Heterovarison structures based on silicon doped with impurity atoms
of gallium and phosphorus and their applications in photoenergetics
N.F. Zikrillaev
1
, G.H. Mavlonov
1
, H.F. Zikrillaev
1
, F.E. Urakova*
1
,
N. Norkulov
1
, B.U.Aliev
1
, T.E. Rashidov
1
1
Ташнетский государственный технический университет, Узбекистан, г. Ташкент, ул. Университетская, 2,
e-mail:
https://doi.org/10.5281/zenodo.10470995
Keywords:
Silicon, compounds, diffusion, technology, structure, gallium, phosphorus, photocellю.
Abstract:
The study of electrophysical properties of silicon doped with impurity atoms has revealed the formation of a
binary GaP compound on the surface and near-surface layers. This formation leads to changes in the width of
the forbidden zone, mobility of current carriers, and the zone structure of the initial material. Altering the
forbidden band width of silicon results in a modification of the spectral sensitivity of the obtained materials.
This paper demonstrates the potential for creating efficient photocells based on silicon with GaP binary
compounds. The developed technology has enabled the production of silicon with GaP binary compounds.
The formed binary compounds of gallium and phosphorus impurity atoms are mainly located in the nodes of
the silicon crystal lattice. It is shown that these binary compounds in the crystal lattice of the original silicon
form partially covalent and partially ionic bonds, existing in an electroneutral state. The energy required for
the formation of free electrons in such binary compounds will be greater than that of the original silicon. It
has been established that microheterovarison structures are formed in silicon with GaP binary compounds,
leading to an expansion of the spectral range of solar radiation sensitivity. The analysis of the obtained
research results indicates the possibilities of creating efficient photoelements based on silicon with GaP binary
compounds in photoenergetics.
1 INTRODUCTION
В развитии современных нанотехнологий
важную роль играет разработка диффузионной
технологии легирования примесных атомов в
полупроводниках. Получение диффузионного
легированного полупроводникового материала с
высоким концентрациями примесных атомов
позволяет создавать чуствителные датчики и
приборы
с
новыми
функциональными
возможностями. Особый интерес представляет
получения
полупроводниковых
материалов
легированного примесными атомами элементов
III
и
V
групп в периодической таблице
химических
элементов.
Исследования
электрических, фотоэлектрических и оптических
свойств диффузионно легированного кремния
различными примесными атомами достаточно
подробно показало возможности использования
этих материалов в электронике [1
-
5]. Однако, до
настоящего времени не было исследования
кремния, легированного примесными атомами
двух разных элементов. В настоящей работе
приводятся результаты исследований кремния
легированного примесными атомами галлия
элемента
III
и атомами фосфора элемента
V
групп.
Как известно элементы
III
и
V
групп отдельно
внедренных в кремний в основном находятся в
узлах кристаллической решетки и создают в
запрещенной зоне мелкие акцепторные или
донорные уровни. Из анализа литературных
данных
установлено,
что
растворимость
примесных атомов элементов
III
и
V
групп имеет
достаточно высокое значение и достигает до
N
~1021см
-3[6-
8]. Эти примесные атомы в
полупроводниках находится в основном в
однократно заряженном виде и вокруг себя
создают электрический потенциал [9].
2 MATERIALS AND METHODS
2.1 Теоретическые расчёты
Для получения кремния с бинарными
соединениями элементов А
III
и B
V
групп
были
определены
термодинамические
условия
(температура и время диффузии, давления паров
диффузанта),
которые
дают
возможности
формирования в решетке кремния бинарных
соединения
с
управляемыми
и
воспроизводимыми концентрациями [10-12].
Проведенные теоретические расчёты и анализ
результатов экспериментальных исследований
показали,
что
для
получения
бинарных
соединений элементов III и V групп в кремнии
необходимо выполнение следующих условий.
1. Для образования бинарного соединения
элементов A
III
и B
V
в кремнии сумма ковалентных
радиусов атомов элементов III и V групп должна
быть достаточно близка к сумме ковалентных
радиусов двух атомов кремния:
(R
III
+R
V
)≈2R
Si
.
