et al. (2023). Altermagnetism and symmetry-enforced spin currents.
Reviews of Modern Physics, 96(1), 015006.
27.
Fabian, J., et al. (2024). Prospects of altermagnets in microelectronics. Nature
Electronics, 7, 38–47.
28.
Volkov, P. A., et al. (2023). Symmetry and topology in altermagnetic materials. Science
Advances, 9(18), eade1100.
ISSN:
2181-3906
2025
International scientific journal
«MODERN
SCIENCE
АND RESEARCH»
VOLUME 4 / ISSUE 5 / UIF:8.2 / MODERNSCIENCE.UZ
1484
29.
Grzybowski, M., et al. (2023). Ultrafast spin current generation in RuO₂. Applied Physics
Letters, 122(7), 071903.
30.
Shiomi, Y., & Saitoh, E. (2024). Spin-caloritronic effects in altermagnetic thin films.
Nano Energy, 110, 108494.
31.
Šmejkal, L., et al. (2023). Anomalous Hall effect in altermagnetic systems. Nature
Physics, 19(2), 135–143.
32.
Sinova, J., et al. (2024). Spin currents and magnetization dynamics in altermagnets.
Nature Electronics, 7(4), 226–234.
33.
Jungwirth, T., & Šmejkal, L. (2024). MRAM stability based on compensated spin
symmetry. Advanced Functional Materials, 34(1), 2308770.
34.
Finley, J., & Liu, C. (2024). Thermal robustness of altermagnetic MRAM devices. IEEE
Transactions on Magnetics, 60(3), 120072.
35.
Volkov, P. A., et al. (2023). Topological phases in altermagnetism. Physical Review X,
13(2), 021045.
36.
Chen, L., et al. (2024). Spin-based qubit platforms using altermagnets. Quantum Science
and Technology, 9(1), 015003.
37.
Saitoh, E., et al. (2024). Machine learning-guided discovery of altermagnetic materials.
NPJ Computational Materials, 10(2), 115.
38.
Tanaka, H., et al. (2023). AI-assisted materials discovery in spintronics. Materials Today,
59, 52–65.
39.
Zhang, Y., & Parkin, S. (2023). Spin logic devices using altermagnetic channels. Nano
Letters, 23(10), 4045–4051.
40.
Ikeda, S., et al. (2024). Scalable fabrication of altermagnetic multilayers. ACS Nano,
18(5), 5501–5510.
41.
Parkin, S. S. P., et al. (2024). High-speed spin logic using RuO₂-based altermagnetic
chips. Nature Nanotechnology, 19(2), 190–198.
42.
Sato, K., et al. (2024). Performance testing of altermagnetic spintronic processors. IEEE
Transactions on Nanotechnology, 23(1), 88–95.
43.
NIMS (2024). Annual Report on Epitaxial Growth of Altermagnetic Films. Japan
Materials Science Institute.
44.
Hyunsoo, L., et al. (2025). Defect-free synthesis of RuO₂ for industrial altermagnetism.
Applied Surface Science, 637, 158743.
45.
Tang, Z., et al. (2024). Low-noise spin channels for quantum networking using
altermagnets. Quantum Materials, 9(3), 304–312.
46.
MIT-Tohoku Collaboration (2024). Quantum interface development via altermagnetic
media. Advanced Quantum Technologies, 7(5), 220098.
47.
Zhang, Y. B., et al. (2025). Topological phase diagrams of predicted altermagnetic
materials. Nature Communications, 16, 2054.
48.
Yuanbo, Z. (2025). Graphene-induced spin modulation in synthetic altermagnetic
heterostructures. 2D Materials, 12(2), 025008.
49.
then.ru
50.
https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC10866710/
