Объекты исследования: фотодиодные Аи-лА1Л Ga,.^. As-/?GaAs-Ag, Au+Zn-/?(Al л Ga ,_д.) !_j In v As-«GaAs-Au, Au-/?( Al л. Ga ) ,_y Iny As-wGaAs-Ag-структуры,
изготовленные методом жидкостной эпитаксии.
Цель работы: установление механизмов определяющих физические процессы, протекающие в областях объемного заряда гетероперехода на основе арсенида галлия и его соединений, а также изучение влияния выпрямляющих барьеров на токовые и спектральные характеристики трехбарьерной структуры с различным составом гетерослоя.
Методы исследования: экспериментальные методы снятия вольт-амперных, вольт-емкостных и спектральных характеристик, методики определения характеристических параметров на основе экспериментальных данных.
Полученные результаты и их новизна: впервые разработаны одно и многобарьерные структуры на основе гетероперехода /?AlGaInAs-«GaAs и установлена роль выпрямляющих барьеров в расширении спектрального диапазона в длинноволновую область. Впервые предложены принципы создания трехбарьерных фотодиодных Au-/?AlGaInAs-/?GaAs:O-Ag-CTpyKTyp, основанные на варьировании количества индия в гетерослое для различного назначения. Установлено, что при возбуждении Au-pAlo.osGao^Ino.iAs-wGaAs-Ag-CTpyKTypbi со стороны гетерослоя создаются высокие значения фототока, обусловленные мелким залеганием области разделения фотоносителей и поочередным сжатием квазинейтральной части гетерослоя слоем объемного заряда запираемых переходов. Экспериментально показано, что в фотодиодной структуре увеличение толщины гетерослоя до размеров в два раза больших диффузионной длины может привести к низким значениям обратного тока перехода металл-полупроводник по сравнению с обратным током гетероперехода, что объясняется улучшением границы металл-полупроводник и сменой термоэлектронного механизма генерационным.
Практическая значимость: предлагаемые в диссертационной работе рекомендации упрощают процесс согласования выходных параметров фотоприемника с входными параметрами усилительного каскада фотоприемных устройств оптоэлектроники и систем телекоммуникации.
Степень внедрения и экономическая эффективность: полученные результаты являются основой для разработки фотоприемных устройств для приема и передачи оптического сигнала в научно-производственных объединениях АН РУз и других приборостроительных организациях.
Область применения: технология и конструирование электронной аппаратуры для микро и оптоэлектроники, а также телекоммуникационных систем, средств передачи и приема информации.