2. Значение электроотрицательности атомов
элементов III и V групп подобранных для
диффузии не должно существенно отличаться от
значения
электроотрицательности
атомов
кремния.
3. Растворимость атомов элементов III и V
групп и их коэффициенты диффузии в кремнии не
должны сильно отличаться друг от друга.
На основе этих требований были определены
возможности
формирования
бинарных
соединений в кремний состоящих из элементов III
и V групп:
Из
анализа
полученных
результатов
исследований установлено, что в кремнии
легированного примесными атомами, элементами
III и V групп формируется электронейтральные
бинарные соединения А
III-
B
V+
. Формирования
таких бинарных соединений на поверхности и
приповерхностном слое кремния приводит к
образованию частично ковалентной и частично
ионной связи и не создают электрические уровни
в запрещенной зоне материала, т.е. не образуется
дополнительные электроны и дырки [13]. Из
результатов рентгено дисперсионного анализа
установлено, что формированние таких бинарных
соединении не нарушает тетраэдрическую связь в
кристаллической решетке кремния.
Эти результаты исследования дают основания,
что
образованные
бинарные
соединения
элементов III и V групп типа А
III
B
V
в кремнии,
приобретает
более
термодинамическое
равновесное состояние, т.е. переходит к более
низкому и устойчивому состоянию свободной
энергии.
Расчёты
показали,
что
в
кремнии
диффузионно
легированном
примесными
атомами элементов III и V групп происходит
формирование не только бинарных соединений,
также на поверхности и приповерхностном слое
могут образывается новые электронейтрально-
молекульярно соединение типа Si
2
A
III
B
V
,
электрофизические
параметры
которых
отличаются от исходного кремния. Химическая
связь образованных соединений приводит к
формированию
микрогетероваризонной
структуры при переходе между границей от А
III
В
V
бинарного состояния в кремний. Образования
таких структур приводить к изменению
фундаментальных
параметров
(ширина
запрещенной зоны, подвижность носителей тока
и зонную структуры) исходного кремния и
позволяет
получить
материал
новыми
электрофизическими, фотоэлектрическими и
оптическими свойствами.
Из результатов исследования установлено, что
для
каждой
подходящей
и
наиболее
соответствующих пар элементов III и V групп
существует
свои
оптимальные
термодинамические условия диффузии, а также
температура
и
время
дополнительного
термоотжига
при
котором
образуется
термодинамические
устойчивые
бинарные
соединении. Установлено, что повышением
концентрации внедренных примесных атомов III
и V групп существенно увеличивается вероятность
формирования
электронейтралных
бинарных
соединений А
III-
В
V+
. Энергия химической связи
образованных бинарных соединений А
III
В
V
и
нейтрально молекулярных соединений типа
Si
2
А
III
В
V
в кристаллической решетке отличаются
друг от друга (кремний-атом III группы, кремний-
атом V группы, кремний-кремний и между атомами
III и V групп) (рис. 1 а).
На основе этих теоретических расчетов можно
будет подобрать элементы III и V групп, которые
способствуют
формированию
бинарных
соединении в решетке кремния типа A
III
B
V
с
достаточно большой концентрацией.
Энергия связи формированных элементарных
бинарных соединений в кремнии зависит от их
комбинации и существенно отличаться друг от
друга, это означает, что необходимая энергия для
освобождения электронов в таких образованных
элементарных ячейках будет иметь разные
значения, то есть имеются различные значения
ширины запрещенной зоны в зависимости от
энергии
химической
связи
атомов
в
тетраэдрической элементарной ячейке (рис. 1 б.).
а
б
Рис. 1. а – нейтрально-молекулярная соединения
типа Si
2
A
III
B
V
в кремнии образованное при
диффузии примесных атомов элементов III и V, б
– образованная тетроэдическая ячейка с
бинарными соединениями A
III
B
V
.
2.2 Технология получения образцов
Из литературных данных известно, что
фундаментальные
параметры
каждого
полупроводникового материала зависят от
кристаллической структуры, элементного состава
и от энергии химической связи элементарных
ячеек.
