Все статьи - Кристаллография

Объекты исследования: монокристаллические образцы кремния марки КДБ-2, 5, 10, 100 которые были легированы примесными атомами марганца.
Цель работы: разработка технологии формирования нанокластеров атомов марганца в решетке кремния с управляемым магнитным моментом и зарядовым состоянием, исследование влияния таких нанокластеров на электрические, магнитные и фотоэлектрические свойства кремния и определение их функциональных возможностей для использования в электронике.
Методы исследования: использовались электрические, фотоэлектрические методы, установка электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), силовым атомным и инфракрасным микроскопам.
Полученные результаты и их новизна: Впервые обнаружены эффекты: аномально большое высокотемпературное отрицательного магнитосопротивления, гигантская примесная фотопроводимость в области A.=l,5-j-8 мкм, аномально глубокие инфракрасного гашения фотопроводимости. Установлены закономерности изменения обнаруженых эффектов от величина электрического и магнитного полей, температур ыи интенсивности освещения.
Практическая значимость: разработана технология получения кремния с нанокластерами атомов марганца с управляемыми зарядовыми состояниями и концентрацией. Показана возможность создания на основе кремния с магнитными нанокластерами нового типа чувствительных магнитодатчиков, на основе ОМС и ИК фотоприемников работающих при наличие достаточно высоких уровней фонового освещения.
Степень внедрения и экономическая эффективность: полученные в работе результаты могут быть использованы в ОАО «ФОТОН» и на кафедре " Электроника и микроэлектроника" ТашГТУ в учебном процессе.
Область применения: микроэлектронная промышленность, в области использование возобновляемые источники энергии.