Заменяя
атомы
исходного
полупроводникового материала с примесными
атомами по разработанной технологии, можно
изменить
электрофизические
параметры
исходного материала. Внедрения примесных
атомов
в
полупроводник
осуществляется
следующими
методами:
легирования
при
вращивания
полупроводникого
материала,
ионная
имплантация,
молекулярно-лучевая
эпитакция, методом газофазной диффузии. Среди
этих методов, метод диффузионно легирования из
газовой фазы является самым распростроненным
и отличается от дургих методов по простоте и
меньшими затратами энергии.
Из литературных данных известно, что
концентрация
примесных
атомов
в
полупроводнике
ограничивается
пределом
растворимости примесных атомов, который
зависит от температуры и времени диффузии, а
также от структуры и природы легирующего
элемента [14-16].
Для
исследования
электрических
и
фотоэлектрических параметров кремния с
бинарными
соединения
были
выбраны
примесные атомы галлия (элемент III групп) и
фосфора (элемент V групп). Перед диффузией
примесных атомов фосфора и галлия в кремний
теоретически с помощью программы Mathcad
было рассчитано распределение концентрации
этих примесей (рис.2.) [17,18].
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
10
13
10
15
10
17
10
19
10
21
N, см
-3
x, мкм
1
4
5
3
2
Рис. 2. Концентрационные распределения,
полученные расчетом, 1–при диффузии фосфора
в кремний (Т = 1000 ºC, t = 2 часа), 2–фосфора
после дополнительного термоотжига в кремний
(Т = 1250 ºC, t = 4 часа), 3–при диффузии галлия
в кремний (Т = 1250 ºC , t = 4 часа), 4‒
последовательной диффузии примесных атомов
фосфора и галлия в кремний, 5‒концентрация
фосфора в исходном кремнии.
На рис. 2. показаны полученные расчетные
данные распределения концентрации примесных
атомов фосфора (
Т
= 1000
ºC
,
t
= 2 часа) и галлия
(
Т
= 1250 ºC,
t
= 4 часа) после диффузии в
исходный кремний марки КЭФ-100 n-типа
проводимостью.
Диффузия примесных атомов фосфора и
галлия в кремний осуществлялась тремя
различными способами.
1.
Последовательная
диффузия
(сначала
проводилась диффузия примесных атомов
фосфора, затем примесных атомов галлия).
2.
Одновременная диффузия (диффузия из
порошкообразного фосфида галлия в кремний).
3.
Диффузия после напыления фосфида
галлия на поверхность кремния.
После диффузии поверхность образцов
очищалась
от
возможных
остаточных
загрязнений и фосфоросиликатного стекла с
помощью растворов - сначала 30% HCl
,
а затем
10% HF [19].
Процесс диффузии проводился в интервале
температур
T
= 1000-1250 ºC и в течение от 1 до и
5
часов.
Анализ
многочисленных
экспериментальных данных показал, что для
образования электронейтральных молекул типа
Si
2
GaP необходимо провести дополнительный
термоотжиг относительно низких температур,
чем температура диффузии. Эта температура в
зависимости от концентрации примесных атомов,
находится
в
интервале
T=850÷900
0
С.
Установлено, что термоотжиг при более высоких
температурах
приводит
к
распаду
электронейтральных молекул в отдельные атомы.
3 РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
Разработанная диффузионная технология
позволило получить кремний с максимальной
концентрацией примесных атомов галлия и
фосфора.
Методом
электрофизических
измерений (метод Ван-дер-Пау) было определена
электроактивная
концентрация
примесных
атомов фосфора и галлия в кремний в
отдельности.
Также
была
определена
концентрация
образованных
бинарных
соединения GaP в кремний с помощью
электронного сканирующего микроскопа марки
JSM-IT200LA [20]. Результаты этих исследования
позволили
определить
концентрационные
распределения
образованных
бинарных
соединений
GaP
на
поверхности
и
приповерхности
кремния.
Формирование
бинарных
соединений
с
максимальной
концентрацией примесных атомов галлия и
фосфора (10
21
см
-3
) и их распределение на
поверхности и приповерхностном слое кремния
показано на рис. 3. Как видно из рис. 3.
распределения
концентрации
бинарных
соединений GaP в кремний после диффузии
имеет экспоненциальный характер. Из анализа
результатов исследования установлено, что на
поверхности и приповерхностном слое кремния
до 0.3 мкм в основном образуются бинарные
соединения GaP c высокой концентрацией.
Анализ полученных результатов исследования
показали,
что
на
поверхности
кремния
образуются бинарное соединения, которые с
дальнейшем углублении в объёме кремния их
концентрация экспонециально уменьшается.
Распределения концентрации атомов бинарного
соединения GaP в кремний можно разделить на
четыре участка:
1.
На
поверхности,
где
концентрация
бинарных соединений GaP будет максимальна.
2.
Концентрация
бинарных
соединений
уменьшается
и
появляется
нейтрально-
молекулярные соединения типа Si
2
GaP.
3.
Число
нейтрально-молекулярных
соединений
увеличивается
относительно
бинарных соединении GaP в кремнии.
4.
Участок, который в основном состоит из
атомов кремния. В этом участке могут находится
бинарные соединения GaP и нейтрально-
молекулярные соединения Si
2
GaP, однако их
концентрация
намного
меньше,
чем
концентрация атомов исходного кремния.
Рис. 3. Распределения бинарных соединений GaP
и нейтрально-молекулярных соединений типа
Si
2
GaP в кремнии.
Из анализа результатов полученные с
помощью
сканирующего
электронного
микроскопа марки JSM-IT200LA элементного
состава поверхности и приповерхностной слое
кремния легированного примесними атомами
фосфора и галлия установлено, что на
поверхности кремния действительно образуются
бинарные соединения GaP (таб-1). Это означает,
что на поверхности и приповерхности кремния
формируется
слой
бинарных
соединения
примесных атомов фосфора и галлия, которые
приводят
к
изменению
фундаментлаьных
параметров исходного кремния.
Как видно из таблицы-1 в кремнии
легированном примесными атомами галлия и
фосфора концентрация образованных бинарных
соединений по масс на поверхности составляет от
15+до 16 % относительно исходного кремния. С
помощью программы CASI No Monte Carlo
Simulation
была
рассчитана
глубина
проникновения и распределения примесных
атомов галлия и фосфора и установлено, что на
поверхности атомы кремния составляют 68 %.
Эти данные качественного подтверждения
полученных экспериментальных результатов
авторами в работе [17].
Таблица-1
Элементные состав поверхностного слоя
кремния с бинарными соединениями GaP после
диффузии.
Элемент
Масса %
Атом %
Si
56,52±0,32
68,29±0,33
P
1,39±0,08
16,26±0,07
Ga
1,10±0,14
15,45±0,06
4 ОБСУЖДЕНИЕ
Анализ результатов исследований показал,
что на поверхности кремния концентрация
бинарных соединений GaP будет достаточно в
большом количестве и энергия образованная
химической связью между атомами галлия (Ga) и
фосфора (P) требует другую энергию, чем
энергия химической связи между атомами
кремния-кремния,
которая
равна
ширине
запрещенной зоны кремния E
gSi
=1.12 эВ. Из
литературных
анализов
установлено,
что
значение ширины запрещенной зоны чистых
бинарных соединений фосфорида галлия (GaP)
равна E
gGaP
=2.26 эВ [21,22]. Эти результаты
исследования показывают, что в расходном
кремнии легированном примесными атомами
галлия
и
фосфора
образованны
микрогетероваризонные структуры.
Анализ этих результатов исследования
показывает, что образцы кремния с бинарными
соединениями примесных атомов фосфора и
галлия, позволяют в широком интервале изменить
фундаментальные
параметры
ширины
запрещенной зоны, подвижность носителей тока
и зонную структуру исходного кремния, которые
приводят к расширению спектрального диапазона
фоточувствительности.
Кроме
того,
в
приповерхностном слое кремния легированного
примесными атомами фосфора и галлия
образуется микрогетероваризонные структуры.
Показано, что для получения таких структур в
кремнии не требует сложной технологии и
дорогих установок, их можно получить с
помощью
хорошо
освоенной
планарной
диффузионной технологии (рис. 4.) [23-25].
Рис. 4. Гетероваризонная структура кремния с
бинарными соединениями GaP.
E
g1
=
2,26 эВ – для чистого GaP.
E
g4
=
1,12 эВ –
для чистого Si.
Изготовленные фотоэлементы на основе
полученных
образцов
кремния
с
микрогетероструктурами GaP-Si увеличивают
эффективность
их
за
счёт
расширения
спектрального диапазона поглощения солнечного
излучения [26,27].
а
б
Рис. 5. а
–
поглощения солнечно излучения и б
–
структура фотоэлемента на основе кремния с
бинарными соединения атомов галлия и
фосфора. 1
–
тылный металлический слой
никеля. 2
–
Кремний p-типа проводимости,
N
B
≈10
16
см
-3
. 3
–
кремний n-типа проводимости
N
P
≈10
16
см
-3
. 4
–
молекулярно-нейтральное
соединение Si
2
GaP; N
Si2GaP
≈10
18
см
-3
. 5
–
бинарное
соединение GaP; N
GaP
≈10
21
см. 6
–
просветляющие и верхний омический контакт из
SnO
2
.
На основе полученных образцов кремния с
бинарными соединениями атомов галлия и
фосфора
показаны
возможности
создания
эффективных фотоэлементов в фотоэнергетике
(рис. 5). Как видно из рис.5. структура
фотоэлемента состоит из следующих слоев. 1
–
металлический омический тыльный контакт из
металлического никеля напыленного в вакууме.
2
–
исходной кремний р-типа проводимости марки
КДБ-2 толщиной d~350 мкм легированного
примесными атомами бора, 3
–
слой в котором
методом диффузии примесных атомов фосфора
создан электронной n-слой, толщиной ∆x≈1 мкм.
4
–
слой содержащий молекулярно-нейтральные
соединения Si
2
GaP, который находится на
глубине х=0,3÷1,5 мкм. 5
–
поверхность и
приповерхностные слои в которых образуются
бинарные соединения GaP толщиной до х≈0,3
мкм, 6
–
верхний антиотражающий практически
прозрачный слой полученный осаждением оксида
олова, который параллельно служит омическим
контактом лицевой стороны фотоэлемента.
Получения
предложенной
структуры
фотоэлемента не требует сложной технологии и
современных
сложных
и
дорогостоящих
установок типа молекулярной лучевой эпитаксии,
что приводит к снижению затраты энергии и
стоимости фотоэлементов созданных на их
основе [28-30].
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Результаты
исследования
кремния
диффузионно-легированного
примесными
атомами галлия и фосфора по разработанной
технологии различными условиями показал, что в
определенных термодинамических условиях (в
интервале температур Т=1100÷1250 и в течении
времени t=1÷5 час) на поверхности и
приповерхности
формируются
бинарные
соединения GaP и молекулярно-нейтральные
соединения Si
2
GaP.
Показано, эти соединения приводят к
изменению
одной
из
фундаментальных
параметров исходного кремния, т.е. ширины
запрещенной
зоны.
Изменение
величины
запрещенной зоны приводит к расширению
спектральной чувствительности к солнечному
излучению кремния (рис. 3). Получения такое
структуры фотоэлемента позволяет поглощать
ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной
области
спектра
солнечного
излучения.
Формирования бинарных соединений примесных
атомов галлия и фосфора в кремнии позволяют в
будущем
заменить
существующие
полупроводниковые бинарные материалы A
III
B
V
и A
II
B
VI
которые увеличивают эффективность
преобразования
солнечного
излучения
к
электричеству.
ACKNOWLEDGMENTS
Данная работа выполнена в рамке
выполнения научного проекта ОТ-Ф2-55
«Разработка
научных
основ
получения
объемно-структурированного
кремния
на
основе
формирования
нанокластров
примесных атомов как нового класса
наноматериалов с новыми функциональными
возможностями» (2017-2020 гг.).
Авторы
выражают
благодарность
сотрудникам
лаборатории
Узбекско-
Японского ишшовационного центра молодёжи
и
отдельную
благодарность
академику
Академии наук Республики Узбекистан З.С.
Зайнобитдинову за ценные советы при
обсуждении полученных результатов.
REFERENCES
[1]
Bahadirkhanov M.K. Ismaylov B.K. Ismailov K.A.
Zikrillaev N.F. Isamov S.B. On How Thermal
Annealing Affects the State Of Clusters Of Nickel
Atoms In Crystal Lattice Of Silicon//International
Journal of Advanced Science and Technology. 2020.
№ 9. Vol. 29. PP. 6308- 6312.
[2]
Бахадырханов М.К. Исамов С.Б. Зикриллаев Н.Ф.
Тачилин С.А. Счетчики фотонов ИК-излучения
Солнца на основе кремния с многозарядными
нанокластерами атомов марганца//Гелиотехника.
2012. № 1. С.62-65.
[3]
Yunusov Z.A. Yuldashev S.U. Igamberdiev K.T.
Isamov S.B. Zikrillaev N.F. Ferromagnetic states of p-
type silicon doped with Mn//Journal of the Korean
Physical Society. 2014. № 64. Vol. 10. PP. 1461–
1465.
[4]
Утамурадов Ш.Б. Файзуллаев К.М. О влияние
атомов гольмия на эффективность образования
глубоких центров хрома в кремнии//Наука и мир,
Международная научный журнал. 2021. № 8. Т. 96.
С. 23-25.
[5]
5.
Бахадырханов М.К. Исамов С.Б. Зикриллаев
Н.Ф. Илиев Х.М. Мавлонов Г.Х. Ковешников С.В.
Ибодуллаев Ш.Н. Функциональные возможности
кремния
с
нанокластерами
атомов
марганца//Электронная обработка материалов.
2020. № 2. Т. 56. С. 21-27.
[6]
Тишковский Е.Г. Ободников В.И. Таскин А.А.
Феклистов К.В. Серяпин В.Г. Перераспределение
атомов
фосфора,
имплантированных
в
сильнолегированный бором кремний//Физика и
техника полупроводников. 2000. № 6. Т. 34. С. 655-
659.
[7]
Александров О.В. Афонин Н.Н. Особенности
сегрегационного перераспределения фосфора при
термическом окислении сильнолегированных
слоев
кремния//Физика
и
техника
полупроводников. 2005. № 6. Т. 39. С. 647-655.
[8]
Юнусов М.С. О некоторых закономерностях
электронного спектра примесных центров d-
элементов в
кремнии//Физика
и
техника
полупроводников. 1998. № 11. Т.32. С.1306.
[9]
Гадияк Г.В. Диффузия бора и фосфора в кремнии
при
высокотемпературной
ионной
имплантации//Физика
и
техника
полупроводников. 1997. № 4. Т. 31. С.385-389.
[10]
Баходырхонов М.К. Болтакс Б.И. Куликов Г.С.
Диффузия электропереснос и растворимость
примеси марганца в кремнии//Физика и техника
полупроводников. 1972. № 6. Т.14. С.1671.
[11]
Adachi S. Properties of semiconductor Alloys: Group-
IV, III-V and II-VI. – Japan: Semiconductors. 2009. P.
413.
[12]
Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в
полупроводниках. – Ленинград: Наука. 1972. C.
384.
[13]
Zikrillaev N.F. Koveshnikov S.V. Isamov S.B.
Abdurahmonov
B.A.
Kushiev
G.A.
Spectral
dependence of the photoconductivity of Gex-Si1-x
type graded-gap structures obtained by diffusion
technology//Semiconductors. 2022. № 1. Vol.56. PP.
29–31.
[14]
Зикриллаев Н.Ф. Шоабдурахимова М.М. Аюпов
К.С. Исамов С.Б. Управление электроактивными
концентрациями
примесных
атомов
в
кремнии//Приборы. 2022. № 8 Т. 266. С. 45.
[15]
Бахадырханов М.К. Зикриллаев Н.Ф. Арзикулов
Э.У. Влияние упругости паров диффузанта на
концентрацию электроактивных атомов и степень
компенсации образцов Si<Zn>//Письма в журнал
технической физики. 1991. № 12. Т. 17. С.1.
[16]
Зикриллаев Н.Ф. Турсунов О.Б. Формирование в
легированном кремнии (Si2)1-x(ZnSe)x (0≤x≤0,01)
и
исследование
их
структурных
и
фотоэлектрических свойств//Science and world.
International scientific journal. 2022. № 1 Т. 101. С.
8-11.
[17]
Александров Л.Н. Бондарева Т.В. Качурин Г.А.
Тысченко
И.Е.
Численное
моделирование
диффузии бора и фосфора в кремнии при
высокотемпературной
ионной
имплантации//
Физика и техника полупроводников. 1991. №. 2. Т.
25. C. 227-230.
[18]
García-Tabarés E. Martín D. García I. Rey-Stolle I.
Understanding phosphorus diffusion into silicon in a
MOVPE environment for III-V on silicon solar
cells//Solar Energy Materials and Solar Cells. 2013. №
26. Vol.116. PP. 61-67.
[19]
Зикриллаев Х.Ф. Аюпов К.С. Мавлонов Г.Х.
Усмонов
А.А.
Шоабдурахимова
М.М.
Особенности
электрофизических
параметров
кремния,
легированного
последовательно
примесными атомами фосфора и бора//Физика и
техника полупроводников. 2022. № 6. Т. 56. С. 528-
532.
[20]
Суздалев И.П. Нанотехнология: Физика-химия
нанокластеров, наноструктур и наноматериалов.
Либроком. 2009. С. 589.
[21]
Зикриллаев Н.Ф. Исамов С.Б. Ковешников С.В.
Кенжаев З.Т. Турекеев Х.С. Совместная диффузия
атомов галлия и фосфора в кремнии//Электронная
обработка материалов. 2022. № 4. Т.58. С. 29-35.
[22]
Бахадирханов М.К. Исамов С.Б. Физические
основы
формирования
гетероваризонной
структуры
на
основе
кремния//Журнал
технической физики. 2021. №.11. Т. 91. C. 1678-
1684.
[23]
Зикриллаев Н.Ф. Уракова Ф.Э. Абдуганиев Ю.А.
Образование бинарных соединений примесных
атомов германия и марганца в кремнии.
18.07.2023. Программа для ЭВМ-27530.
[24]
Бахадырханов М.К. Исамов С.Б. Зикриллаев Н.Ф.
Хайдаров К. Наноразмерная варизонная структура
в
кремнии
с
многозарядными
нанокластерами//Микроэлектроника. 2013. № 6.
Т.42. С. 444-446.
[25]
Зайнабиддинов C.З. Саидов А.С. Бобоев А.Й.
Усмонов Ж.Н. Осебенности свойств поверхности
полупроводникового твердого раствора (GaAs)1-
x-y(Ge2)x(ZnSe)y
с
квантовыми
точками
ZnSe//Поверхность.
Рентгеновские,
синхротронные и нейтронные исследования. 2021.
№ 1. С.107-112.
[26]
Бахадирханов М.К. Ковешников С.В. Камалова
Х.К. Новые полупроводниковые материалы для
фотоэнергетики. Ташкент. ТГТУ. 2021. C. 284.
[27]
Гременок В.Ф. Тиванов М.С. Залеский В.Б.
Солнечные
элементы
на
основе
полупроводниковых
материалов//Международный научный журнал.
Альтернативная энергетика и экология. 2009. № 1.
Т.69 С. 59-124.
[28]
Фаренбрух А. Солнечные элементы: теория и
эксперимент. – Москва: Энергоатомиздат, 1987. С.
280.
[29]
Сидирович
В.
Мировая
энергетическая
революция: Как возобновляемые источники
энергии изменяет наш мир.– России: Альпина
Паблицер, 2015.
[30]
Алферов Ж.И. Андреев В.М. Руменяцев В.Д.
Тенденции и перспективы развития солнечной
фотоэнергетики//Физика
и
техника
полупроводников. 2004. № 8. Т.38. С.937-948.
